Керамика из нитрида кремния имеет высокую прочность в широком диапазоне температур, умеренную теплопроводность, низкий коэффициент теплового расширения, умеренно-высокий коэффициент упругости и необычайно высокую, для керамики, вязкость разрушения. Такое сочетание свойств приводит к отличной тепловой ударостойкости, способности выдерживать высокие нагрузки при высоких температурах, сохраняя превосходную износостойкость. Благодаря своему низкому удельному весу, кристаллический нитрид кремния хорошо подходит для протезирования человеческих костей[1].
По сравнению с диоксидом кремния, нитрид в аморфном состоянии имеет более высокую концентрацию электронных и дырочных ловушек (около 1019 см−3), причём эти ловушки являются относительно глубокими (около 1,5 эВ). Это позволяет использовать нитрид кремния в качестве эффективного запоминающего устройства: инжектированные в него электроны и дырки локализуются (захватываются) ловушками и могут находиться в них в течение порядка 10 лет при температуре 85 °C[1].
Также по сравнению с оксидом нитрид кремния обладает высокой диэлектрической проницаемостью (около 7, в то время как у SiO2 — 3,9), поэтому он используется в ряде устройств в качестве изолятора[1].
Изделия из нитрида кремния получают спеканием при высоких температурах, горячим прессованием, пиролизом соединений кремния. Высококачественные изделия получаются с помощью спекания в газостатических установках под высоким давлением в присутствии азота.
Нитрид кремния трудно получить в качестве единого материала из-за того что он не может быть нагрет более 1850 °C — это значительно ниже температуры плавления (кремний и азотдиссоциируют). Таким образом применение обычного термического метода спекания (англ.hot press sintering) является проблематичным. Склеивание порошкообразного нитрида кремния может быть достигнуто при более низких температурах путём добавления дополнительных материалов, которые обычно улучшают уровень спекания. Альтернативой является метод использования искрового плазменного спекания (Spark Plasma Sintering)[2] , где нагрев осуществляется очень быстро (в секундах); где импульсы электрического тока проходят через спрессованный заранее порошок. Плотные изделия из нитрида кремния были получены этим методом при температурах 1500—1700 °C.
Существуют три кристаллографические структуры нитрида кремния, названные α, β и γ. Α и β фазы являются наиболее распространёнными формами нитрида кремния, могут быть произведены при обычном давлении. Γ фаза может быть синтезирована при высоких давлениях и температурах и при давлении 35 ГПа.
Α и β-Si3N4 имеют тригональную сингонию (Символ Пирсона hP28, пространственная группа P31c, № 159) и гексагональную (hP14, P63, № 173) структуры соответственно, которые построены по углам обмена тетраэдров Si3N4. Их можно рассматривать как структуры, состоящие из слоёв кремния и атомов азота в последовательности ABAB … или АВСВАВСВ … в β-Si3N4 и α-Si3N4 соответственно. Слой AB повторяется и в α, и в β фазах, а CD с АВ на плоскости скольжения только в α фазе. Тетраэдры в Si3N4 в β форме соединены между собой таким образом, что тоннели формируются параллельно оси элементарной ячейки. В связи с плоскостью скольжения, которая находится с AB до CD, α структура содержит пустоты вместо тоннелей. Кубическая γ-Si3N4 форма часто называется «с-модификацией» в литературе, по аналогии с кубической модификацией нитрида бора (с-BN). Γ-форма нитрида кремния имеет структуру шпинели, в которой каждые два атомакремния соединяются с шестью атомами азота, образуя октаэдр, и один атом кремния соединяет четыре атома азота, образуя тетраэдр.
Более длинная последовательность укладки приводит к получению α-фазы с более высокой твёрдостью, по сравнению с β-фазой. Тем не менее, α-фаза химически неустойчива по сравнению с β-фазой. При высоких температурах, будучи нагретой до жидкой фазы, α-фаза переходит в β-фазу. Таким образом, β-Si3N4 является основной формой, используемой в керамическом деле.
Свойства α и β-Si3N4 форм:
Для α-Si3N4: а=0,7765 нм, с=0,5622 нм, пространственная группа P31c;
Для β-Si3N4: а=0,7606 нм, с=0,2909 нм, пространственная группа P63/m.
α-Si3N4 превращается в β-форму при температуре выше 1400 °C.
Нитрид кремния наряду с оксидом и оксинитридом кремния является ключевым материалом в кремниевых электронных приборах[1].
Тонкие плёнки нитрида кремния чаще всего являются изолирующим слоем в кремниевой электронике; кантилевер из нитрида кремния является зондирующей частью атомного силового микроскопа.
Нитрид кремния был впервые получен в 1857 годуАнри Сент-Клер Девилем и Фридрихом Вёлером, но его активное промышленное производство началось только с 1950-х. В природе Si3N4 был найден в 1990-х годах как крошечное включение в метеоритах, и был назван после ниритом в честь американского физика Альфреда Нира.
↑Изначально использованный в статье термин "нитрование" применяется в органической химии для обозначения введения NO2-группы в вещество. Получение соединений металла или неметалла с азотом (как правило, на поверхности, но иногда и в объёме) называется азотированием, реже - нитрированием (заимствование от немецкого Nitrierung).
↑Словарь-справочник по новой керамике / Шведков Е. Л., Ковенский И. И., Денисенко Э. Т., Зырин А. В.; Ответственный редактор Трефилов В. И.— Киев: Наукова думка, 1991.—280 с.