Электрическая ёмкость

Для одиночного проводника ёмкость равна отношению заряда проводника к его потенциалу в предположении, что все другие проводники бесконечно удалены и что потенциал бесконечно удалённой точки принят равным нулю. В математической форме данное определение имеет вид

${\displaystyle C={\frac {Q}{\varphi }}}$,

где ${\displaystyle Q}$ — заряд, ${\displaystyle \varphi }$ — потенциал проводника. К примеру, ёмкость проводящего шара (или сферы) радиуса ${\displaystyle R}$ равна (в системе СИ):

${\displaystyle C=4\pi \varepsilon _{0}\varepsilon _{r}R,}$

где ${\displaystyle \varepsilon _{0}}$ — электрическая постоянная (8,854⋅10⁻¹² Ф/м), ${\displaystyle \varepsilon _{r}}$ — относительная диэлектрическая проницаемость.

Для системы из двух проводников, разделённых диэлектриком или вакуумом и обладающих равными по числу, но противоположными по знаку зарядами ${\displaystyle \pm Q}$, ёмкость (взаимная ёмкость) определяется как отношение величины заряда к разности потенциалов проводников. Если принять потенциал одного из проводников за нуль, формула ${\displaystyle C=Q/\varphi }$ останется в силе и для этого случая.

Дискретный элемент электрической цепи на базе вышеописанной системы, обладающий значительной ёмкостью, называется конденсатором. Два проводника при этом именуются обкладками. Для плоского конденсатора ёмкость равна:

${\displaystyle C=\varepsilon _{0}\varepsilon _{r}{\frac {S}{d}}}$,

где ${\displaystyle S}$ — площадь обкладки (подразумевается, что обкладки одинаковы), ${\displaystyle d}$ — расстояние между обкладками.

Электрическая энергия, запасённая конденсатором, составляет

${\displaystyle W={\frac {CU^{2}}{2}}}$,

где ${\displaystyle U}$ — напряжение между обкладками.

Ёмкость принято обозначать большой латинской буквой ${\displaystyle C}$ (от англ. capacitance — ёмкость, вместимость).

В системе единиц СИ ёмкость выражается в фарадах, сокращённо «Ф». Проводник обладает ёмкостью в один фарад, если при величине потенциала его поверхности один вольт этот проводник несёт заряд в один кулон. Один фарад — очень большая ёмкость, реальные проводники обладают ёмкостью порядка нано- или микрофарад. Название «Фарад» появилось в честь М. Фарадея.

Единицей измерения ёмкости в системе СГС выступает сантиметр. Соотношение: 1 см ёмкости ≈ 1,1126 пФ; 1 Ф = 8,988×10¹¹ см ёмкости.

• Ёмкость всегда положительна^[2], за исключением случаев некоторых структур с сегнетоэлектриками.
• Ёмкость зависит только от геометрических размеров проводника и диэлектрических свойств среды (для конденсатора — заполняющего его материала изолятора).
• Ёмкость опосредованно зависит от температуры и частоты сигнала (через зависимость проницаемости среды ${\displaystyle \varepsilon _{r}}$ от соответствующих величин).
• В случае среды с постоянными значениями ${\displaystyle \varepsilon _{r}}$ ёмкость является константой, но в случае нелинейной среды, когда ${\displaystyle \varepsilon _{r}}$ зависит от напряжённости электрического поля, ёмкость будет изменяться с напряжением.
• Применительно к цепи синусоидального тока с частотой ${\displaystyle \omega }$, элементу «ёмкость» может быть приписано реактивное сопротивление ${\displaystyle X_{C}=\omega ^{-1}C^{-1}}$.
• Напряжение на ёмкости не может изменяться скачком^[3].

Дифференциальной (малосигнальной) ёмкостью называется производная от заряда проводника по потенциалу

${\displaystyle C_{diff}={\frac {dQ}{d\varphi }}\approx {\frac {\Delta Q}{\Delta \varphi }}}$,

которая определяется для выбранных условий ${\displaystyle \varphi =\varphi _{0}}$. Эта величина характеризует реакцию проводника на малое изменение потенциала. Если зависимость заряда от потенциала линейна, то ${\displaystyle C_{diff}=C}$, но на практике встречаются и более сложные случаи.

Широкое распространение получили измерения так называемых вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник — зависимостей ${\displaystyle C_{diff}(\varphi )}$ при разных частотах ${\displaystyle \omega }$ изменения потенциала со временем ${\displaystyle t}$ по закону ${\displaystyle \varphi =\varphi _{0}+\Delta \varphi \,\sin(\omega t)}$. Такие измерения дают ценную информацию о качестве диэлектрика.

Вычисление электрической ёмкости системы требует решение Уравнения Лапласа ∇²φ = 0 с постоянным потенциалом φ на поверхности проводников. Это тривиально в случаях с высокой симметрией. Нет никакого решения в терминах элементарных функций в более сложных случаях.

В квазидвумерных случаях аналитические функции отображают одну ситуацию на другую, электрическая ёмкость не изменяется при таких отображениях. См. также Отображение Шварца — Кристоффеля.

Электрическая ёмкость простых систем (СГС)

Вид	Ёмкость	Комментарий
Плоский конденсатор	${\displaystyle {\frac {\varepsilon S}{4\pi d}}}$	S: Площадь d: Расстояние
Два коаксиальных цилиндра	${\displaystyle {\frac {\varepsilon l}{\log \left(R_{2}/R_{1}\right)}}}$	l : Длина R1: Радиус R${\displaystyle _{2}}$: Радиус
Две параллельные проволоки[4]	${\displaystyle {\frac {\varepsilon l}{4\operatorname {arcosh} \left({\frac {d}{2a}}\right)}}={\frac {\varepsilon l}{2\log \left({\frac {d}{2a}}+{\sqrt {{\frac {d^{2}}{4a^{2}}}-1}}\right)}}}$	a: Радиус d: Расстояние, d > 2a
Проволока параллельна стене[4]	${\displaystyle {\frac {\varepsilon l}{2\operatorname {arcosh} \left({\frac {d}{a}}\right)}}={\frac {\varepsilon l}{4\log \left({\frac {d}{a}}+{\sqrt {{\frac {d^{2}}{a^{2}}}-1}}\right)}}}$	a: Радиус d: Расстояние, d > a l: Длина
Две параллельные копланарные полосы[5]	${\displaystyle \varepsilon l{\frac {K\left({\sqrt {1-k^{2}}}\right)}{4\pi K\left(k\right)}}}$	d: Расстояние w1, w${\displaystyle _{2}}$: Ширина полос km: d/(2wm+d) k2: k1k2 K: Эллиптический интеграл l: Длина
Два концентрических шара	${\displaystyle {\frac {\varepsilon }{{\frac {1}{R_{1}}}-{\frac {1}{R_{2}}}}}}$	R1: Радиус R2: Радиус
Два шара одинакового радиуса[6][7]	${\displaystyle {\frac {\varepsilon a}{2}}\sum _{n=1}^{\infty }{\frac {\operatorname {sh} \left(\log \left(D+{\sqrt {D^{2}-1}}\right)\right)}{\operatorname {sh} \left(n\log \left(D+{\sqrt {D^{2}-1}}\right)\right)}}}$ ${\displaystyle {\frac {\varepsilon a}{2}}\left\{1+{\frac {1}{2D}}+{\frac {1}{4D^{2}}}+{\frac {1}{8D^{3}}}+{\frac {1}{8D^{4}}}+{\frac {3}{32D^{5}}}+O\left({\frac {1}{D^{6}}}\right)\right\}}$ ${\displaystyle ={\frac {\varepsilon a}{2}}\left\{\log 2+\gamma -{\frac {1}{2}}\log \left({\frac {d}{a}}-2\right)+O\left({\frac {d}{a}}-2\right)\right\}}$	a : Радиус d: Расстояние, d > 2a D = d/2a γ: Постоянная Эйлера
Шар вблизи стены[6]	${\displaystyle \varepsilon a\sum _{n=1}^{\infty }{\frac {\operatorname {sh} \left(\ln \left(2D+{\sqrt {D^{2}-1}}\right)\right)}{\operatorname {sh} \left(n\ln \left(2D+{\sqrt {D^{2}-1}}\right)\right)}}}$	a: Радиус d: Расстояние, d > a D = d/a
Шар	${\displaystyle \varepsilon a}$	a: Радиус
Круглый диск[8]	${\displaystyle {\frac {2\varepsilon a}{\pi }}}$	a : Радиус
Тонкая прямая проволока, ограниченная длина[9][10][11]	${\displaystyle {\frac {\varepsilon l}{2\Lambda }}\left\{1+{\frac {1}{\Lambda }}\left(1-\ln 2\right)+{\frac {1}{\Lambda ^{2}}}\left[1+\left(1-\ln 2\right)^{2}-{\frac {\pi ^{2}}{12}}\right]+O\left({\frac {1}{\Lambda ^{3}}}\right)\right\}}$	a: Радиус проволоки l: Длина Λ: ln(l/a)

Величина обратная ёмкости называется эластанс (эластичность). Единицей эластичности является дараф (daraf), но он не определён в системе физических единиц измерений СИ^[12].