Латышев, Александр Васильевич

Родился 4 января 1959 года в городе Булаево Северо-Казахстанской области Казахской ССР^[1].

В 1981 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета^[1][2].

С 1998 года возглавлял лабораторию нанодиагностики и нанолитографии.

С 2007 года занимал должность заместителя директора по научной работе Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

В 2008 году был избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «наноэлектроника»).

С 2013 года занимает должность директора Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Под руководством А. В. Латышева защищено 3 кандидатских диссертации. Является автором и соавтором более 250 научных публикаций, 3 монографий, 9 глав в коллективных монографиях, 6 патентов.

По состоянию на 2025 год входил в состав редакционной коллегии научного издания «Физика и техника полупроводников», «Автометрия»^[3].

Основным направлением научной деятельности Латышева А. В. является изучение механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы микро- и наноэлектроники. Результаты его работ создают основу современного электронного материаловедения.

Латышевым А. В. с сотрудниками ведутся работы по совершенствованию имеющихся и созданию новых методов нанолитографии, в частности, в руководимой им лаборатории методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии получены структуры с размерами до 10 нм, в которых наблюдались квантовые явления при переносе заряда. Особые успехи были получены в работах по развитию методов нанолитографии с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Под руководством Латышева А. В. в ИФП СО РАН проводятся многочисленные исследования по диагностике полупроводниковых материалов и приборов микро и наноэлектроники методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии, а также сканирующей зондовой микроскопии на основе атомно-силового микроскопа.

Наиболее значительным результатом работ Латышева А. В. явилось создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазных реакциях и взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния. Латышевым А. В. выполнен цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий. Впервые был теоретически обоснован и экспериментально открыт эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния, установлена структура высокотемпературной поверхности кремния, обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе. Полученные результаты использованы для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и дают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния.

В 2025 году А. В. Латышев был удостоен Демидовской премии в номинации «Физика»^[4]. Среди отмеченных премией достижений — управление свойствами материалов на атомном уровне, открытие эффекта эшелонирования атомных ступеней под воздействием постоянного электрического тока, а также решение задачи о кинетической нестабильности рельефа поверхности растущих кристаллов^[5].

Под руководством учёного активно развивается Центр коллективного пользования (ЦКП) «Наноструктуры». Благодаря развитию приборной базы центра были созданы такие уникальные устройства, как спин-детектор для станций синхротрона «СКИФ», ключевые элементы для орбитального космического телескопа «Спектр-УФ», а также твердотельный излучатель одиночных фотонов^[6].

• Премия Правительства РФ в области образования (2014)^[7]
• Демидовская премия Научного Демидовского фонда (2025) — за выдающийся вклад в физику полупроводников (церемония вручения — 8 февраля)^[8][9].
• Почётная грамота Национальной академии наук Беларуси^[10].

В сентябре 2025 года Латышев выступил с тезисами о необходимости долгосрочной государственной поддержки центров коллективного пользования (ЦКП). Он отметил важность расширения перечня вузовских специальностей для подготовки инженерно-технического персонала, а также указал на необходимость целевого финансирования для ремонта и модернизации оборудования^[11].

В марте 2026 года на стратегической сессии Ростеха по радиоэлектронике в Томске он выделил ключевые барьеры трансфера технологий между академической наукой и промышленностью. В качестве решения Латышев предложил создать государственный механизм, преобразующий государственные приоритеты в конкретные заказы на НИОКР^[12].