Акасаки, Исаму

Родился и вырос в префектуре Кагосима, где во время войны его дом был разрушен, а сам он едва не погиб в результате налёта американской авиации. В 1952 году окончил Киотский университет и некоторое время работал в компании «Kobe Kogyo Co.» (сейчас «Denso Ten»). С 1959 года занимался исследовательской работой в области электроники в Нагойском университете и в 1964 году получил степень доктора технических наук. Затем работал в компании «Matsushita Electric Industrial», где возглавлял лабораторию фундаментальных исследований и отделение по исследованию полупроводников. С 1981 года профессор факультета электроники Нагойского университета.^[2][3]. С 1992 года работал в Университете Мэйдзё, где с 1996 года был директором центра по исследованию нитридных полупроводников. В 2004 году Нагойский университет присвоил ему звание почётного профессора; в 2006 году здесь открылся названный в его честь Институт Акасаки. С 2004 года являлся особым профессором Нагойского университета, а с 2011 года — директором Научно-исследовательского центра базовых технологий нитридных полупроводников в Университете Мэйдзё^[4]. Скончался 1 апреля 2021 года в возрасте 92 лет от пневмонии в одной из больниц Нагои^[5].

С 1973 года проводил полномасштабные исследования, направленные на создание синих полупроводниковых светодиодов. Технология создания красных и зелёных светодиодов была к тому времени разработана. Проблемой было получение нужных полупроводниковых кристаллов хорошего качества; самыми популярными кандидатами были нитрид галлия и селенид цинка, однако последний отличался не очень высокой стабильностью. В 1985 году Акасаки с сотрудниками достиг успеха, предложив выращивать кристаллы нитрида галлия на подложке из сапфира, покрытой буферным слоем нитрида алюминия. В 1989 году они показали, что легирование атомами магния превращает кристалл нитрида галлия в полупроводник p-типа, способный давать гораздо более интенсивное свечение. На этой основе в начале 1990-х годов были созданы первые синие светодиоды^[2].

• 1991 — Премия газеты «Тюнити»
• 1995 — Золотая медаль Генриха Велкера
• 1996 — Медаль с Пурпурной Лентой
• 1998 — Премия Ранка
• 1998 — C&C Prize
• 1999 — Медаль Гордона Мура
• 1999 — Toray Science and Technology Prize
• 2000 — Премия Асахи
• 2002 — Орден Восходящего солнца
• 2002 — Премия Фудзивары
• 2004 — Заслуженный деятель культуры
• 2008 — Иностранный член Национальной инженерной академии США^[6]
• 2009 — Премия Киото по передовым технологиям
• 2011 — Орден Культуры
• 2011 — Медаль Эдисона^[7]
• 2014 — Императорская премия Японской академии наук
• 2014 — Нобелевская премия по физике совместно с Хироси Амано и Сюдзи Накамурой^[8].
• 2015 — Премия Чарльза Старка Дрейпера (в числе награждённых также Сюдзи Накамура и Ник Холоньяк).
• 2021 — Премия королевы Елизаветы II в области инженерного дела (совместно с Сюдзи Накамурой, Ником Холоньяком-младшим, М. Джорджем Крафордом и Расселом Дюпюи) «за создание и развитие светодиодного освещения»^[9]

Международная конференция по нитридным полупроводникам (ICNS) учредила «Мемориальную премию и лекцию Исаму Акасаки» (англ. The Isamu Akasaki Memorial award and lecture). Награда присуждается за выдающийся вклад в исследования, разработку и применение полупроводников на основе нитридов III группы. Премия включает в себя сертификат и денежный приз в размере 10 000 долларов США. Первым лауреатом в 2025 году стал профессор Асиф Хан.