Микроэлектроника (журнал)

Выходит шесть номеров в год.

Журнал основан в 1972 году^[1].

Учредителями издания являются: Российская академия наук, Физико-технологический институт имени К. А. Валиева Российской академии наук.

Издаётся на русском, английском языках. Выходит в печатном, сетевом форматах.

Издание зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций^[2][3].

Номер свидетельства о регистрации средства массовой информации: ПИ № ФС 77 — 89185 от 10.03.2025 — печатная версия, ЭЛ № ФС 77 — 88256 от 30.09.2024 — сетевая версия. Международный номер издания: ISSN 0544-1269 — печатная версия, 3034-5480 — сетевая версия.

Журнал издаётся Российской академией наук под руководством Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, выпускается издательством Наука"^[4].

Журнал освещает технологические, физические и схемотехнические аспекты микро- и наноэлектроники. Основное внимание уделяется современным методам литографии, включая оптическую, рентгеновскую, электронную и ионную; процессам травления, легирования, осаждения и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Рассматриваются пучковые и плазменные технологии, такие как молекулярно-пучковая эпитаксия и сухое травление, а также методы анализа поверхностей и многослойных структур.

В публикациях рассматриваются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Освещаются разработки полупроводниковых приборов на основе новых физических явлений: квантовых размерных эффектов и сверхпроводимости. Это направление включает исследования гетероструктур, нанотранзисторов и полупроводниковых реализаций кубитов. Также затрагиваются проблемы проектирования электронных схем на биполярных и полевых транзисторах, включая КМОП- и БиКМОП-архитектуры.

Основные разделы журнала включают: технологии микро- и наноэлектроники, технологические процессы, схемотехнику, моделирование, а также приборы микро- и наноэлектроники^[1][5][6][7].

Редакция журнала соблюдает этические правила, разработанные Комитетом по публикационной этике (COPE). Журнал использует модель отложенного открытого доступа. Это значит, что каждый выпуск становится бесплатным и доступным для всех через 12 месяцев после его первоначальной публикации^[8][9].

Издаётся гибридная англоязычная версия журнала, перевод публикуется под международным названием Russian Microelectronics, что делает исследования доступными для мировой научной аудитории. Издаётся компанией Pleiades Publishing, Ltd.. Полнотекстовые версии статей англоязычной версии журнала доступны по подписке, частично размещены в открытом доступе на портале SpringerLink. Англоязычная версия индексируется в системах Web of Science, Scopus и др.^[10].

Журнал предназначен для научных сотрудников исследовательских институтов, преподавателей и студентов высших учебных заведений, инженерно-технических специалистов производственных и контрольно-аналитических лабораторий, а также для аспирантов и магистрантов, специализирующихся в области микро- и наноэлектроники^[11].

Журнал включён в перечень Высшей аттестационной комиссии, где должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание учёной степени кандидата и доктора наук по специальности — электроника, фотоника, приборостроение и связь^[12][13][14].

РИНЦ^[15], Elibrary^[16], ИСТИНА^[17], Руконт^[18], НЭБ^[19], Scilit^[20], OpenAlex^[21], Scholia^[22], Sudoc^[23], Journal Observatory^[24], DNB^[25].

По состоянию на 2025 год главным редактором журнала является президент Российской академии наук, академик Российской академии наук, доктор технических наук, научный руководитель акционерного общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», Г. Я. Красников^[26].

По состоянию на 2025 год редакционная коллегия журнала состоит из следующих персон^[26]:

• Лукичев В. Ф., заместитель главного редактора, член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, директор, Физико-технологический институт имени К. А. Валиева Российской академии наук, преподаватель, Московский физико-технический институт, МИРЭА — Российский технологический университет;
• Неизвестный И. Г., заместитель главного редактора, член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник, Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибрского отделения Российской академии наук;
• Руденко К. В., ответственный секретарь, доктор физико-математических наук, заместитель директора по научной работе, Физико-технологический институт имени К. А. Валиева Российской академии наук, главный научный сотрудник, руководитель лаборатории физики и технологий приборов наноэлектроники, Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», преподаватель, Московский физико-технический институт;
• Абрамов И. И., доктор физико-математических наук, профессор кафедры микро- и наноэлектроники, заведующий научно-исследовательской лабораторией «Физика приборов микро- и наноэлектроники», Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники;
• Бакланов М. Р., доктор химических наук, рриглашённый профессор-исследователь, Северо-Китайский технологический университет, ведущий научный сотрудник, Тяньцзиньский университет, Московский государственный университет, МИРЭА — Российский технологический университет;
• Бухараев А. А., член-корреспондент Академии наук Республики Татарстан, доктор физико-математических наук, профессор кафедры оптики и нанофотоники, Казанский (Приволжский) федеральный университет, главный научный сотрудник, заведующим отделом сканирующей зондовой микроскопии, Казанский физико-технический институт имени Е. К. Завойского Российской академии наук;
• Горбацевич А. А., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник, Физический институт имени П. Н. Лебедева Российской академии наук, заведующий кафедрой квантовой физики и наноэлектроники, Национальный исследовательский университете «МИЭТ» (Московский институт электронной техники);
• Горнев Е. С., академик Российской академии наук, советник президента Российской академии наук, доктор технических наук, профессор, заместитель заведующего базовой кафедры микро- и наноэлектроники, Московский физико-технический институт, Научно-исследовательский институт молекулярной электроники;
• Комаров Ф. Ф., академик Национальной академии наук Республики Беларусь, доктор физико-математических наук, профессор, факультет радиофизики и компьютерных технологий Белорусского государственного университета, заведующий лабораторией элионики, Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко;
• Мальцев П. П., доктор технических наук, профессор, научный руководитель Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук», заведующий кафедрой «Микросистемной техники», МИРЭА — Российский технологический университет;
• Попов В. П., доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией физических основ материаловедения кремния, Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук;
• Рощупкин Д. В., член-корреспондент Российской академии наук, доктор физико-математических наук, директор Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук», заведующий лабораторией рентгеновской акустооптики, ведущий научный сотрудник, Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»;
• Сигов А. С., академик Российской академии наук, доктор физико-математических наук, президент, МИРЭА — Российский технологический университет;
• Стриханов М. Н., доктор физико-математических наук, профессор, ректор, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»;
• Чаплыгин Ю. А., академик Российской академии наук, доктор технических наук, президент, Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»;
• Шахнов В. А., член-корреспондент Российской академии наук, доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой «Конструирование и производство электронной аппаратуры», Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана.