Иванов, Сергей Викторович

Сергей Иванов родился 24 июня 1960 года в Ленинграде.

Обучался в физико-математической школе № 239 гор. Ленинграда (выпуск 1977 г.).

В 1983 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ), кафедра оптоэлектроники^[3].

Вся дальнейшая научная биография Иванова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, где он прошёл путь от стажера-исследователя до заведующего лабораторией квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии. Там же, в ФТИ, защитил кандидатскую (1989) и докторскую (2000) диссертации^[3].

Как эксперт многократно приглашался с визитами в университеты и научные центры Германии (суммарно провёл там 1 год), Японии (суммарно 2 мес) и других стран^[3].

С октября 2018 года исполнял обязанности директора Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН. В мае 2019 года коллектив института избрал его на пост директора^[4][5]; 6 августа 2019 года официально вступил в должность.

В июне 2022 года избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук^[1].

В октябре 2023 года занял пост заместителя председателя Санкт-Петербургского отделения РАН^[2].

Иванов известен как специалист в сфере технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и физики полупроводниковых гетероструктур (материалы А^IIIВ^V, А^IIВ^VI, А^III-нитриды).

Среди важнейших научных результатов, полученных при его участии^[4]:

• разработка новых эпитаксиальных технологий наногетероструктур А^IIIВ^V и широкозонных соединений А^IIВ^VI, структур с квантовыми точками (КТ) СdSe и магнитными полупроводниками;
• создание прототипов приборных структур: сверхнизкопороговых лазерных диодов с раздельным ограничением в системе AlGaAs, лазеров с КТ InSb и фотоприёмников среднего ИК диапазона в системе AlGaSbAs/InAsSb, светодиодов и лазеров среднего УФ диапазона на основе AlGaN, высокоэффективных сине-зелёных лазеров с электронно-лучевой накачкой и лазерных конвертеров на базе наноструктур СdSe/ZnSe, НЕМТ-транзисторов с каналом InAs;
• реализация оригинальной концепции интеграции нанослоёв соединений А^IIIВ^V и А^IIВ^VI, позволяющей расширить возможности конструирования опто-, микро- и спинэлектронных приборов нового поколения.
• создание источников одиночных фотонов на основе GaAs и InAs, перспективных для систем квантовых вычислений и защищённой передачи данных^[2];
• разработка мощных лазеров для лидаров и исследования в области УФ-фотоники на базе нитридных гетероструктур^[6].^[2]

Соавтор свыше 800 опубликованных научных работ, в том числе 10 глав в монографиях и 6 патентов. Суммарно его работы были процитированы свыше 10000 раз, индекс Хирша — 38 (данные РИНЦ на октябрь 2020 года)^[7]. Выступал на российских и международных конференциях, сделал около 40 приглашённых докладов.

Как учёный-наставник Иванов подготовил 7 кандидатов физико-математических наук.

По совместительству, с 2004 года преподаёт в двух вузах Санкт-Петербурга: читает курс по молекулярно-лучевой эпитаксии студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым, и своей альма-матер. Профессор^[3].

Является членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», входит в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, эксперт РФФИ и РНФ, член редколлегии журнала Superlattices and Microstructures^[4].

С 2023 года является главным редактором научного издания «Физика и техника полупроводников»^[2][8].

• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени;
• Медаль «За вклад в реализацию государственной политики в области научно-технологического развития» Минобрнауки России (2021);
• Благодарность президента РАН в связи с 275-летием РАН (1999);
• Премия им. А.Ф. Иоффе от ФТИ им. А.Ф. Иоффе (1999, 2017);
• Премия им. Ж.И. Алферова (номинация нанотехнологии) правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского научного центра РАН (2020)^[9].