Крёмер, Герберт

Родился 25 августа 1928 года в Веймаре. В 1947 году поступил в Йенский университет. В 1948 году бежал в Западный Берлин, поступил в Гёттингенский университет.

В 1952 году защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. Работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты.

В 1954 году переехал в США, работал в исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1954 года он являлся сотрудником «RCA Laboratories», с 1957 года работал в «Phillips Research Laboratory», а в период с 1959 по 1966 год — в «Varian Associates»^[7][8][9].

С 1968 по 1976 год преподавал в университете Колорадо, перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре. В 2012 году Крёмер вышел на пенсию, получив статус профессора-эмерита^[10].

В 2000 году присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.

Умер 8 марта 2024 года в Санта-Барбаре. До конца жизни он сохранял остроту ума и чувство юмора, а также продолжал наставническую деятельность^[11].

Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии. Концепция гетероструктурного биполярного транзистора заключалась в использовании различных полупроводниковых материалов для эмиттера и базы^[12][13]. В лазере на двойной гетероструктуре внешние области имеют более широкую запрещённую зону для удержания инжектированных носителей заряда, что обеспечивает непрерывную инверсную заселённость и работу устройства при комнатной температуре^[14][9]. Эти фундаментальные разработки легли в основу многих современных технологий: быстродействующие транзисторы применяются в усилителях мощности мобильной связи и спутниковых системах, а полупроводниковые лазеры и светодиоды стали базой для оптоволоконных сетей, проигрывателей компакт-дисков (CD) и различной оптоэлектроники^{[15][13][16][17]}.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb. Важным достижением Крёмера в развитии технологии молекулярно-лучевой эпитаксии стала разработка методов контроля локального состава на атомарном уровне, что позволило экспериментально конструировать заданные зонные диаграммы^[18]. В исследованиях систем InAs, GaSb и AlSb после 1985 года особое внимание уделялось концепции «broken-gap» (беззонных) гетеропереходов. Было изучено выравнивание в системе InAs/GaSb, при котором дно зоны проводимости InAs опускается ниже потолка валентной зоны GaSb, что нашло применение в создании сверхрешёток с настраиваемой запрещённой зоной для инфракрасных детекторов^[18][19]. Кроме того, исследовались гетеропереходы InAs/AlSb, закрывающие «broken-gap» и создающие большое смещение зоны проводимости для формирования глубоких квантовых ям и высоких туннельных барьеров.

• Награда имени Дж. Дж. Эберс, от IEEE, 1973;
• Золотая медаль Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982;
• Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983;
• Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986;
• Премия Гумбольдта, 1994;
• Нобелевская премия по физике, 2000.
• Большой крест ордена «За заслуги перед Федеративной Республикой Германия», 2001^[20][8][21];
• Награда «Золотая тарелка» от Американской академии достижений, 2001^[21];
• Медаль Почёта IEEE, 2002^{[20][8][21][22]}.

В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединенных Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО)^[23][24].