АссистентНовый вопросИсторияОбласти знаний
Партнёрские проектыСпецпроектыСтать автором
Сменить язык
О РУВИКИ

Полупроводниковая память

Полупроводнико́вая па́мять (англ. semiconductor memory) — это цифровое электронное полупроводниковое устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, компьютерная память. Обычно под этим понимаются устройства, в которых данные хранятся в ячейках памяти МОП-транзистора на кремниевой интегральной микросхеме памяти[1][2].  

Существует множество типов устройств, использующих различные полупроводниковые технологии.

Два основных типа оперативной памяти (ОЗУ) — запоминающие устройства с произвольным доступом:

Энергонезависимая память (например, EPROM , EEPROM и флэш-память) использует ячейки памяти с плавающим затвором , которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа[3], что означает, что время доступа к любой ячейке памяти одинаково, и данные могут эффективно считываться в любом произвольном порядке[4].

Это отличается от носителей данных, таких как компакт-диски (CD), которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным возможен только в той же последовательности, в которой они были записаны.

Полупроводниковая память также имеет значительно более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или считан из полупроводниковой памяти за несколько наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся носителям, таким как жесткие диски, измеряется миллисекундами. По этим причинам она используется в качестве первичного хранилища для хранения программ и данных, с которыми в данный момент работает компьютер, а также для других целей.

Сдвигающие регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, не имеющие механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.

Полупроводниковая память является основополагающим и важным сегментом рынка полупроводников, микросхемы памяти необходимы практически во всех электронных продуктах. Статистические данные по объёмам продаж устройств полупроводниковой памяти из года в год составляют около 30 % всей полупроводниковой промышленности[5][6].

Описание

Основная статья: Компьютерная память

В микросхеме полупроводниковой памяти каждый бит двоичных данных хранится в крошечной схеме, называемой ячейкой памяти, состоящей из одного или нескольких транзисторов. Ячейки памяти расположены в прямоугольных массивах на поверхности микросхемы. Однобитные ячейки памяти объединены в небольшие блоки, называемые словами, к которым осуществляется доступ как к единому адресу памяти. Память изготавливается с длиной слова, которая обычно является степенью двойки, как правило, N = 1, 2, 4 или 8 бит.

Доступ к данным осуществляется с помощью двоичного числа, называемого адресом памяти, подаваемого на адресные выводы микросхемы, которое указывает, к какому слову микросхемы необходимо получить доступ. Если адрес памяти состоит из M бит, количество адресов на чипе составляет 2 M, каждый из которых содержит слово длиной N бит. Следовательно, количество данных, хранящихся в каждом чипе, составляет N*2 M бит[4].

Ёмкость памяти при количестве адресных линий M определяется как 2 M, что обычно является степенью двойки: 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 и 512 и измеряется в килобитах, мегабитах, гигабитах или терабитах и ​​т. д. Объединяя несколько интегральных схем, можно организовать память с бо́льшей длиной слова и/или адресным пространством, чем предлагаемая каждой отдельной микросхемой (зачастую, но не обязательно, являющейся степенью двойки)[4].

Крупнейшие полупроводниковые микросхемы памяти имеют объёмы в несколько десятков гигабит данных, но постоянно разрабатываются более ёмкие запоминающие устройства. Например, в 2024 году начали производить чипы DRAM планарной памяти DDR5 ёмкостью 32 Гбит, что позволяет создавать модули памяти объёмом до 128, 256 и 512 ГБ[7].

Две основные операции, выполняемые микросхемой памяти, это «чтение», при котором содержимое слова памяти считывается (без разрушения данных), и «запись», при которой данные записываются в слово памяти, заменяя любые ранее сохранённые там данные. Для увеличения скорости передачи данных в некоторых из последних типов микросхем памяти, таких как DDR SDRAM, при каждой операции чтения или записи осуществляется доступ к нескольким словам.

Помимо отдельных микросхем памяти, блоки полупроводниковой памяти являются неотъемлемой частью многих интегральных схем для компьютеров и обработки данных. Например, микропроцессорные микросхемы, управляющие работой компьютеров, содержат кэш-память для хранения инструкций, ожидающих выполнения.

Типы памяти

Энергозависимая память

undefined

Энергозависимая память теряет сохранённые данные при отключении питания микросхемы памяти. Но в сравнении с энергонезависимой памятью она имеет преимущества в более высоком быстродействии и ме́ньшей стоимости. Этот тип используется в качестве основной памяти в большинстве компьютеров, поскольку данные сохраняются на жёстком диске во время выключения компьютера. Основные типы[8][9]:

RAM (запоминающее устройство с произвольным доступом) — это стало общим термином для обозначения любой полупроводниковой памяти, в которой можно как записывать, так и считывать данные, в отличие от ROM, в которой можно только считывать. Вся полупроводниковая память, а не только RAM, обладает свойством произвольного доступа.

  • DRAM (динамическая память с произвольным доступом) — для хранения каждого бита используются ячейки памяти, состоящие из одного МОП-транзистора (полевого транзистора с изолированным затвором) и одного МОП-конденсатора. Этот тип ОЗУ является самым дешёвым и обладает наивысшей плотностью, поэтому он используется в качестве основной памяти в компьютерах. Однако электрический заряд, хранящий данные в ячейках памяти, постепенно утрачивается, поэтому ячейки памяти необходимо периодически обновлять (перезаписывать), что требует дополнительного схемного решения. Процесс обновления выполняется внутри компьютера и прозрачен для его пользователя.
    • FPM DRAM (быстрая страничная DRAM) — устаревший тип асинхронной DRAM, который был усовершенствован по сравнению с предыдущими версиями, позволяя осуществлять многократный доступ к одной «странице» памяти с повышенной скоростью. Использовался в середине 1990-х годов.
    • EDO DRAM (DRAM с расширенным выходом данных) — устаревший тип асинхронной DRAM, который имел более быстрое время доступа по сравнению с предыдущими версиями благодаря возможности инициировать новый доступ к памяти, пока данные с предыдущего доступа ещё передавались. Использовался в конце 1990-х годов.
    • VRAM (Видеопамять с произвольным доступом) — устаревший тип двухпортовой памяти, который когда-то использовался для кадровых буферов видеоадаптеров (видеокарт).
    • SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом) — в эту микросхему DRAM была добавлена схема, которая синхронизирует все операции с тактовым сигналом, подаваемым на шину памяти компьютера. Это позволило микросхеме одновременно обрабатывать несколько запросов к памяти с использованием конвейерной обработки для повышения скорости. Данные на микросхеме также разделены на банки, каждый из которых может одновременно выполнять операцию с памятью. Примерно к 2000 году этот тип памяти стал доминирующим в компьютерах.
      • DDR SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — этот тип памяти мог передавать вдвое больше данных (два последовательных слова) за каждый тактовый цикл за счёт удвоенной скорости передачи (передачи данных на обоих фронтах тактового импульса — на восходящем и нисходящем). SDRAM первого поколения, известные как DDR1, стали первым шагом к ускорению передачи данных, по сравнению с предыдущими технологиями. Их интеграция позволила увеличить пропускную способность, однако потребление энергии и уровень нагрева оставались относительно высокими. Развитие этой идеи в следующих версиях — повышение тактовой частоты и снижение энергопотребления, сделало эти модули более устойчивыми к перегреву. Поскольку дальнейшее повышение внутренней тактовой частоты микросхем памяти оказывается затруднительным, эти микросхемы увеличивают скорость передачи за счёт передачи бо́льшего количества слов данных за каждый тактовый цикл.
        • DDR2 SDRAM — передаёт 4 последовательных слова за один внутренний тактовый цикл.
        • DDR3 SDRAM — передаёт 8 последовательных слов за один внутренний тактовый цикл.
        • DDR4 SDRAM — передаёт 16 последовательных слов за один внутренний тактовый цикл.
      • RDRAM (Rambus DRAM) — альтернативный стандарт памяти с удвоенной скоростью передачи данных, который использовался в некоторых системах Intel, но в конечном итоге уступил место DDR SDRAM.
        • XDR DRAM (DRAM с экстремальной скоростью передачи данных)
      • SGRAM (вариант DRAM с синхронным доступом) — специализированный тип SDRAM, предназначенный для графических адаптеров (видеокарт). Он может выполнять графические операции, такие как битовое маскирование и блочная запись, а также может открывать две страницы памяти одновременно.
      • HBM (память с высокой пропускной способностью) — развитие SDRAM, используемое в видеокартах, которое позволяет передавать данные с более высокой скоростью. Оно состоит из нескольких микросхем памяти, расположенных друг на друге в виде стопки, с более широкой шиной данных.
    • PSRAM (псевдостатичная RAM) — это DRAM с встроенной схемой обновления памяти на микросхеме, благодаря чему она функционирует как SRAM, позволяя отключать внешний контроллер памяти для экономии энергии. Используется в некоторых игровых консолях, таких как Wii.
  • SRAM (Статическая память с произвольным доступом ) – каждый бит данных хранится в цепи, называемой триггером (flip-flop), состоящей из 4–6 транзисторов. SRAM имеет ме́ньшую плотность и стоит дороже за бит, чем DRAM, но работает быстрее и не требует обновления памяти. Используется для кэш-памяти ме́ньшего объёма в компьютерах.
  • CAM (ассоциативное запоминающее устройство) — это специализированный тип памяти, в котором вместо доступа к данным с использованием адреса применяется слово данных, а память возвращает его расположение, если это слово хранится в памяти. В основном он встроен в другие микросхемы, такие как микропроцессоры, где используется для кэш-памяти.

Энергонезависимая память

Энергонезависимая память (NVM) сохраняет данные, хранящиеся в ней, в периоды, когда питание микросхемы отключено. Поэтому она используется в портативных устройствах, которые не имеют дисков, а также в съёмных картах памяти и для других целей.

Основные типы[8][9]:

  • ROM (постоянное запоминающее устройство ) — предназначено для хранения постоянных данных и при нормальной работе данные только считываются, но не записываются. Хотя многие типы могут быть использованы для записи, процесс записи медленный, и обычно все данные в чипе должны переписываться целиком. Обычно оно используется для хранения системного программного обеспечения, которое должно быть сразу доступно компьютеру, например, программа BIOS , которая запускает компьютер, а также программного обеспечения (микрокода) для портативных устройств и встроенных компьютеров, таких как микроконтроллеры.
    • MROM (масочное ПЗУ, изготовляемое фабричным методом) — в этом типе данные программируются в чип при его изготовлении, поэтому он используется только для крупных производственных партий. Его нельзя перезаписать новыми данными.
    • PROM (программируемое ПЗУ) — в этом типе данные записываются в существующий чип PROM до его установки в схему, но они могут быть записаны только один раз. Данные записываются путём подключения чипа к устройству, называемому программатором PROM.
    • EPROM (стираемое перепрограммируемое ПЗУ или UVEPROM) — в этом типе данные могут быть перезаписаны путём извлечения чипа из печатной платы, подвергая его воздействию ультрафиолетового света для стирания существующих данных и подключения его к программатору ПЗУ PROM. Корпус микросхемы имеет небольшое прозрачное «окно» в верхней части для пропускания ультрафиолетового света. Его часто используют для прототипов и мелкосерийных устройств, при этом может потребоваться изменение программы в микросхеме в заводских условиях.
      4Mбит EPROM Toshiba TC574200D. Показано прозрачное окно, используемое для стирания чипа
    • EEPROM (электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ ) — в этом типе данные могут быть перезаписаны электрическим способом, пока чип находится на плате, но процесс записи медленный. Этот тип используется для хранения прошивки — низкоуровневого микрокода, который управляет аппаратными устройствами, такими как программа BIOS в большинстве компьютеров, чтобы её можно было обновлять.
  • NVRAM (Энергонезависимая память с произвольным доступом)
  • Флеш-память — в этом типе процесс записи по скорости занимает промежуточное положение между EEPROM и оперативной памятью (RAM); данные можно записывать, но недостаточно быстро для использования в качестве основной памяти. Часто используется как полупроводниковая версия жёсткого диска для хранения файлов. Применяется в портативных устройствах, таких как КПК, USB-флеш-накопители и съёмные карты памяти, используемые в цифровых камерах и мобильных телефонах.

История

Первоначально компьютерная память состояла из памяти на магнитном сердечнике, поскольку первые твердотельные электронные полупроводники, включая транзисторы, такие как биполярный транзистор (BJT), были непрактичны для использования в качестве цифровых элементов хранения (ячеек памяти).

Появление полупроводниковой памяти относится к началу 1960-х годов, она представляла собой биполярную память, использовавшую биполярные транзисторы[10].

Биполярная полупроводниковая память, изготовленная из электронных компонентов, была впервые поставлена компанией ​​Texas Instruments для ВВС США в 1961 году. В том же году в компании Fairchild Semiconductor была предложена концепция твердотельной памяти на кристалле интегральной схемы (ИС) инженером по продажам Бобом Норманом (инженер по продажам — это продавец, который обладает как опытом продаж, так и инженерным опытом)[11].

В декабре 1965 года была изготовлена первая однокристальная ИС памяти — 16-битный биполярный транзистор BJT IBM SP95, спроектированный Полом Каструччи[10][11].

Хотя биполярная память обеспечивала лучшую производительность по сравнению с памятью на магнитных сердечниках, она не могла конкурировать с более низкой ценой памяти на магнитных сердечниках, которая оставалась доминирующей вплоть до конца 1960-х годов[10]. Это было связано с тем, что биполярные триггерные схемы были слишком дорогими и громоздкими[12].

MOS- память

Основная статья: МОП-транзистор

В 1959 году в Bell Labs инженерами Мохамедом М. Аталлой и Каном Дэвоном[13] был разработан МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, сокращённо «MOSFET»)[14], что дало возможность практическому использованию транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOS) в качестве элементов хранения ячеек памяти, функцию которых в компьютерной памяти ранее выполняли магнитные сердечники[14].

Память на основе MOS была разработана Джоном Шмидтом в компании Fairchild Semiconductor в 1964 году[15][16]. Помимо более высокой производительности, память на МОП-транзисторах была дешевле и потребляла меньше энергии по сравнению с памятью на магнитных сердечниках[15]. Это привело к тому, что MOSFET-транзисторы со временем заменили магнитные сердечники в качестве стандартных элементов хранения в компьютерной памяти[14].

В 1965 году Дж. Вуд и Р. Болл из британского Королевского радиолокационного института (Royal Radar Establishment) предложили цифровые системы хранения данных, использующие ячейки памяти на КМОП (комплементарные МОП) транзисторах, в дополнение к силовым устройствам МОП-транзисторов для источника питания, перекрёстной коммутации, переключателей и запоминающим устройствам на линиях задержки[17]. Разработка технологии интегральных схем на основе MOS с кремниевым затвором (silicon-gate MOS IC) Федерико Фаджином в Fairchild в 1968 году сделала возможным производство микросхем памяти на MOS[18]. В начале 1970-х годов корпорация IBM перевела на коммерческие рельсы использование памяти на технологии N-МОП[19]. Память на МОП-транзисторах вытеснила использование памяти на магнитных сердечниках и стала доминирующей технологией хранения данных в начале 1970-х годов[15].

Термин «память» в контексте компьютерной памяти чаще всего относится к энергозависимой памяти с произвольным доступом (RAM). Существует два основных типа такой памяти: статическая память с произвольным доступом (SRAM) и динамическая память с произвольным доступом (DRAM). Биполярная SRAM была изобретена Робертом Норманом в компании Fairchild Semiconductor в 1963 году[10], а за ней последовала разработка MOS SRAM Джоном Шмидтом в Fairchild в 1964 году[15]. SRAM стала альтернативой памяти на магнитных сердечниках, но для хранения одного бита данных требовалось шесть МОП-транзисторов[20]. Коммерческое использование SRAM началось в 1965 году, когда IBM представила свою микросхему SP95 SRAM для системы System/360 Model 95[10].

Компания Toshiba представила память DRAM на биполярных ячейках для своего электронного калькулятора Toscal BC-1411 в 1965 году[21][22]. Хотя такая память обеспечивала более высокую производительность по сравнению с памятью на магнитном сердечнике, биполярная DRAM не могла конкурировать с более низкой ценой доминирующей в то время памяти на магнитном сердечнике[23].  

MOS-технология лежит в основе современной DRAM. В 1966 году доктор Роберт Х. Деннард из исследовательского центра IBM имени Томаса Дж. Уотсона работал над памятью на базе MOS. Изучая характеристики MOS-технологии, он обнаружил, что с её помощью можно создавать конденсаторы, и что наличие или отсутствие заряда на MOS-конденсаторе может представлять 1 и 0 одного бита, в то время как MOS-транзистор может управлять записью заряда в конденсатор. Это привело к разработке им ячейки памяти DRAM с одним транзистором[20]. В 1967 году Деннард подал патент от имени IBM на ячейку памяти DRAM с одним транзистором, основанную на MOS-технологии[24]. Это привело к созданию первой коммерческой микросхемы DRAM — Intel 1103, выпущенной в октябре 1970 года[25][26][27]. Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) позже была представлена в 1992 году с выходом микросхемы Samsung KM48SL2000[28].

Термин «память» также часто используется в отношении энергонезависимой памяти, в частности флеш-памяти. Её происхождение связано с постоянной памятью (ROM). Программируемая постоянная память (PROM) была изобретена Вэнь Цзин Чоу в 1956 году, когда он работал в подразделении Arma американской компании Bosch Arma Corporation[29][30].

В 1967 году Давон Кан и Ши Минь из Bell Labs предложили использовать транзистор с плавающим затвором MOS-прибора в качестве ячейки перепрограммируемой постоянной памяти (ROM), что привело к изобретению EPROM (стираемой PROM) Довом Фроманом из Intel в 1971 году[31]. EEPROM (электрически стираемая PROM) была разработана Ясуо Таруи, Ютакой Хаяси и Киёко Нагой в Электротехнической лаборатории Министерства международной торговли и промышленности Японии (MITI) в 1972 году[32]. Флеш-память была изобретена Фудзи Масуокой в компании Toshiba в начале 1980-х годов[33]. Масуока и его коллеги представили изобретение NOR-флеш-памяти в 1984 году, а затем NAND-флеш в 1987 году[34]. Компания Toshiba начала коммерческое производство NAND-флеш-памяти в 1987 году[35][31].

Применение

Применение МОП (MOS)- памяти
Тип памяти МОП Аббревиатура МОП ячейка памяти Использование
Статическая память с произвольным доступом SRAM МОП-транзистор Кэш-память, сотовые телефоны, eSRAM, мейнфреймы, мультимедийные компьютеры, сетевые технологии, персональные компьютеры, серверы, суперкомпьютеры, телекоммуникации, рабочие станции[36], буфер DVD- диска[37], буфер данных[38], энергонезависимая память BIOS
Динамическая память с произвольным доступом DRAM МОП-транзистор, МОП-конденсатор Видеокамеры, встраиваемая система, eDRAM, графическая карта, жёсткий диск (HDD), сети, персональные компьютеры, карманные персональные компьютеры, принтеры[36], основная память компьютера, настольные компьютеры, серверы, твердотельные накопители, видеопамять[37], память кадрового буфера[39][40]
Сегнетоэлектрическая оперативная память FRAM МОП-транзистор, сегнетоэлектрический конденсатор Энергонезависимая память, радиочастотная идентификация (RF-идентификация), смарт-карты[36][37]
Постоянное запоминающее устройство ROM МОП-транзистор Знакогенераторы, электронные музыкальные инструменты, шрифты лазерных принтеров, картриджи ПЗУ видеоигр, данные словаря текстового процессора[36][37]
Стираемое программируемое ПЗУ EPROM Транзистор с плавающим затвором Приводы CD-ROM, встроенная память, хранение кода, модемы[36] [37]
Электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ EEPROM Транзистор с плавающим затвором Антиблокировочные тормозные системы, подушки безопасности, автомобильные радиоприёмники, сотовые телефоны, бытовая электроника, беспроводные телефоны, дисководы, встроенная память, контроллеры полёта, военная техника, модемы, пейджеры, принтеры, телевизионные приставки, смарт-карты[36][37].
Флэш-память Flash Транзистор с плавающим затвором Контроллеры ATA , приложения с питанием от батареи, телекоммуникации, хранение кода, цифровые камеры, MP3-плееры, портативные медиаплееры, память BIOS[36], USB-флеш-накопитель[41], цифровое телевидение, электронные книги, карты памяти, мобильные устройства, телевизионные приставки, смартфоны, твердотельные накопители, планшетные компьютеры[37]
Энергонезависимая память NVRAM Транзистор с плавающим затвором Медицинское оборудование, космические аппараты[36][37]

Примечания

  1. ↑ Терминологический словарь автоматизации строительства и производственных процессов. http://www.info-rae.ru/. Дата обращения: 13 июня 2025.
  2. ↑ Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. — Springer, 2017. — P. 314–5. — ISBN 9783319475974.
  3. ↑ Lin, Wen C. CRC Handbook of Digital System Design, Second Edition. — CRC Press, 1990. — P. 225. — ISBN 0849342724.
  4. ↑ 1 2 3 Dawoud, Dawoud Shenouda. Digital System Design - Use of Microcontroller / Dawoud Shenouda Dawoud, R. Peplow. — River Publishers, 2010. — P. 255–258. — ISBN 978-8792329400.
  5. ↑ Annual Semiconductor Sales Increase 21.6 Percent, Top $400 Billion for First Time, Semiconductor Industry Association (5 February 2018). Дата обращения: 13 июня 2025.
  6. ↑ Webinar Spotlight on Memory Semiconductors: Market and Technology Trends (англ.). https://www.semiconductors.org/ (Feb. 25, 2021). Дата обращения: 13 июня 2025.
  7. ↑ Павел Котов. V-Color анонсировала оверклокерскую DDR5-8000 для Threadripper и Xeon в комплектах объёмом до 512 Гбайт. https://3dnews.ru/ (9 мая 2025). Дата обращения: 13 июня 2025.
  8. ↑ 1 2 Godse, A.P. Fundamentals of Computing and Programing / A.P. Godse, D.A.Godse. — India : Technical Publications, 2008. — P. 1.35. — ISBN 978-8184315097.
  9. ↑ 1 2 Arora, Ashok. Foundations of Computer Science. — Laxmi Publications, 2006. — P. 39–41. — ISBN 8170089719.
  10. ↑ 1 2 3 4 5 1966: Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs. Computer History Museum. Дата обращения: 14 июня 2025.
  11. ↑ 1 2 Semiconductor Memory Timeline Notes. https://www.computerhistory.org/ (8 ноября 2006). Дата обращения: 14 июня 2025.
  12. ↑ Orton, John W. Semiconductors and the Information Revolution: Magic Crystals that made IT Happen. — Academic Press, 2009. — P. 104. — ISBN 978-0-08-096390-7.
  13. ↑ “1960 – Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated”. The Silicon Engine. Computer History Museum. Дата обращения 2025-06-14.
  14. ↑ 1 2 3 Transistors – an overview. ScienceDirect. Дата обращения: 14 июня 2025.
  15. ↑ 1 2 3 4 1970: MOS Dynamic RAM Competes with Magnetic Core Memory on Price. Computer History Museum. Дата обращения: 14 июня 2025.
  16. ↑ Solid State Design. Vol. 6. — Horizon House, 1965.
  17. ↑ Wood, J.; Ball, R. (February 1965). The use of insulated-gate field-effect transistors in digital storage systems. 1965 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. VIII. pp. 82—83. DOI:10.1109/ISSCC.1965.1157606.
  18. ↑ 1968: Silicon Gate Technology Developed for ICs. Computer History Museum. Дата обращения: 14 июня 2025.
  19. ↑ Critchlow, D. L. (2007). “Recollections on MOSFET Scaling”. IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. 12 (1): 19—22. DOI:10.1109/N-SSC.2007.4785536.
  20. ↑ 1 2 Dynamic random-access memory (DRAM) (англ.). https://www.ibm.com/. Дата обращения: 14 июня 2025.
  21. ↑ Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411. Old Calculator Web Museum. Дата обращения: 14 июня 2025. Архивировано 3 июля 2017 года.
  22. ↑ Toshiba "Toscal" BC-1411 Desktop Calculator. www.oldcalculatormuseum.com. Дата обращения: 14 июня 2025.
  23. ↑ 1966: Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs. Computer History Museum. Дата обращения: 14 июня 2025.
  24. ↑ Robert Dennard. Encyclopedia Britannica. Дата обращения: 14 июня 2025.
  25. ↑ Intel: 35 Years of Innovation (1968–2003). Intel (2003). Дата обращения: 14 июня 2025. Архивировано 4 ноября 2021 года.
  26. ↑ Heather. DRAM Explained – Everything You Need To Know (англ.). https://history-computer.com/ (23 мая 2025). Дата обращения: 14 июня 2025.
  27. ↑ Lojek, Bo. History of Semiconductor Engineering. — Springer Science & Business Media, 2007. — P. 362–363. — «The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 µm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.». — ISBN 9783540342588.
  28. ↑ KM48SL2000 Datasheets Context Search (англ.). https://www.datasheetarchive.com/. Дата обращения: 14 июня 2025.
  29. ↑ Han-Way Huang. Embedded System Design with C805. — Cengage Learning, 5 December 2008. — P. 22. — ISBN 978-1-111-81079-5.
  30. ↑ Marie-Aude Aufaure. Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15–21, 2012, Tutorial Lectures / Marie-Aude Aufaure, Esteban Zimányi. — Springer, 17 January 2013. — P. 136. — ISBN 978-3-642-36318-4.
  31. ↑ 1 2 1971: Reusable semiconductor ROM introduced. Computer History Museum. Дата обращения: 14 июня 2025.
  32. ↑ Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Nagai, K. (1972). “Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory”. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 7 (5): 369—375. Bibcode:1972IJSSC...7..369T. DOI:10.1109/JSSC.1972.1052895. ISSN 0018-9200.
  33. ↑ Fulford, Benjamin Unsung hero. Forbes (24 июня 2002). Дата обращения: 14 июня 2025. Архивировано 3 марта 2008 года.
  34. ↑ Masuoka, F.; Momodomi, M.; Iwata, Y.; Shirota, R. (1987). “New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell”. Electron Devices Meeting, 1987 International. IEDM 1987. IEEE. DOI:10.1109/IEDM.1987.191485.
  35. ↑ 1987: Toshiba Launches NAND Flash. eWeek (11 апреля 2012). Дата обращения: 14 июня 2025.
  36. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 Veendrick, Harry. Deep-Submicron CMOS ICs: From Basics to ASICs. — 2nd. — Kluwer Academic Publishers, 2000. — P. 267–8. — ISBN 9044001116.
  37. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 8 Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. — 2nd. — Springer, 2017. — P. 315. — ISBN 9783319475974.
  38. ↑ Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. — 2nd. — Springer, 2017. — P. 264. — ISBN 9783319475974.
  39. ↑ Richard Shoup. SuperPaint: An Early Frame Buffer Graphics System. Annals of the History of Computing. IEEE (2001). Дата обращения: 14 июня 2025. Архивировано 12 июня 2004 года.
  40. ↑ Goldwasser, S.M. (June 1983). Computer Architecture For Interactive Display Of Segmented Imagery. Computer Architectures for Spatially Distributed Data. Springer Science & Business Media. pp. 75–94 (81). ISBN 9783642821509.
  41. ↑ Windbacher, Thomas Flash Memory. TU Wien (июнь 2010). Дата обращения: 20 декабря 2019.

Ссылки

Дополнительно по теме

Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая

Категории