Горнев, Евгений Сергеевич
Евге́ний Серге́евич Го́рнев (род. 4 августа 1943) — советский и российский учёный, специалист в области микро- и наноэлектроники, метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах. Заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, АО «НИИ молекулярной электроники» (НИИМЭ). Доктор технических наук, профессор, академик РАН (2025)[1], лауреат Государственной премии СССР и премии Правительства РФ в области науки и техники (дважды).
Общие сведения
| Евгений Сергеевич Горнев | |
|---|---|
| Дата рождения | 4 августа 1943 (83 года) |
| Место рождения | ст. Донгузская, Оренбургская область, РСФСР |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | микроэлектроника |
| Место работы | НИИМЭ, МФТИ |
| Учёная степень | доктор технических наук (2000) |
| Учёное звание |
профессор (2025) |
| Ученики | подготовил 1 доктора и 13 кандидатов наук |
| Награды и премии |
      |
Биография
Родился 4 августа 1943 года.
В 1966 году окончил радиофизический факультет Харьковского государственного университета.
С 1966 по настоящее время работает в АО "НИИ молекулярной электроники" (НИИМЭ), пройдя путь от инженера до первого заместителя директора НИИ. В настоящее время занимает должность заместителя руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям АО "НИИМЭ".
В 1967 году входил в состав коллектива, разработавшего интегральную микросхему (ИС) токового ключа «Иртыш» (101КП1), с которой начинались все каталоги советских ИС.
15 ноября 2019 года избран член-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.
30 мая 2025 года избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий[1][2].
Научная деятельность
Специалист в области микро- и наноэлектроники, метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах.
Автор и соавтор более 300 научных работ, из них 3-х учебных пособий, и 42 авторских свидетельств и/или патентов.
Основные достижения:
- обобщил, научно обосновал и разработал технические решения для создания современного микроэлектронного производства, на основе чего создал модель промышленной субмикронной технологии как системы и систему управления микроэлектронным производством;
- под его руководством и с его непосредственным участием разработаны решения многовариантной технологии КМОП, биполярных и БиКМОП на базе универсального маршрута, с достоинствами биполярных и КМОП микросхем;
- создана система управления на основе мониторинга техпроцесса, контроля дефектности и методов статрегулирования;
- исследованы, обоснованы и созданы методы контроля линейных размеров элементов СБИС микро- и нанометрового диапазонов с созданием универсальной линейной меры мирового уровня;
- создано, модернизировано и внедрено более 40 различных вариантов технологий, разработаны с одновременной постановкой на производство в процессе ОКР более 50 типов микросхем, модернизировано более 100 типов, организовано производство 87 серий микросхем, в том числе в Польше;
- разработана и освоена промышленная технология сегнетоэлектрических плёнок для микро- и наносистемной техники и изделий на их основе, изделий пьезотехники, акустоэлектроники, совместимых с технологиями микро- и наноэлектроники и МЭМС.
Актуальные направления исследований: радиофотоника, искусственный интеллект, нейроморфные вычисления, силовая электроника[3].[4]
Подготовил 1 доктора и 13 кандидатов наук[5]. Вел преподавательскую деятельность в МИЭТ, МИРЭА.,В настоящее время — профессор и заместитель заведующего базовой кафедры «микро- и наноэлектроника» МФТИ.
Член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Микро- и наносистемная техника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника».
Член бюро Научного совета РАН «Квантовые технологии», член Совета РАН по космосу[6], член секции ВЛТСЭБ ОНИТ РАН[7], заместитель председателя Научного совета ОНИТ РАН[8], член Научно-технического совета Военно-промышленной комиссии РФ[9][10]. Председатель 2-х диссертационных советов МФТИ (1.3.11 и 2.2.2)[11], член диссертационного совета Д 002.081.01.
Наиболее значимые научные статьи (2023—2026):[12]
- «Investigation of the temperature dependence of volt-ampere characteristics of a thin-film Si3N4 memristor» (Crystals, 2023);
- «Кремниевый датчик микрокапель летучих жидкостей» (Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии, 2025);
- «Обзор современного состояния мемристоров на основе нанопроволок β-Ga2O3» (Наноиндустрия, 2025).
Награды и премии
- Государственная премия СССР (1986)
- премия Правительства РФ в области науки и техники (2004,2019)
- Орден Почёта (5 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук[13]
- орден Дружбы народов (1982),
- золотая медаль ВДНХ,
- медаль международного смотра НТТМ,
- нагрудный знак «Почетный работник электронной промышленности»
- нагрудный знак «Отличник соцсоревнования электронной промышленности»
- медаль лауреата Всероссийского конкурса «Инженер года» (2001 г.).
Примечания
Ссылки
- Профиль Евгения Сергеевича Горнева на официальном сайте РАН