Физика твёрдого тела (журнал)

Выходит 12 номеров в год.

Журнал основан в 1959 году академиком и «отцом русской физики» А. Ф. Иоффе, ставшим первым главным редактором издания^[1][3].

Издаётся на русском, английском языках. Выходит в печатном, сетевом форматах^[1][2].

Учредителями издания являются: Российская академия наук, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук^[1][2].

Издание зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций^[4].

Номер свидетельства о регистрации средства массовой информации: ПИ № ФС 77 — 71301 от 17.10.2017. Международный номер издания: ISSN 0367-3294 — печатная версия, 1726-7498 — сетевая версия.

Журнал выпускается Физико-техническим институтом имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук под научно-методическим руководством Отделения физических наук Российской академии наук^[1][2].

В журнале также публикуются статьи по современным исследования на темы: двумерные материалы (включая графен) и топологические изоляторы, магнитным полупроводникам, метаматериалам и мультиферроикам. Рассматриваются вопросы компьютерного моделирования, расчётов электронной структуры, а также применения твёрдотельных систем в микроэлектронике, фотонике и квантовых технологиях.

Целевая аудитория издания включает научных сотрудников и исследователей в области физики конденсированного состояния, преподавателей и аспирантов физических и материаловедческих специальностей, а также инженеров-разработчиков, работающих над созданием новых функциональных материалов и устройств^[3][1][2].

Параллельно издаётся англоязычная версия журнала в гибридном формате, перевод публикуется под международным названием Physics of the Solid State, что делает исследования доступными для мировой научной аудитории. До 2022 года англоязычная версия издавалась компанией Pleiades Publishing, Ltd., выходила в свет одновременно с изданием на русском языке^[5]. С 2022 года выпуском англоязычной версии журнала занимается Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук^[3].

28 октября 2025 года Арбитражный суд Москвы вынес решение в пользу Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Суд удовлетворил иск Института о прекращении нарушения авторских прав и присудил компенсацию, превышающую 180 миллионов рублей.

Разбирательство было инициировано из-за продолжительного нарушения авторских прав Института со стороны компаний Pleiades Publishing, Ltd. и Pleiades Publishing, Inc. Эти компании неправомерно публиковали англоязычные переводы научных статей из пяти журналов Института на портале Springer Nature, который был дистрибьютором для издательства Pleiades Publishing.

В 2022 году Институт расторг лицензионные соглашения с Pleiades Publishing из-за невыполнения последней своих обязательств. Несмотря на это, издательство продолжило публикацию англоязычных версий статей из журналов ФТИ, теперь уже непосредственно на своём журнальном сайте. В ходе судебного разбирательства в арбитражном суде компании представили ряд ходатайств, которые были обоснованно отклонены. В итоге все исковые требования Института — о прекращении неправомерного использования и распространения научных статей, поскольку авторские права на них не передавались издательству, а также о солидарном взыскании денежной компенсации — были полностью удовлетворены^[2][6].

Таким образом, по состоянию на 2025 год, официально Pleiades Publishing не является издателем англоязычной версии журнала под названием Physics of the Solid State, но продолжает её публиковать на своём сайте. Выпуском переводной версии журнала на законном основании занимается Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук^[3][7].

Журнал включён в перечень Высшей аттестационной комиссии, где должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук по следующим научным специальностям^[1]:

Физико-математические науки:

• 1.1.8 механика деформируемого твёрдого тела;
• 1.3.3 теоретическая физика;
• 1.3.6 оптика;
• 1.3.8 физика конденсированного состояния;
• 1.3.11 физика полупроводников;
• 1.3.12 физика магнитных явлений;
• 1.3.13 электрофизика и электрофизические установки;
• 1.3.14 теплофизика и теоретическая теплотехника;
• 1.3.20 кристаллография и физика кристаллов.

Технические науки:

• 1.1.8 механика деформируемого твёрдого тела;
• 1.3.6 оптика;
• 1.3.8 физика конденсированного состояния;
• 1.3.11 физика полупроводников;
• 1.3.12 физика магнитных явлений;
• 1.3.13 электрофизика и электрофизические установки;
• 1.3.14 теплофизика и теоретическая теплотехника;
• 2.6.6 нанотехнологии и наноматериалы;
• 2.6.17 материаловедение.

РИНЦ^[8], Elibrary^[9], ИСТИНА^[10], Руконт^[11], НЭБ^[12], Scilit^[13], OpenAlex^[14], Scholia^[15], Sudoc^[16], DNB ^[17], MathNet^[18].

По состоянию на 2025 год главным редактором журнала являлся академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе Российской академии наук, Е. Л. Ивченко^[19].

Состав редакционной коллегии по состоянию на 2025 год^[19]:

• Тарасенко С. А., заместитель главного редактора, член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник и заведующий сектором теории квантовых когерентных явлений в твёрдом теле в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Чалдышев В. В., заместитель главного редактора, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Кудинов А. В., ответственный секретарь, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник в лаборатории спиновых и оптических явлений в полупроводниках Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Бражкин В. В., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, директор Института физики высоких давлений имени Л. Ф. Верещагина РАН;
• Бурмистров И. С., доктор физико-математических наук, профессор, заместитель директора Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау РАН;
• Глазов М. М., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник сектора теории квантовых когерентных явлений в твёрдом теле Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Дидейкин А. Т., кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории физики кластерных структур Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Дунаевский М. С., кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории оптики поверхности Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Ирхин В. Ю., доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Института физики металлов имени М. Н. Михеева Уральского отделения РАН;
• Кадомцев А. Г., доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник и заведующий группой физики прочности Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Калашникова А. М., кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией физики ферроиков и ведущий научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Ковальчук М. В., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, президент Национального исследовательского центра «Курчатовский институт»;
• Кукушкин С. А., доктор физико-математических наук, профессор, заведующий лабораторией структурных и фазовых превращений в конденсированных средах в Институте проблем машиноведения РАН;
• Кусраев Ю. Г., доктор физико-математических наук, руководитель отделения физики твёрдого тела, заведующий лабораторией спиновых и оптических явлений в полупроводниках Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Лебедев А. А., доктор физико-математических наук, профессор, руководитель отделения твердотельной электроники, заведующий лабораторией физики полупроводниковых приборов и главный научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Лимонов М. Ф., доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Лущик А. Ч., доктор физико-математических наук, профессор физики твёрдого тела и заведующий лабораторией физики ионных кристаллов Института физики Тартуского университета, Эстония;
• Малкин Б. З., доктор физико-математических наук, профессор, профессор-консультант кафедры теоретической физики Института физики Казанского федерального университета;
• Романов А. Е., доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Писарев Р. В., доктор физико-математических наук, профессор, заведующий лабораторией и главный научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН;
• Спивак Б. З., доктор физико-математических наук, профессор на факультете физики в Вашингтонском университете в Сиэтле, США;
• Фраерман А. А., доктор физико-математических наук, заведующий отделом магнитных наноструктур и ведущий научный сотрудник Института физики микроструктур РАН -филиал Института прикладной физики имени А. В. Гапонова-Грехова РАН;
• Чаплик А. В., доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН;
• Эварестов Р. А., доктор физико-математических наук, почётный профессор Санкт-Петербургского государственного университета.