Рощупкин, Дмитрий Валентинович

Дмитрий Рощупкин родился 1 мая 1961 года в Москве.

В 1983 году окончил Московский институт стали и сплавов.

С 1983 года работал заведующим лабораторией рентгеновской акустооптики в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (ИПТМ РАН), с 2018 года — директор.

В 2022 году — избран членом-корреспондентом РАН от Отделения нанотехнологий и информационных технологий.

Член редакционных коллегий научных изданий «Микроэлектроника», «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования».

В 1990 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование взаимодействия поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками».

В 1997 году защитил докторскую диссертацию на тему «Взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными и рентгеновскими пучками».

Специалист в области вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы микро- и наноэлектроники.

Создатель нового научного направления «Рентгеновская акустооптика», которое позволило решить задачи управления пространственно-временной структурой рентгеновского излучения, создать акустооптический модулятор рентгеновского излучения с временным разрешением 5 пикосекунд для источников синхротронного излучения и лазеров на свободных электронах, разработать методы визуализации акустических волн в твердых телах.

Разработал высокотемпературные датчики физических величин на основе пьезоэлектрических кристаллов семейства лантангаллиевого силиката с использованием акустических волн и прямого пьезоэлектрического эффекта.

Решил задачи получения и применения низкоразмерных 1D и 2D материалов для развития перспективной элементной базы микро- и наноэлектроники, энергосберегающей энергетики, исследован акустостимулированный транспорт носителей заряда в графене и полупроводниковых материалах, позволяющий повысить КПД солнечных элементов до 60 %. Решил задачи синтеза кристаллов сложных растворов LiNb(1-x)TaxO3 , создания слоистых структур сегнетоэлектрик/полупроводник, формирования сегнетоэлектрических доменных структур для опто- и акустоэлектроники, микросистемной техники.