Оксид кремния(II)

Газообразный монооксид кремния обнаружен в межзвёздных газопылевых облаках и солнечных пятнах. На Земле SiO не встречается.

Температура плавления 1702 °C (3096 °F; 1975 K), температура кипения 1880 °C (3420 °F; 2150 K).

• При нагревании на воздухе оксид кремния(II) частично окисляется.
• При 500 °C взаимодействует с водяным паром и углекислым газом СО₂, с образованием водорода Н₂ и СО.
• При 800 °C реагирует с хлором, образуя тетрахлорид кремния SiCl₄.

Монооксид кремния можно получить, нагревая кремний в недостатке кислорода при температуре выше 400 °C:

${\displaystyle {\mathsf {2Si+O_{2}\rightarrow 2SiO}}.}$

Также SiO образуется при восстановлении SiO₂ кремнием при высоких температурах (например, на поверхности тигеля при производстве монокристаллического кремния методом Чохральского):

${\displaystyle {\mathsf {SiO_{2}+Si\rightarrow 2SiO}}.}$

Монооксид кремния — материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптических слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением кремния в кислородной плазме.