Физика и техника полупроводников

Выходит 12 номеров в год.

Журнал основан в 1967 году Издаётся на русском, английском языках. Выходит в печатном, сетевом форматах^[1][2].

Учредителями издания являются: Российская академия наук, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук^[1][2].

Издание зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций^[3].

Номер свидетельства о регистрации средства массовой информации: ПИ № ФС 77 — 71300 от 17.10.2017. Международный номер издания: ISSN 0015-3222 — печатная версия, 1726-7315 — сетевая версия.

Журнал выпускается Физико-техническим институтом имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук под научно-методическим руководством Отделения физических наук Российской академии наук^[1][2][4].

Журнал публикует статьи и краткие сообщения, посвящённые фундаментальным и прикладным аспектам физики и технологии полупроводников. Тематический охват издания включает, помимо прочего, исследования аморфных и органических полупроводников, микро- и наноструктур, зонной структуры и транспортных явлений, эффектов туннелирования, а также процессов эпитаксиального роста и легирования.

Основное внимание уделяется вопросам, связанным с электронными и оптическими свойствами полупроводников, физикой приборов, а также технологиями изготовления и тестирования материалов и структур. Особый раздел научного интереса представляют низкоразмерные системы, квантовые явления, свойства поверхностей и границ раздела, а также композитные и углеродные материалы.

Журнал ориентирован на профессиональную аудиторию, включающую учёных, исследователей, инженеров и аспирантов, работающих в области физики твёрдого тела, материаловедения, нанотехнологий и полупроводниковой электроники. Он служит для них площадкой для обмена актуальными результатами как теоретических, так и экспериментальных исследований^[4][1][2].

Редакция журнала соблюдает этические правила, разработанные Комитетом по публикационной этике (COPE). Журнал использует модель отложенного открытого доступа^[5].

Параллельно издаётся англоязычная версия журнала в гибридном формате, перевод публикуется под международным названием Semiconductors, что делает исследования доступными для мировой научной аудитории. До 2022 года англоязычная версия издавалась компанией Pleiades Publishing, Ltd., выходила в свет одновременно с изданием на русском языке^[6]. С 2022 года выпуском англоязычной версии журнала занимается Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук^[4].

28 октября 2025 года Арбитражный суд Москвы вынес решение в пользу Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Суд удовлетворил иск Института о прекращении нарушения авторских прав и присудил компенсацию, превышающую 278 миллионов рублей.

Разбирательство было инициировано из-за продолжительного нарушения авторских прав Института со стороны компаний Pleiades Publishing, Ltd. и Pleiades Publishing, Inc. Эти компании неправомерно публиковали англоязычные переводы научных статей из пяти журналов Института на портале Springer Nature, который был дистрибьютором для издательства Pleiades Publishing.

В 2022 году Институт расторг лицензионные соглашения с издательством Pleiades Publishing в связи с нарушением последней своих обязательств. После расторжения договоров издательство продолжило размещать англоязычные версии статей из журналов ФТИ на своём сайте. В ходе арбитражного процесса ходатайства ответчика были отклонены. Исковые требования Института были удовлетворены в полном объеме: суд запретил использование и распространение статей, права на которые не были переданы издательству, и взыскал денежную компенсацию^[2][7].

Таким образом, по состоянию на 2025 год, официально Pleiades Publishing не является издателем англоязычной версии журнала, но продолжает её публиковать на своём сайте. Выпуском переводной версии журнала на законном основании занимается Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук^[4].

Журнал включён в перечень Высшей аттестационной комиссии, где должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук по следующим научным специальностям^[1]:

Физико-математические науки: 1.3.8. Физика конденсированного состояния, 1.3.11. Физика полупроводников, 1.3.19. Лазерная физика, 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств, 2.2.7. Фотоника, 2.6.6. Нанотехнологии и наноматериалы;

Технические науки: 1.3.11. Физика полупроводников, 1.3.19. Лазерная физика, 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств, 2.6.6. Нанотехнологии и наноматериалы.

РИНЦ^[8], Elibrary^[9], ИСТИНА^[10], Руконт^[11], НЭБ^[12], Scilit^[13], OpenAlex^[14], Scholia^[15], Sudoc^[16], DNB ^[17], MathNet^[18].

По состоянию на 2025 год главным редактором журнала являлся член-корреспондент Российской академии наук, профессор, преподаватель курса по молекулярно-лучевой эпитаксии Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН, С. В. Иванов^[19].

Состав редакционной коллегии по состоянию на 2025 год^[19]:

• Бельков В. В., заместитель главного редактора, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник и заведующий лабораторией нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Евтихиев В. П., заместитель главного редактора, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Нестоклон М. О., ответственный секретарь, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник сектора теории квантовых когерентных явлений в твёрдом теле Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Аверкиев Н. С., доктор физико-математических наук, заведующий сектором теории оптических и электрических явлений в полупроводниках Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН, профессор Высшей школы фундаментальных физических исследований Физико-механического института Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого;
• Асрян Л. В., доктор физико-математических наук, профессор на кафедре материаловедения и инженерии в Виргинском политехническом институте и государственном университете, США;
• Баранов П. Г., доктор физико-математических наук, профессор, заведующий лабораторией микроволновой спектроскопии кристаллов Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Берт Н. А., кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории диагностики материалов и структур твердотельной электроники и заместитель директора Центра физики полупроводниковых структур Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук, доцент базовой кафедры оптоэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина);
• Векслер М. И., профессор Российской академии наук, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией мощных полупроводниковых приборов в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Гавриленко В. И., доктор физико-математических наук, заместитель директора Института физики микроструктур РАН, заведующий отделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН, профессор Высшей школы общей и прикладной физики Нижегородского государственного университета имени Н. И. Лобачевского;
• Емцев В. В., доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Красильник З. Ф., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, руководитель научного направления Физика микро- и наноструктур Института физики микроструктур Российской академии наук, заведующий межфакультетской базовой кафедрой Физика наноструктур и наноэлектроника Нижегородского государственного университета имени Н. И. Лобачевского;
• Латышев А. В., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией нанодиагностики и нанолитографии и директор Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН;
• Луценко Е. В., кандидат физико-математических наук, доцент, заместитель заведующего лабораторией физики и техники полупроводников Института физики Национальной академии наук Беларуси;
• Мошников В. А., доктор физико-математических наук, профессор кафедры микро- и наноэлектроники, руководитель учебно-научной лаборатории «Наноматериалы» Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ»;
• Пихтин Н. А., кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей и руководитель Центра физики наногетероструктурв Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Тиходеев С. Г., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник в Институте общей физики имени А. М. Прохорова РАН, профессор на кафедре общей физики и физики конденсированного состояния физического факультета Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова;
• Фирсов Д. А., доктор физико-математических наук, профессор в Высшей инженерно-физической школе Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого;
• Хохлов Д. Р., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и физики конденсированного состояния физического факультета Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова, главный научный сотрудник Физического института имени П. Н. Лебедева РАН;
• Цацульников А. Ф., доктор физико-математических наук, руководитель группы МОС-гидридной эпитаксии в лаборатории физики полупроводниковых гетероструктур, старший научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН, заместитель директора по научной работе Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН.

По состоянию на 2025 год редакционный совет журнала состоял из следующих персон^[19]:

• Андронов А. А., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник в отделе физики сверхпроводников в Институте физики микроструктур РАН;
• Асеев А. Л., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН;
• Гиппиус А. А., доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник в лаборатории физики дефектов и фазовых превращений в твердотельных структурах в Физическом институте имени П. Н. Лебедева РАН;
• Гуляев Ю. В., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, научный руководитель Института радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова РАН, директор Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, заведующий кафедрой твердотельной электроники и радиофизики Московского физико-технического института;
• Дьяконов М. И., доктор физико-математических наук, почётный профессор Университета Монпелье, член исследовательской группы Лаборатории Шарля Кулона -совместное подразделение Университета Монпелье и Национального центра научных исследований Франции;
• Забродский А. Г., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник и руководитель лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Конников С. Г., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, генеральный директор Центра коллективного пользования «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»;
• Копьев П. С., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, руководитель Центра физики наноструктур в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН.