Фудзи Масуока
Фудзио Масуока (яп. 舛岡 富士雄, род. 8 мая 1943, Такасаки, Гумма, Япония) — японский инженер, работавший в Toshiba и университете Тохоку. Советник основанной им фирмы Unisantis Electronics[1][2] и почётный профессор Университета Тохоку[2]. Является изобретателем флеш-памяти, в том числе разработчиком NOR и NAND флеш-памяти (1980-е годы)[3]. Кроме того в 1988 году он был руководителем команды разработчиков первого МОП-транзистора с универсальным затвором (GAA) (GAAFET)[4].
Общие сведения
| Фудзи Масуока | |
|---|---|
| яп. 舛岡富士雄 | |
| Дата рождения | 8 мая 1943 (83 года) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Научная сфера | электротехника |
| Место работы | |
| Образование | |
| Награды и премии | |
Биография
Фудзио Масуока вырос в семье с родителями и двумя сёстрами[3]; с десяти лет он занимался с частным преподавателем по математике. В 1966 году Масуока окончил университет Тохоку в Сендае, Япония. В 1971 году там же получил докторскую степень[5] и поступил на работу в Toshiba. Там им юыл разработан МОП-транзистор, лёгший в основу микросхем со стиранием памяти (стирание происходит путём засвечивания ультрафиолетом) — предшественников EEPROM (электрически стираемого перепрограммируемого ПЗУ) и флеш-памяти[6][7]. В 1976 году Масуока разработал DRAM — динамическую память с произвольным доступом (DRAM) с двойной структурой поликристаллического кремния. В 1977 году он перешёл в бизнес-подразделение Toshiba Semiconductor, где разработал мегабайтный DRAM[6].
В 1994 году Масуока стал профессором университета Тохоку[8], а впоследствии получил статус почётного профессора[2].
В 2004 году Масуока, стремясь развить изобретение 1988 года, стал главным техническим директором образованной им компании Unisantis Electronics[1][5], а позднее занял должность советника[9].
Ранее сообщалось, что у Масуоки 270 зарегистрированных патентов[6], однако эта цифра не является окончательной, так как изобретатель продолжает регистрировать новые патенты (в том числе в 2024 году).
Изобретение флеш-памяти
Масуоку больше всего волновала идея энергонезависимой памяти, то есть памяти, которая бы сохраняла данные даже при отключении питания. Стирание данных тогдашней EEPROM занимало очень много времени. Он разработал технологию «плавающего затвора», позволяющую делать это гораздо быстрее. Совместный патент был подан в 1980 году вместе с Хисакадзу Иидзукой[10][6]. Его коллега Сёдзи Ариидзуми предложил слово «флеш» («вспышка»), потому что процесс напоминал ему вспышку фотоаппарата[11].
В 1984 году на международной конференции International Electron Devices Meeting (IEDM) Масуока и его коллеги впервые представили архитектуру флеш-памяти NOR[12][13][14].
В 1987 году на той же конференции IEDM, состоявшейся в Сан-Франциско, команда Масуоки сделала доклад о разработке флеш-памяти NAND[15]. Эта архитектура позволила достичь более высокой плотности записи и меньшей стоимости по сравнению с NOR[14]. В том же году Toshiba выпустила на рынок первые коммерческие чипы флеш-памяти NAND[16].
Однако миллиарды долларов на продажах соответствующих технологий были заработаны компанией Intel[8], и пресс-служба Toshiba сообщила Forbes, что именно Intel изобрела флеш-память[8]. Что касается Масуоки, он получил премию в несколько сотен долларов за изобретение от Toshiba, а позже была сделана попытка понизить его в должности[8].
Транзистор с окружающим затвором (GAAFET)
В 1988 году исследовательская группа Toshiba под руководством Масуоки продемонстрировала первый МОП-транзистор с универсальным затвором (GAA) (GAAFET)[4]. Данная технология, также известная как транзистор с окружающим затвором (SGT), отличается тем, что затвор полностью окружает канал транзистора[17]. Такая архитектура обеспечивает превосходный электростатический контроль и значительно снижает токи утечки[17]. GAAFET считается преемником технологии FinFET, поскольку позволяет преодолевать физические ограничения при дальнейшей миниатюризации чипов[17].
Судебный процесс с Toshiba
В 2004 году Фудзио Масуока подал судебный иск против компании Toshiba, требуя компенсацию в размере 8 миллиардов иен за незаконное использование его технологий, на которые компания получила 41 патент. В 2006 году конфликт был урегулирован: Toshiba выплатила Масуоке 87 миллионов иен (около 758 тысяч долларов США)[18].[19]
Награды и премии
- Премия Морриса Либманна — 1997[20]
- Японская почётная медаль — 2007
- Заслуженный деятель культуры Японии — 2013
- Орден Священного сокровища (золотая и серебряные звезды) — 2016
- Премия Хонда — 2018
Библиография
- F. Masuoka. «A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology.» International Electron Devices Meeting (IEDM), 1984[2].
- F. Masuoka. «New ultra high density EPROM and flash EEPROM with NAND structure cell.» International Electron Devices Meeting (IEDM), 1987[2].
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs.» Electron Devices Meeting, 1988. IEDM’88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
- A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. «A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs.» Electron Devices Meeting, 1989. IEDM’89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. «Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI’s.» IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573—578.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . «Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits.» IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579—583.
- F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. «A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT’s) for ultra high density DRAM’s.» IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960—971.