Лукичев, Владимир Фёдорович

Родился 12 ноября 1954 года.

В 1972 году окончил физико-математическую школу-интернат № 18 имени А. Н. Колмогорова.

В 1978 году окончил физический факультет МГУ.

В 1983 году защитил кандидатскую диссертацию (тема: «Исследование полупространства с комплексной структурой»^[1]), а в 1997 году — докторскую диссертацию.

С 1988 года работает в Физико-технологическом институте Российской Академии Наук, с апреля 2005 года — заместитель директора по научной работе, с мая 2017 года — директор института^[2]

В 2011 году избран членом-корреспондентом РАН (отделение нанотехнологий и информационных технологий секция вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы).

Основные научные результаты:

• получены граничные условия (Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина, обобщение которых позволяет рассчитывать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, а также многозонных сверхпроводников, таких как MgB2^[3];
• разработана многокомпонентная модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур, исследованы предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения^[3];
• дано теоретическое обоснование апертурного эффекта, предсказан обратный апертурный эффект в процессах РИТ, что используется в проектировании интегральных схем^[4]; оптимизированы параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, что используется при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для авиационных навигационных систем;
• разработана модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих р-п переходов, что позволило получить р-п переходы с глубиной залегания до 10 нм для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров^[5];
• внёс вклад в развитие квантовых технологий, возглавив в ФТИАН им. К. А. Валиева РАН работы по созданию элементной базы для квантовых вычислений на основе полупроводниковых кубитов, которые считаются перспективной платформой для масштабируемого квантового процессора^[5]. В рамках этого направления занимается исследованиями в области томографии оптических квантовых состояний, прецизионной реконструкции кудитов и применения статистического анализа к задачам квантовой механики^[6][7].

Помимо руководства ФТИАН им. К. А. Валиева РАН^[8], возглавляет Отделение физико-технологических исследований имени К. А. Валиева в составе НИЦ «Курчатовский институт»^[9]. Занимает пост заместителя председателя Научного Совета при Президиуме РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания»^[10] и является членом научного совета РАН «Квантовые технологии»^[11]. Является заместителем главного редактора журнала «Микроэлектроника»^[12][13].

Ведёт преподавательскую деятельность в должности профессора базовой кафедры МФТИ «Наноэлектроника и квантовые компьютеры»^[10]. Под его научным руководством были защищены кандидатские диссертации, в том числе М. К. Руденко^[14] и А. Н. Антоновича^[15]. Входит в состав диссертационного совета МИФИ.05.03 при НИЯУ МИФИ^[16].

• Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997)^[17]

Автор более 200 научных работ, в том числе:

• Куприянов, М. Ю. Температурная зависимость критического тока сверхпроводников / Куприянов М. Ю., Лукичев В. Ф. // ФНТ, 1980, т.6, № 4 с. 445—453.
• Куприянов, М. Ю. Влияние эффективного взаимодействия электронов на критический ток джозефсоновских слабых связей / Куприянов М. Ю., Лихарев К. К., Лукичев В. Ф. // ЖЭТФ, 1982, т.83, вып.7, с. 431—441.
• Куприянов, М. Ю. Влияние прозрачности границ на критический ток «грязных» SS’S структур / Куприянов М. Ю., Лукичев В. Ф. // ЖЭТФ, 1988, т.94, вып.6, с.139-149.
• Lukichev, V.F Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effeсts observed in silicon reactive ion etching / Lukichev V.F., Rudenko K.V., Fischer D., Voges E., Yunkin V.A. // Microelectronic Engineering. 1996. Т. 30. № 1-4. С. 345—348.
• Lukichev, V.F. A New approach to aspect ratio independent etching // Microelectronic Engineering. 1998. Т. 41-42. С. 423—426.
• Lukichev, V.F. Etch rate scaling and profile similarity upon plasmochemical etching / Lukichev V.F., Yunkin V.A. // Russian Microelectronics. 1998. Т. 27. № 3. С. 194—203.
• V’yurkov V. V. , S. D. Ananiev, and V. F. Lukichev. Strong Influence of Surface Scattering on the Electron Transport through Magnetic Multilayers. Russian Microelectronics, 2005, V. 34, P. 339—343 (2005).
• Shumilov, A.S. Simulating the chlorine plasma etching profile of high-aspect-ratio trenches in Si / Shumilov A.S., Amirov I.I., Luckichev V.F. // Russian Microelectronics. 2017. Т.46. № 5. С. 301—308.
• Asadov, S.M. Charge Transport in Layer Gallium Monosulfide in Direct and Alternate Electric Fields / Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. // Russian Microelectronics — V.48 (6) — 2019 — pp. 422—427.
• Uvarov, I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio / Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. // Russian Microelectronics, v. 49, pages 253—262 (2020).
• Кальнов В. А. К вопросу о деградации состояний HRS и LRS мемристоров и времени хранения данных / Кальнов В. А., Мяконьких А. В., Руденко К. В., Лукичев В. Ф. // Микроэлектроника, 2021, т. 50, № 1^[18].
• Bogdanov Y.I. Bayesian method for estimating the state of a quantum system from the results of measurements of observables represented by non-commuting operators / Bogdanov Y.I., Bogdanova N.A., Lukichev V.F. // Journal of Physics: Conference Series, 2021^[18].
• Asadov S.M. Ab initio расчёты электронных свойств, частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и край оптического поглощения монокристаллов TlInS2<Sn> / Asadov S.M., Mustafaeva S.N., Guseinova S.S., Lukichev V.F. et al. // Физика твёрдого тела, 2022, № 6^[19].
• Amirov I.I. On temperature and flux dependence of isotropic silicon etching in inductively coupled SF6 plasma / Amirov I.I., Rudenko K.V., Lukichev V.F. et al. // Vacuum, 2022, Vol. 204.
• Bogdanov Y.I. High-precision tomography of ion qubits based on registration of fluorescent photons / Bogdanov Y.I., Dmitriev I.A., Bantysh B.I., Bogdanova N.A., Lukichev V.F. // Laser Physics Letters, 2023^[20].
• Асадов С. М. Моделирование электронных свойств, энтальпия образования и диэлектрические характеристики Yb-легированного монокристалла TlInS2 / Асадов С. М., Мустафаева С. Н., Гусейнова С. С., Лукичев В. Ф. // Журнал физической химии, 2024^[21].
• Вьюрков В. В. Квантовый регистр на пространственных состояниях электронов в полупроводниковых двойных квантовых точках / Вьюрков В. В., Дрожжин Д. А., Лукичев В. Ф. и др. // Патент на изобретение RU 2817337 C1, 15.04.2024^[22].