Двухслойный графен
Двухслойный графен — двумерная аллотропная модификация углерода, образованная двумя близко расположенными слоями графена. Так как они расположены на расстоянии меньше 1 нм друг от друга, электроны из одного слоя графена могут туннелировать в другой, что приводит к появлению нового закона дисперсии для носителей тока. Обычно рассматривают двуслойный графен, в котором второй слой повёрнут на 60 градусов относительно первого. Это приводит к тому, что подрешётки A в нижнем графене и подрешётка B в верхнем графене выровнены в вертикальном направлении. Эта конфигурация называется AB stacking и встречается в графите.
Транспортные свойства двухслойного графена были впервые исследованы в Манчестерском университете в лаборатории А. Гейма.[1]
Гамильтониан
Гамильтониан двухслойного графена при приложенном электрическом поле между слоями записывается в виде[2][3]
где V — потенциал слоёв, c — фермиевская скорость, , , px и py — импульсы по x и по y, — туннелирование между слоями. Этот гамильтониан действует на вектор , где индексы обозначают слой, а буквы подрешётку. Спин и долина здесь не учитывается.
Примечания
Литература
- Katsnelson M. I. Графен: углерод в двух измерениях = Graphene: Carbon in Two Dimensions. — New York: Cambridge University Press, 2012. — 366 p. — ISBN 978-0-521-19540-9.