Копьев, Пётр Сергеевич
Пётр Серге́евич Копьев (род. 20 мая 1946) — советский и российский физик, специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, руководитель Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе (Физтеха), член-корреспондент РАН (2008). Доктор физико-математических наук (1992).
Общие сведения
| Пётр Сергеевич Копьев | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Дата рождения | 20 мая 1946 (80 лет) | ||||
| Страна |
 СССР→ Россия |
||||
| Научная сфера | физика полупроводников | ||||
| Место работы |
Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, СПбГТУ, Военмех |
||||
| Учёная степень | доктор физико-математических наук | ||||
| Учёное звание |
профессор член-корреспондент РАН (2008) |
||||
| Награды и премии |
|
||||
Биография
Пётр Копьёв родился 20 мая 1946 года.
В 1970 году окончил физический факультет ЛГУ[1].
Руководитель Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе.
Преподаватель физико-технического факультета Санкт-Петербургского технического университета[2] и Балтийского технического университета[3]. Под его руководством защищены 16 кандидатских и 7 докторских диссертаций.
Член редколлегии журналов «Физика и техника полупроводников» РАН и «Письма в Журнал технической физики» РАН, член Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, Комиссии РАН по нанотехнологиям.
Учёная степень
Доктор физико-математических наук. В 1974 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование излучательной рекомбинации в твердых растворах на основе широкозонных соединений типа AIIIBV». В 1992 году защитил докторскую диссертацию на тему «Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)»[4].
Научная деятельность
Основные научные результаты:
- создано термодинамическое описание процессов роста, легирования и дефектообразования при МПЭ;
- обнаружено разрушение минизоны в сверхрешетке в магнитном поле, параллельном плоскости слоев, экспериментально продемонстрированы ?-образный вид плотности состояний в структурах с квантовыми точками, показано, что гибридизация электронных и дырочных состояний на гетеропереходе InAs/GaSb ответственна за осцилляции амплитуды и полуширины линий в спектрах ЦР;
- разработаны конструкция и технология приборных структур с рекордными параметрами: создан инжекционный лазер на основе короткопериодных сверхрешеток с рекордно низкой пороговой плотностью тока (43А/см2 при 300 К), впервые в мире создан инжекционный лазер на основе квантовых точек. Созданы структуры на основе короткопериодных сверхрешеток и конструкция приборов для эффективного умножения частот СВЧ-излучения вплоть до терагерцового диапазона, созданы структуры сине-зеленых (Zn,Mg)SSe/ZnCdSe лазеров (мощность излучения до 20 Вт) при оптическом и электронном возбуждении, а также гибридные структуры А2В6/ А3В5 для эффективной инжекции спинов.
Награды
- Премия Ленинского комсомола (в составе группы, за 1976 год) — за получение и исследование широкосезонных твёрдых растворов соединений А³В5 и создание на их основе эффективных инжекционных источников излучения в видимой части спектра[3];
- Государственная премия Российской Федерации (в составе группы, за 2001 год) — за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»[5];
- Орден Почёта (1999)[6];
- Орден Дружбы (2010)[7];
- Премия Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники (номинация физика и астрономия - премия имени А. Ф. Иоффе, за 2013 год) — за разработку метода молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии создания на его основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур[8];
- Звание МОН РФ «Почётный работник науки и высоких технологий Российской Федерации» (2021)[9].
Примечания
Ссылки
- Профиль Петра Сергеевича Копьева на официальном сайте РАН
- Автореферат докторской диссертации
Дополнительно по теме
 |
|---|
