АссистентНовый вопросИсторияОбласти знаний
Партнёрские проектыСпецпроектыСтать автором
Сменить язык
О РУВИКИ

Кведер, Виталий Владимирович

Вита́лий Влади́мирович Кве́дер (род. 3 октября 1949, Чкалов, СССР) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1986)[2], член-корреспондент РАН (2006), академик РАН (2019)[3], член Президиума РАН[4].

Директор ИФТТ РАН (2002—2017), научный руководитель ИФТТ РАН (с 2018), академик-секретарь Отделения физических наук (с 2022), член ряда комиссий, советов и иных авторитетных органов РАН[5].

Что важно знать
Виталий Владимирович Кве́дер
Дата рождения 3 октября 1949(1949-10-03) (76 лет)
Место рождения Чкалов, СССР
Страна  СССР →  Россия
Научная сфера физика полупроводников
Место работы Институт физики твёрдого тела РАН
Образование
Учёная степень доктор физико-математических наук (1986)
Учёное звание академик РАН (2019)
Награды и премии Орден «За заслуги перед Отечеством» 2-й степени

Биография

В 1972 году окончил факультет общей и прикладной физики МФТИ[3].

С 1972 года — стажёр-исследователь, аспирант, научный сотрудник, старший научный сотрудник, ведущий научный сотрудник Института физики твёрдого тела РАН (ИФТТ РАН)[3].

С 1989 года — заведующий Лабораторией спектроскопии дефектных структур ИФТТ РАН[5].

С 2002 по 2017 годы — директор ИФТТ РАН, с 2018 года — научный руководитель и главный научный сотрудник ИФТТ РАН[5].

Являлся членом Совета по нанотехнологиям Российской академии наук, вице-президентом Международного союза фундаментальной и прикладной физики[6], а также координатором программы РАН «Физика новых материалов и структур»[7], координатором секции физики и наук о космосе Экспертного совета Российского научного фонда, заместителем председателя Научного центра РАН в Черноголовке[5].

В ноябре 2022 года избран на должность академика-секретаря Отделения физических наук РАН. Председатель Совета по физике конденсированных сред РАН. Член Секции общей физики и астрономии[5].

С 3 мая 2023 года — член Экспертного совета РАН, с 27 июня того же года — член Совета РАН по космосу[5].

Член Комиссии РАН по золотым медалям и премиям имени выдающихся учёных, присуждаемым РАН. Научный руководитель Института физики твёрдого тела Российской академии наук[5].

Согласно Указу Президента Российской Федерации № 91 от 05. 02. 2024 «За большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук» награждён медалью ордена «За заслуги перед отечеством» II степени[8].

По состоянию на 2025 год входит в состав редакционной коллегии научного издания «Кристаллография».

По состоянию на 2025 год входит в состав редакционного совета научного издания «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования».

Научный вклад

Областью исследований Кведера стала физика полупроводников. Он был пионером в изучении электронных свойств дислокаций и других многомерных дефектов решётки в полупроводниках. Внёс значительный вклад в разработку физики дефектов и инженерии дефектов в кристаллическом кремнии, что приобрело большое практическое значение для фотоэлектрической энергетики[5].

Он также сыграл ведущую роль в исследовании фуллеренов, обнаружил и исследовал одномерный вариант эффекта Рашбы и показал, что этот эффект является эффективным инструментом для изучения электронных состояний протяжённых дефектов в полупроводниках и других наноразмерных системах[5].

Кведер исследовал процессы рекомбинации электронов и дырок на дислокациях, включая спин-зависимые процессы, а также взаимодействие примесных атомов с дислокациями в кремнии и их влияние на электронные свойства дислокаций[5].

Является соавтором многих публикаций.

Общественная деятельность

В 2010 году входил в Комиссию РАН по проведению экспертизы работ предпринимателя Виктора Петрика, предложившего со ссылками на напоминающие научные доводы ряд технологий (в том числе для широкого использования населением для очистки воды). В целом ряде случаев Комиссия не подтвердила утверждения Петрика, указав на грубые ошибки в их научном объяснении и обосновании, в других (как предложение об использовании наноматериалов для фильтров воды) указала не только на бесполезность, но и на заметную опасность применения этой технологии для здоровья населения[9].

Научные публикации

  • Петухова Э. А., Хартон В. В., Кведер В. В. «Эффекты памяти и нелинейная электропроводность легированного перовскитоподобного ферритов лантана-стронция La0.5Sr0.5Fe0.75Al0.2Ni0.05O3-δ», ФТТ — 2023 — Vol. 1, Iss. P. 63, DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53924.475
  • Пономарев Д. С., Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А., Гончаров Ю. Г., Спектор И. Е., Курлов В. Н., Кведер В. В., Зайцев К. И. «Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации», УФН — 2024 — Vol.194, P.2, DOI: 10.3367/UFNe.2023.07.039503
  • Khorosheva M. Impact of iron atoms on electronic properties of FZ n-Si with dislocations / Khorosheva М., Kveder V., Tereshchenko A. Physica B. — 2019. — Vol. 570. — P. 274—279.
  • Kveder V. Interaction of Chromium Atoms with Dislocations and as-Grown Vacancy Complexes and its Impact on the Electronic Properties of FZ-Si V. / Kveder M. Khorosheva Physica Status Solidi B. — 2019. — Vol. 256, Iss. 8. — P. 1900013.
  • Kveder V. Concerning vacancy defects generated by moving dislocations in Si / Kveder V., Khorosheva M. Seibt Materials Today: Proceedings. — 2018. — Vol. 5, Iss. 6(3). — P. 14757. — DOI:10.1016/j.matpr.2018.03.065
  • Aristov V. Yu., Molodtsova O. V., Kveder V. V., Laubschat C., Zhilin V. M., Aristova I. M., Knupfer M. Properties of hybrid organic-inorganic systems: Au nanoparticles embedded into an organic CuPc matrix Applied physics letters — 2010 — Vol. 97, P. 113103, DOI: 10.1063/1.3488809
  • Seibt M., Abdelbarey D., Kveder V., Rudolf C., Saring P., Stolze L. O. Voss Interaction of metal impurities with extended defects in crystalline silicon and its implications for gettering techniques used in photovoltaics Materials Science and Engineering B — 2009 — Vol. 159—160, P. 264, DOI: 10.1016/j.mseb.2008.12.044
  • Abdelbarey D., Kveder V., Seibt M. Platinum and gold diffusion monitor vacancy profiles induced into silicon wafers by aluminum alloying, Physica status solidi a-applications and materials science — 2013 — Vol. 210, Iss. 4, P.771, DOI: 10.1002/pssa.201300020
  • Khorosheva M. A., Kveder, V. V. and Seibt M. On the nature of defects produced by motion of dislocations in silicon, Physica status solidi a-applications and materials science, — 2015 —Vol. 212 (8), P.1695, DOI: 10.1002/pssa.201532153
  • Sinitsyn V. V., Redkin B. S., Kiselev A. P., Shmurak S. Z., Kolesnikov N. N., Kveder V. V., Ponyatovsky E. G. "White" phosphor on the basis of Gd2(MoO4)3: Tm,Tb,Eu single crystal, Solid state sciences — 2015 — Vol. 46, P.80, DOI: 10.1016/j.solidstatesciences.2015.06.006
  • Abdelbarey D., Kveder V., Seibt M. Light-induced point defect reactions of residual iron in crystalline silicon after aluminum gettering, Journal of applied physics — 2010 — Vol. 108, Iss. 4 DOI: 10.1063/1.3474658
  • Khorosheva M. A., Orlov V. I., Kveder V. V., Determination of the nonequilibrium concentration of vacancies in silicon crystals by measuring the concentration of nickel atoms at lattice sites, Journal of experimental and theoretical physics — 2010 — Vol. 110, Iss.5, P. 769, DOI: 10.1134/S1063776110050067
  • Seibt M., Khalil R., Schroeter W., Kveder V. Electronic states at dislocations and metal silicide precipitates in crystalline silicon and their role in solar cell materials, Applied Physics — 2009 — Vol. A 96, P.235, DOI: 10.1007/s00339-008-5027-8
  • Abdelbarey D., Kveder V., Seibt M. Aluminum gettering of iron in silicon as a problem of the ternary phase diagram, Applied physics letters — 2009 — Vol. 94, Iss. 6, 061912, DOI: 10.1063/1.3080666
  • Kveder V. and Kittler M. Dislocations in Silicon and D-Band Luminescence for Infrared Light Emitters, Advances in light emitting materials — 2008 — Vol. 590, P. 29, DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.590.29
  • Seibt M., Sattler A., Kveder V., Schröter W. Gettering in silicon photovoltaics: current state and future perspectives, Physica status solidi a-applications and materials science — 2006 — Vol. 203, Iss. 4, P. 696, DOI: 10.1002/pssa.200664516
  • Seibt M., Kveder V. Gettering Processes and the Role of  Extended Defects, 2012, https://doi.org/10.1002/9781118312193.ch4
  • Kveder V., Badylevich V. M., Izotov A. Silicon light-emitting diodes based on dislocation-related luminescence, Physica status solidi a-applications and materials science — 2005 — Vol. 202I, P. 901, DOI: 10.1002/pssa.200460512
  • Badylevich M. V., Kveder V. V., Ossipyan Y. A. Spin-resonant change of unlocking stress for dislocations in silicon, Physica status solidi — 2005 — Vol. 2, Iss. 6, P. 1869, DOI: 10.1002/pssc.200460534
  • Kveder V., Badylevich M., Schröter. W. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence, Applied physics letters — 2004 — Vol. 84, Iss. 2, P. 2106, DOI: 10.1063/1.1689402
  • Kveder V., Kittler M., Schröter. W Recombination activity of contaminated dislocations in silicon: A electron-beam-induced current contrast behavior: art. no. 115208, Physical review b — 2001 — Vol. 63, Iss. 11, DOI: 10.1103/PhysRevB.63.115208
  • Sekiguchi T., Kveder V. V., Sumino K. Hydrogen effect on the optical-activity of dislocations in silicon introduced at room-temperature, journal of applied physics — 1994 — Vol. 76, Iss. 12, P. 7882, DOI: 10.1063/1.357898
  • Kveder V. V., Steinman E. A., Grimmeiss H. G. dislocation-related electroluminescence at room-temperature in plastically deformed silicon, physical review b — 1995 — Vol. 51, Iss. 16, P. 10520, DOI: 10.1103/PhysRevB.51.10520
  • Bredikhin S., Kveder V., Scharner S., Weppner W. Nonstoichiometry and electrocoloration due to injection of Li+ and O2-ions into lithium niobate crystals, Journal of applied physics, — 2000 — Vol. 88, Iss. 10, P. 5687, DOI: 10.1063/1.1318367
  • Kveder V., Schröter W., Seibt M. Simulation of Al and phosphorus diffusion gettering in Si, Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology — 2000 — Vol. 71, P. 175, DOI: 10.1016/S0921-5107(99)00370-0
  • Kveder V., Sekiguchi T., Sumino K. Electronic states associated with dislocations in p-type silicon studied by means of electric-dipole spin-resonance and deep-level-transient spectroscopy, physical review b — 1995 — Vol. 51, Iss. 23, P. 16721, DOI: 10.1103/PhysRevB.51.16721
  • Kveder V. V., Kravchenko V. Y., Shalynin A. I. Combined resonance at dislocations in silicon, jetp letters — 1986 — Vol. 43, Iss. 4, P. 255
  • Badylevich M. V., Iunin Yu. L., Kveder V. V., Orlov V. I. & Yu. A. Osip’yan Effect of a magnetic field on the starting stress and mobility of individual dislocations in silicon, Journal of experimental and theoretical physics — 2003 — Vol. 97, Iss. 3, P. 601, DOI: 10.1134/1.1618345
  • Kveder V. V., Shteinman É. A., Osip'yan Y. A. Magnetic properties of crystals of the molecular complex between fullerene C60 and an organic donor 9,9′-trans-bis(telluraxanthenyl), JETP LETTERS — 2001 — Vol. 74, Iss. 8, P. 422, DOI: 10.1134/1.1429999
  • Bredikhin S., Kveder V., Shalynin A., Nikolaev R. & Ossipyan Yu. Pecularity of Lithium Electrodiffusion into Fulleride Single Crystals, IONICS — 2000 — Vol. 6, Iss. 3, P. 187, DOI: 10.1007/BF02374065
  • Agarkov D. A. A new approach for in-situ Raman spectroscopy studies of the SOFC interfaces under operation conditions / Agarkov D. A., Burmistrov I. N., Tsybrov F. M., Tartakovskii I. I., Kharton V. V., Kveder V. V., Bredikhin S. I. 16 Asian SOFC Symposium: proceedings. — 2016.
  • Molodtsova O. 3-D hybrid organic-inorganic structures: CuPc matrix with metallic nanoparticles / Molodtsova O., Aristova I., Vilkov O., Pietzsch A., Tchaplyguine M., Babenkov S., Kveder V., Aristov A. European XFEL Users' Meeting, DESY Photon Science Users' Meeting: proceedings — 2015 — P. 239.
  • Kveder V., Khorosheva М., Seibt M. Interplay of Ni and Au atoms with dislocations and vacancy defects generated by moving dislocations in Si / Solid State Phenomena — 2016. — Vol. 242. — P. 147—154, DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.242.147
  • Timonina A. V., Borisenko D. N., Kveder V. V., Kolesnikov N. N., Brantov S. K. Russian Hydrogen sorption by carbon nanomaterials Microelectronics. — 2011 — Vol. 40, Iss. 4, — P. 595—601, DOI: 10.1134/S1063739711080191
  • Кведер В. В. Инженерия дефектов в поликристаллическом кремнии для солнечной энергетики / Кведер В. В. Школа молодых ученых «Современные аспекты высокоэффективных топливных элементов и энергоустановок на их основе» — 2017, DOI: 10.5072/ISSP.2017.1.8080, http://www.issp.ac.ru/sofc-school2017/dir/Kveder.pdf

Диссертации

  • Кведер В. В. Исследование дислокаций в кремнии методом ЭПР и высокочастотной проводимости: диссертация … кандидата физико-математических наук: 01. 04. 07. — Москва, 1977. — 135 с.: ил.
  • Кведер В. В. Спинозависимые электронные свойства дислокаций в кремнии: диссертация … доктора физико-математических наук: 01. 04. 07. — Черноголовка, 1986. — 310 с.

Примечания

Ссылки