Забродский, Андрей Георгиевич

Родился 26 июня 1946 года в Херсоне.

В 1970 году с отличием окончил факультет радиоэлектроники ЛПИ по специальности «радиофизика и электроника» (специализация «квантовая электроника»). Дипломную работу, посвящённую исследованию пространственного излучения гетеролазеров, написал в руководимом Ж. И. Алфёровым секторе Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). После учёбы был призван на службу в ряды Советской армии в должности инженер-лейтенанта (1970—1972).

С 1972 года — в ФТИ им. Иоффе. После обучения в аспирантуре работал инженером (1975—1978), м.н.с. (1978—1983), с.н.с. (1983—1989). В 1979 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата («Электрические свойства сильно легированного компенсированного германия»), в 1987 году — доктора физико-математических наук («Низкотемпературные электронные свойства неупорядоченных систем-компенсированных полупроводников в области перехода металл-диэлектрик»). С 1989 года заведует лабораторией «Неравновесные процессы в полупроводниках». С 2003 года до конца 2017 года занимал пост директора ФТИ. По состоянию на 2026 год является главным научным сотрудником^[1].

В мае 2008 года был избран членом-корреспондентом, а в октябре 2016 года — академиком Российской академии наук (РАН); в 2017—2022 годах входил в состав Президиума РАН. Главный редактор «Журнала технической физики»^[2] и входит в состав редакционной коллегии научного издания «Кристаллография»^[3].

С 1970-х годов работал в области физики неупорядоченных систем: занимался изучением их низкотемпературных свойств — проблемой эффекта переключения, затем — прыжковой проводимости и перехода металл-изолятор. В его работах была установлена, в частности, природа электронного эффекта переключения в компенсированных полупроводниках, доказано существование кулоновской щели в изоляторном состоянии вещества и то, что переход изолятор-металл в компенсированных полупроводниках носит характер фазового перехода II рода и сопровождается схлопыванием кулоновской щели.

В 1980-х годах участвовал (совместно с ГОИ) в разработке первых отечественных глубокоохлаждаемых болометров, развил направление диагностики сверхпроводящих материалов на основе исследования эффектов магнитозависимого субмиллиметрового поглощения.

В 1980—1990-е годы предложил и развил метод спектроскопии электронных состояний в германии на основе исследования кинетики его нейтронного легирования, обусловленной реакцией захвата орбитального электрона ⁷¹Ge-⁷¹Ga; метод затем был использован как в полупроводниковой, так и в ядерно-физической областях.

В 2004 году организовал в ФТИ и возглавил направление, связанное с разработкой микро- и нанотехнологий для водородной энергетики^[4].

Инициировал создание Центра исследования солнечной энергии и руководил проектом по развитию солнечной энергетики на основе кремниевых гетероструктур^[5][6]. В 2015 году по его инициативе было создано междисциплинарное направление «Физика — наукам о жизни», объединившее физиков, биологов и медиков^[5][7]. Также поддерживал участие института в международных проектах, таких как термоядерный реактор ITER и модернизация сферического токамака «Глобус-М»^[7].

Автор и соавтор более 180 научных трудов.

Руководит научной школой в ФТИ РАН. С 1993 года работал по совместительству профессором кафедры экспериментальной физики СПбГПУ, читал общий курс физики, организовал учебный семинар по этому курсу. Имеет звание почётного профессора СПбГПУ^[8][9]. В 2005 году основал кафедру физики и современных технологий твердотельной электроники в СПбГЭТУ^[8][9].

Член диссертационного совета при СПбГПУ. Подготовил 3 кандидатов наук. Член Президиума СПбНЦ РАН.

• знак «Изобретатель СССР» (1986);
• Премия Совета Министров СССР в составе авторского коллектива за разработку и внедрение преобразователей криогенных температур (1988);
• премия Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2022 году, номинация физика и астрономия — премия имени А. Ф. Иоффе. «За фундаментальные и прикладные исследования по физике конденсированных среди физическому материаловедению». Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 20.05.2022 № 434;

• Орден Дружбы (2024) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук^[10].

• Забродский А. Г., Зиновьева К. Н., Низкотемпературная проводимость и переход металл-диэлектрик в компенсированном n-Ge // ЖЭТФ. 1984. Т. 86, № 2. С. 727—742.
• Забродский А. Г., Алексеенко М. В., Исследование кинетики нейтронного легирования германия: характеристики материалаи определение ядерно-физических постоянных // ФТП. 1969. Т. 275 № 11/12. С. 2033—2054.
• Zabrodskii A.G., Andreev A.G., Anomalously narrow (multielectron) Coulomb gap // In: 22-nd Intern. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, Canada, 1994, MoPo42.