Эне́ргия сродства́ к электро́ну, или сродство к электрону — энергия, выделяющаяся или поглощающаяся в процессе присоединения электрона к атому, молекуле или многоатомной системе.
Зависимость сродства к электрону атома от атомного номера элемента (экзоэнергетический эффект указан со знаком минус, эндоэнергетический эффект со знаком плюс)
Зависимость модуля энергии сродства к электрону (эВ) от атомного номера
В химии и атомной физике, под объектом, к которому будет присоединяться электрон, подразумевается свободный атом в его основном состоянии или молекула, превращающиеся при этом в отрицательный ион A−:
Здесь — энергия сродства к электрону.
Так понимаемое cродство к электрону численно равно и противоположно по знаку энергии ионизации соответствующего изолированного однозарядного аниона. Оно выражается в килоджоулях на моль (кДж/моль) или в электрон-вольтах на атом (эВ/атом).
В отличие от ионизационного потенциала атома, имеющего всегда эндоэнергетическое значение, сродство атома к электрону описывается как экзоэнергетическими, так и эндоэнергетическими значениями.
Таблица 1 Энергия сродства некоторых атомов к электрону, эВ
Сродство к электрону определяет окислительную способность частицы. Молекулы с большим сродством к электрону являются сильными окислителями. Наибольшим сродством к электрону обладают элементы 1 и 7 группы (p-элементы VII группы). Наименьшее сродство к электрону у атомов с конфигурацией s2 (Be, Mg, Zn) и s2p6 (Ne, Ar) или с наполовину заполненными p-орбиталями (N, P, As):
Это расстояние равно энергии, выделяющейся при перемещении электрона из вакуума (уровень энергии ) в среду, с попаданием данного электрона по энергии на дно зоны проводимости.
В таком случае объектом, принимающим электрон, становится не отдельный атом или молекула, а толща материала. Для энергии сродства к электрону в физике твёрдого тела используется обозначение или (от англ.electron affinity) а в качестве единицы измерения обычно используется электрон-вольт:
Численные значения величины существенно отличаются от значений для отдельных атомов того же вещества. Например, сродство к электрону к кремниевому кристаллу составляет 4,05 эВ, а к изолированному атома кремния 1,39 эВ/атом.
Наряду со сродством к электрону при изучении полупроводниковых структур используется понятие работы выхода равная разности между уровнем вакуума и энергией Ферми вблизи поверхности рассматриваемого материала. При этом, если практически не зависит от концентрации легирующих примесей и наличия внешнего напряжения, то может варьироваться. Такое варьирование обусловлено изменением положения по отношению к краям энергетических зон , зависящее от например, степени легирования.