Неизвестный, Игорь Георгиевич

Игорь Неизвестный родился 26 ноября 1931 года в Одессе. Дед по матери — чл.-корр. АН СССР, академик АН УССР Александр Яковлевич Орлов^[1].

В 1956 году окончил электромеханический факультет Московского энергетического института по специальности «Диэлектрики и полупроводники», ученик А. В. Ржанова. С 1956 по 1962 год работал в Физическом институте АН СССР.

С 1962 года работал в Институте физики полупроводников СО АН СССР, заместитель директора по научной работе (1962—1973 и 1980—2004), с 1973 по 1980 год — заведующий лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур», с 2004 года — заведующий отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники», советник РАН.

Преподаватель Новосибирского государственного технического университета, с 1983 года — профессор^[2].

Научный руководитель и консультант 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций.

Член редакционной коллегии научного издания «Микроэлектроника».

Кандидат физико-математических наук (1966, тема диссертации «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия»), доктор физико-математических наук (1980, тема диссертации «Исследование границы раздела германий — диэлектрик»).

Фундаментальные результаты в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов. Исследовал физические процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик, взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами. Вёл компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв. Работы посвящены квантовой криптографии, поверхностно-барьерным биосенсорам.

• Орден Трудового Красного Знамени (1971);
• Лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники (1995) — за открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов;
• Премия правительства РФ в области образования (2012);
• Благодарность президента Российской Федерации^[3].