Хохлов, Дмитрий Ремович
Дми́трий Ре́мович Хохло́в (род. 26 декабря 1957, Москва, СССР) — советский и российский физик, профессор МГУ, лауреат Государственной премии РФ (1995), член-корреспондент РАН (2008).
Общие сведения
| Дмитрий Ремович Хохлов | |
|---|---|
| Дата рождения | 26 декабря 1957 (68 лет) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Научная сфера | физика полупроводников |
| Место работы | физический факультет МГУ, ФИАН (высококвалифицированный главный научный сотрудник) |
| Образование | |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук |
| Учёное звание | профессор и член-корреспондент РАН |
| Награды и премии | |
Биография
Родился в Москве в семье известного физика Р. В. Хохлова и Елены Михайловны Дубининой (дочери М. М. Дубинина)[1], младший брат А. Р. Хохлова.
В 1974 году окончил 2-ю физико-математическую школу в Москве. Выпускник физического факультета МГУ 1980 года.
Поступил на работу в лабораторию полупроводников физического факультета МГУ, позднее стал заведующим этой лабораторией. В 1992 году защитил диссертацию на соискание степени доктора физико-математических наук по теме «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы».
В 1995 году получил Государственную премию Российской Федерации «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов», в том же году стал лауреатом премии им. Шувалова. С 1998 года — профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости того же факультета. С 2006 года избран заведующим кафедрой общей физики и магнито-упорядоченных сред МГУ (в 2008 году переименована в кафедру общей физики и физики конденсированного состояния, остался в должности заведующего)[2].
В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН. Также является высококвалифицированным главным научным сотрудником Лаборатории физики полупроводников и сверхпроводимости ФИАН[3]. Под его руководством защищено более 10 кандидатских диссертаций[4].
В 2024 году награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени[5].
- член научного совета РАН по физике полупроводников, Экспертного совета ВАК РФ по физике и экспертного совета РФФИ по физике полупроводников[6]
- заместитель председателя учебно-методического совета по физике учебно-методического объединения по классическому университетскому образованию
- член учёного совета физического факультета МГУ
Являлся главным редактором научного издания Известия Российской академии наук. Серия физическая, после истечения полномочий возглавил Редакционный совет журнала[7].
Входит в состав редакционной коллегии научного издания «Физика и техника полупроводников»[8].
Общественная позиция
В феврале 2022 года подписал открытое письмо российских учёных и научных журналистов с осуждением СВО и призывом к выводу российских войск с украинской территории.
Научные интересы
Научные интересы: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур. Получил ряд новых результатов, имеющих фундаментальное значение для физики полупроводников:
- гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10 в 6 степени;
- локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях;
- СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости, позволяющая увеличить квантовую эффективность полупроводника до 10 во 2 степени;
- СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости;
- селективная фононно-стимулированная фотопроводимость, наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона.
Актуальные направления исследований включают изучение топологических изоляторов, исследование фотопроводимости в гетероструктурах на основе Hg1-xCdxTe, а также разработку высокочувствительных детекторов на основе Pb1-xSnxTe(In). Новые результаты по этим направлениям были опубликованы в 2024—2026 годах[9][10].
Примечания
Ссылки
- Профиль в системе «ИСТИНА»
Дополнительно по теме
 |
|---|
