Технологический институт Джорджии

Идея создания высшей технологической школы в Джорджии возникла в 1865 году в период Реконструкции Юга. Два бывших офицера Конфедеративных Штатов Америки — майор Джон Флетчер Хэнсон (промышленник) и политик Натаниэль Эдвин Харрис, ставшие после Гражданской войны в США стали известными гражданами в городе Мейкон, штат Джорджия, решили, что Юг страны нуждается в улучшении своих технологий, чтобы конкурировать с промышленной революцией, которая происходила на Севере. Для этого крайне необходимо было наличие технологического учебного заведения, чтобы сделать рывок в этом аграрном регионе США.^[4][5]

В 1882 году Законодательное собрание штата Джорджия разрешило комитету во главе с Натаниэлем Харрисом посетить северо-восток США, чтобы воочию увидеть, как функционируют технологические школы. На них произвели впечатление модели политехнического образования, разработанные и применяемые в Массачусетском технологическом институте и в Worcester County Free Institute of Industrial Science (ныне Вустерский политехнический институт).

13 октября 1885 года губернатор Джорджии Генри Макдэниел подписал закон о создании и финансировании новой высшей школы. В 1887 году американский пионер из Атланты Ричард Питерс пожертвовал государству участок земли площадью в 1,6 гектара из его Питерс-парка. В то время эта земля находилась недалеко от северной границы города Атланта.

Осенью 1888 года открылась Технологическая школа Джорджии, располагавшаяся в двух зданиях. В одном здании (ныне Tech Tower) были классы для обучения студентов; во втором располагались технические мастерские, котельная и машинное отделение. 20 октября 1905 года президент США Теодор Рузвельт посетил это учебное заведение Джорджии и на ступенях Tech Tower произнес речь о важности технологического образования, после чего он обменялся рукопожатием с каждым из студентов.^[6]

В 1912 году начала проводить занятия Вечерняя коммерческая школа Технологического института Джорджии (Georgia Tech’s Evening School of Commerce). В 1917 году это учебное заведение школа приняла свою первую ученицу, хотя законодательный орган штата официально не разрешал посещение женщинами вузов до 1920 года. Энни Уайз стала первой женщиной-выпускницей в 1919 году, а в следующем году первой женщиной-преподавателем Технологического института Джорджии. Коммерческая школа позже отделилась от Технологического института и в конечном итоге стала Университетом штата Джорджия.

Технологическая школа Джорджии, получил свое нынешнее Технологический институт Джорджии в 1948 году. В отличие от большинства технологических университетов США, институт Джорджии является государственным учреждением. В 1968 году женщины могли поступать на все программы Технологического института, а первое женское общежитие — Fulmer Hall, открылось в 1969 году. Весной 2009 года женщины составляли 30,3% студентов и 25,3% аспирантов университета^[7].

В 2025 году в журнале Journal of the American Chemical Society появилась статья, в которой международная команда учёных заявила о создании самой проводящей органической молекулы в мире. Работу возглавил Кун Ван, физик из Университета Майами, при участии аспирантов и коллег из Технологического института Джорджии и Рочестерского университета. Исследование стало значимым шагом в области молекулярной электроники — направления, которое изучает возможность создания электронных компонентов на основе отдельных молекул. Как правило, все электронные устройства построены на кремниевых чипах. Однако размер таких компонентов близок к физическому пределу: электронику трудно дальше миниатюризировать, не теряя в производительности^[8].

В состав института входит 6 колледжей^[1]:

• Колледж архитектуры (College of Architecture)
• Колледж менеджмента (College of Management)
• Колледж гуманитарных наук (College of Liberal Arts)
• Колледж компьютерных наук (College of Computing)
• Инженерный колледж (College of Engineering)
• Колледж естественных наук (College of Sciences)

Часть научной работы ведется в специализированных исследовательских центрах и лабораториях института:

• Центр робототехники и интеллектуальных машин (англ.)
• Лаборатория нейроинжиниринга^[9]
• Центр нанотехнологических исследований в Маркусе (англ.)
• Центр вспомогательных технологий и экологического доступа (англ.)
• Ядерный исследовательский центр им. Нили (англ.)
• Технологический исследовательский институт Джорджии (англ.)

• 1888—1896 − Isaac S. Hopkins
• 1896—1906 − Lyman Hall
• 1906—1922 − Кеннет Мэтисон
• 1922—1944 − Марион Бриттен
• 1944—1956 − Блейк ван Леер
• 1957—1968 − Эдвин Харрисон
• 1969—1971 − Артур Хансен
• 1972—1986 − Джозеф Петтит
• 1987—1992 − Джон Кресин
• 1994—2008 − Джеральд Клаф
• 2009—2019 − Джордж Петерсон
• 2020—наст. время − Анхель Кабрера

В числе многих известных выпускников университета были:

• Джимми Картер — 39-й президент США и нобелевский лауреат.
• Кэри Муллис — нобелевский лауреат (1993).
• Mike Duke — один из руководителей сети Wal-Mart.
• James D. Robinson III — один из руководителей American Express и The Coca-Cola Company.
• Ричард Трули — астронавт и директор НАСА.
• Chaim Gingold и Mike Pinkerton — члены команд разработчиков Spore и Mozilla.
• Джон Янг — девятый астронавт, ступивший на поверхность Луны.
• Крис Бош — игрок НБА.
• Деррик Фэйворс — игрок НБА.
• Хуан Карлос Варела Родригес — президент Панамы.
• Мотеюнас, Йонас — американский и литовский легкоатлет, специалист по бегу на короткие дистанции.