Крёмер, Герберт
Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer; 25 августа 1928, Веймар, Тюрингия[d] — 8 марта 2024) — немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».
Иностранный член Национальной инженерной академии США (1997)[2][3], иностранный член Национальной академии наук США (2003)[4].
Общие сведения
| Герберт Крёмер | |
|---|---|
| нем. Herbert Krömer | |
| Дата рождения | 25 августа 1928 |
| Место рождения | Веймар, Германия |
| Дата смерти | 8 марта 2024 (95 лет) |
| Страна | |
| Научная сфера | электротехника |
| Место работы | |
| Образование | |
| Научный руководитель | Фриц Саутер[d] и Ричард Бекер[1] |
| Награды и премии |
 Нобелевская премия по физике (2000) |
Биография
В 1947 году поступил в Йенский университет.
В 1948 году бежал в Западный Берлин, поступил в Гёттингенский университет.
В 1952 году защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. Работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты.
В 1954 году переехал в США, работал в исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто.
С 1968 по 1976 год преподавал в университете Колорадо, перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.
В 2000 году присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.
Умер 8 марта 2024 года[5].
Достижения
Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.
Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.
Награды
- Награда имени Дж. Дж. Эберс, от IEEE, 1973;
- Золотая медаль Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982;
- Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983;
- Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986;
- Премия Гумбольдта, 1994;
- Нобелевская премия по физике, 2000.
Общественная деятельность
В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединенных Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО)[6][7][8].
Примечания
Ссылки
- Г. Крёмер. «Квазиэлектрическое поле и разрывы зон. Обучение электронов новым фокусам». Нобелевская лекция. Успехи физических наук, том 172, выпуск 9, сентябрь 2002
- Информация с сайта Нобелевского комитета (англ.)
- Домашняя страница Герберта Крёмера на сайте Калифорнийского университета в Санта-Барбаре (англ.)
 | ||||
|---|---|---|---|---|
| Словари и энциклопедии | ||||
Лауреаты Нобелевской премии по физике в 1976—2000 годах | |
|---|---|
| |
| |
