Кристаллография (журнал)

Выходит шесть номеров в год.

Журнал основан в 1956 году^[1].

Учредителями издания являются: Российская академия наук, Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова Российской академии наук.

Издаётся на русском, английском языках. Выходит в печатном, сетевом форматах.

Издание зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций^[2][3].

Номер свидетельства о регистрации средства массовой информации: ПИ № ФС 77 — 0110215 от 08.02.1993 — печатная версия, ЭЛ № ФС 77 — 88261 от 30.09.2024 — сетевая версия. Международный номер издания: ISSN 0023-4761 — печатная версия, 3034-5510 — сетевая версия.

Журнал издаётся Российской академией наук под руководством Отделения физических наук Российской академии наук, выпускается издательством Наука»^[1].

Журнал посвящён научным исследованиям и открытиям в области кристаллографии. В публикациях рассматриваются химические и физические свойства кристаллических структур, теория кристаллических решёток, кристаллохимия и симметрия кристаллов. Особое внимание уделяется исследованиям реальной структуры кристаллов, метаматериалов и фотонных кристаллов.

Основные рубрики журнала включают: кристаллохимию, теорию кристаллических структур, физические свойства кристаллов, дифракцию и рассеяние излучений, структуру неорганических и органических соединений. Также публикуются работы по применению кристаллографии в биологии и медицине, исследования поверхностей и тонких плёнок, обзорные статьи и аналитические материалы^[4][5][6][7].

Редакция журнала соблюдает этические правила, разработанные Ассоциацией научных редакторов и издателей (АНРИ) и Комитетом по публикационной этике (COPE). Журнал использует модель отложенного открытого доступа. Это значит, что каждый выпуск становится бесплатным и доступным для всех через 12 месяцев после его первоначальной публикации^[8][9].

Параллельно издается англоязычная версия журнала – полный перевод публикуется под международным названием Crystallography Reports, что делает исследования доступными для мировой научной аудитории. Издаётся компанией Pleiades Publishing, Ltd., выходит в свет одновременно с изданием на русском языке. Полнотекстовые версии статей англоязычной версии журнала доступны по подписке, частично размещены в открытом доступе на портале SpringerLink. Англоязычная версия индексируется в системах Web of Science, Scopus и др.^[10].

Аудиторию журнала составляют научные сотрудники, инженеры-исследователи, преподаватели высших учебных заведений и аспиранты, специализирующиеся в области кристаллографии и смежных дисциплин^[4][5].

Журнал включён в перечень Высшей аттестационной комиссии, где должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук по следующим научным специальностям^[11][12][13]:

• Приборы и методы экспериментальной физики
• Оптика
• Акустика
• Физика конденсированного состояния
• Физика полупроводников
• Физика магнитных явлений
• Кристаллография, физика кристаллов
• Неорганическая химия
• Органическая химия
• Физическая химия
• Высокомолекулярные соединения

РИНЦ^[14], Elibrary^[15], ИСТИНА^[16], Руконт^[17], НЭБ^[18], Scilit^[19], OpenAlex^[20], Scholia^[21], Sudoc^[22], DNB^[23].

По состоянию на 2025 год главным редактором журнала является член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, президент, Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» – М. В. Ковальчук^[24].

По состоянию на 2025 год редакционная коллегия журнала состоит из следующих персон^[24]:

• Волошин А. Э., заместитель главного редактора, доктор физико-математических наук, профессор, кафедра химии и технологии кристаллов, Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева;
• Кашкаров П. К., заместитель главного редактора, доктор физико-математических наук, физический факультет, заведующий кафедрой общей физики и наноэлектроники, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, помощник президента, Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»;
• Константинова А. Ф., ответственный секретарь, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник, лаборатория кристаллооптики, отдел кристаллофизики, Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова Российской академии наук;
• Авилов А. С., доктор физико-математических наук, Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова Российской академии наук;
• Аксёнов В. Л., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, Объединённый институт ядерных исследований;
• Бушуев В. А., доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики твёрдого тела физического факультета, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова;
• Ерёменко И. Л., академик Российской академии наук, доктор химических наук, заведующий лабораторией координационных соединений платиновых металлов, Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова Российской академии наук;
• Забродский А. Г., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук;
• Каган М. Ю., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник, Институт физических проблем имени П. Л. Капицы Российской академии наук, профессор, Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»;
• Каневский В. М., доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией роста тонких пленок и неорганических наноструктур, Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова Российской академии наук;
• Кведер В. В., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией спектроскопии дефектных структур, Институт физики твёрдого тела Российской академии наук;
• Киселёв С. Л., доктор биологических наук, заведующий лабораторией эпигенетики, Институт общей генетики имени Н. И. Вавилова Российской академии наук;
• Литвак А. Г., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, научный руководитель, Отделение физики плазмы и электроники сверхвысоких частот, Институт прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова Российской академии наук;
• Макаров А. А., академик Российской академии наук, кандидат физико-математических наук, доктор биологических наук, диреткор, Институт молекулярной биологии имени В. А. Энгельгардта Российской академии наук, профессор, Московский физико-технический институт;
• Мухамеджанов Э. Х., доктор физико-математических наук, заместитель директора, Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»;
• Панченко В. Я., вице-президент Российской академии наук, академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, научный руководитель Института проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук, заведующий кафедрой медицинской физики физического факультета, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова;
• Попов В. О., академик Российской академии наук, доктор химических наук, научный руководитель, руководитель лаборатории инженерной энзимологии, Федеральный исследовательский центр «Фундаментальные основы биотехнологии» Российской академии наук, заведующий кафедрой синтетической биологии биологического факультета, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова;
• Пущаровский Д. Ю., академик Российской академии наук, доктор геолого-минералогических наук, президент геологического факультета, профессор кафедры кристаллографии и кристаллохимии, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова;
• Сорокина Н. И., доктор химических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории рентгеновских методов анализа и синхротронного излучения, Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова Российской академии наук;
• Чвалун С. Н., член-корреспондент Российской академии наук, доктор химических наук, главный научный сотрудник, Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», заведующий лабораторией функциональных полимерных структур, Институт синтетических полимерных материалов имени Н. С. Ениколопова Российской академии наук, преподаватель, Московский физико-технический институт, МИРЭА – Российский технологический университет.