Weebit Nano

Компания была основана как стартап в Израиле в 2015 году на основе исследований и патентов профессора Джеймса Тура из Университета Райса с основной целью коммерциализации технологии ReRAM.

В 2016 году компания успешно объединилась с Radar Iron из Австралии, после чего объединённая структура получила название Weebit Nano и стала торговаться на Австралийской фондовой бирже под тикером WBT^[4].

В 2016 году Weebit Nano и CEA-Leti подписали соглашение о партнёрстве для совместной разработки технологий ReRAM. С тех пор Weebit Nano тесно сотрудничает с CEA-Leti по дальнейшему развитию и совершенствованию базовых технологий ReRAM, при этом компания обладает правами на коммерциализацию совместных разработок. В ноябре 2020 года партнёрство было расширено для включения новых улучшений ReRAM, разработки встраиваемого модуля памяти и селектора для рынка автономной памяти^[5].

Давид «Дади» Перлмуттер стал председателем совета директоров Weebit в мае 2016 года^[6].

В октябре 2017 года Коби Ханох присоединился к компании в качестве генерального директора^[7].

В ноябре 2018 года Weebit объявила о сотрудничестве с исследовательской группой по невозвратимой памяти Индийского технологического института Дели (IITD) по проекту изучения применения ReRAM Weebit для определённых видов нейроморфных приложений — для искусственного интеллекта.

В январе 2019 года Weebit объявила о сотрудничестве с командой Политехнического университета Милана для тестирования, характеристики и внедрения разработанных алгоритмов с использованием ReRAM Weebit. Цель проекта — продемонстрировать возможности аппаратных решений на основе ReRAM в нейроморфных и ИИ-приложениях^[8].

В феврале 2019 года Weebit и Технион — Израильский технологический институт объявили о сотрудничестве по изучению возможного применения устройств ReRAM в новой архитектуре вычислений, способной ускорить обработку, скорость передачи и пропускную способность памяти, а также снизить задержки при меньшем энергопотреблении^[9].

В декабре 2019 года XTX Technology и Weebit подтвердили технические параметры массива ReRAM Weebit в лабораториях XTX. XTX успешно верифицировала измерения NVM Weebit, ранее полученные во французском институте Leti^[10].

В феврале 2020 года Weebit подписала Письмо о намерениях с SiEn (QingDao) Integrated Circuits Co., Ltd. (SiEn) о совместном исследовании применения технологий Weebit в продуктах SiEn^[11].

В октябре 2020 года Weebit совместно с Leti завершила процесс стабилизации технологии, подготовив её к передаче на производственную фабрику^[12].

В сентябре 2021 года Weebit и SkyWater Technology объявили о соглашении по выводу ReRAM Weebit на массовое производство^[13]. В рамках соглашения SkyWater лицензировала технологию ReRAM Weebit для использования в качестве встраиваемой невозвратимой памяти в проектах заказчиков^[14].

В сентябре 2021 года Weebit совместно с Leti произвела, протестировала и охарактеризовала полностью работоспособные массивы ReRAM объёмом 1 Мбит по 28-нм FDSOI-процессу на 300-мм пластинах^[15].

В июне 2022 года Weebit впервые публично продемонстрировала свой IP-модуль ReRAM^[16].

В июне 2022 года Weebit выпустила демонстрационные чипы с интегрированным встраиваемым модулем ReRAM на фабрике SkyWater Technology^[17]. В ноябре 2022 года Weebit получила от SkyWater первые производственные пластины с интегрированной технологией ReRAM — впервые пластины с ReRAM Weebit были получены с производственной фабрики^[18].

В марте 2023 года Weebit и SkyWater объявили о доступности первого коммерческого IP-продукта ReRAM Weebit. IP в процессе SkyWater S130 ориентирован на автомобильные, оборонные и другие приложения^[19].

В июне 2023 года Weebit и SkyWater подтвердили, что IP ReRAM Weebit полностью квалифицирован для промышленных температур с использованием 130-нм процесса SkyWater CMOS (S130)^[20].

В октябре 2023 года фабрика DB HiTek лицензировала ReRAM Weebit для использования в проектах своих клиентов. ReRAM Weebit будет доступна в 130-нм BCD-процессе DB HiTek^[21].

В мае 2024 года Weebit и Efabless Corp. объявили о сотрудничестве, предоставляющем клиентам Efabless chipIgnite доступ к ReRAM Weebit для прототипирования на 130-нм процессе SkyWater CMOS (S130)^[22].

В январе 2025 года Weebit лицензировала свою технологию ReRAM ведущему поставщику полупроводников onsemi. IP ReRAM Weebit будет интегрирован в платформу onsemi Treo для обеспечения встраиваемой NVM^[23].

Weebit подписала лицензионное соглашение на проектирование с первым продуктовым заказчиком — американской компанией, планирующей внедрить технологию Weebit в приложения, связанные с безопасностью^[24].

Генеральным директором Weebit Nano является Коби Ханох^[25]. Ханох ранее занимал должности вице-президента по глобальным продажам и члена совета директоров компании Codasip^[26], вице-президента по продажам в компании EDA Jasper Design Automation^[27] и генерального директора PacketLight^[28], разработчика оборудования DWDN и OTN для передачи данных. Также он был членом команды-основателей и вице-президентом компании EDA Verisity^[29]. Ранее он занимал руководящие инженерные должности в National Semiconductor^[27].

В совет директоров Weebit Nano, помимо Коби Ханоха, входят:

• Давид «Дади» Перлмуттер (председатель)^[30], также председатель совета директоров Teramount^[31] и Israel Innovation Institute^[32], ранее — исполнительный вице-президент, директор по продуктам и генеральный директор группы архитектуры Intel^[33].
• Йоав Ниссан Коэн (независимый директор)^[34], генеральный директор и основатель Zullavision^[35], ранее — президент, со-генеральный директор и председатель Tower Semiconductor^[34].
• Атик Раза (независимый директор)^[36], исполнительный председатель Virsec Systems^[37], ранее занимал руководящие должности в AMD и Raza Microelectronics^[38].
• Эшли Кронголд (независимый директор), генеральный директор Krongold Group, ранее — один из основателей Investec Bank Australia^[39].
• Наоми Симсон (независимый директор), основательница RedBalloon и соосновательница Big Red Group, также входит в советы директоров Big Red Group, Australian Payments Plus, Colonial First State, факультета экономики и бизнеса Мельбурнского университета и Cerebral Palsy Research Foundation^[40].
• Энн Темплман-Джонс (независимый директор), также входит в советы директоров New South Wales Treasury Corporation (TCorp), Trifork AG и Erilyan Pty Ltd^[41].

Weebit Nano производит резистивную память с произвольным доступом (ReRAM) — специализированный тип памяти с произвольным доступом, сохраняющий своё состояние (и данные) даже при отключении питания. ReRAM используется в специализированных областях, где требуется сохранение данных несмотря на внешние воздействия, например, в аэрокосмической, транспортной и медицинской сферах. Существует два основных типа ReRAM: Conductive Bridge ReRAM (CBRAM) и Oxygen Vacancy ReRAM (OxRAM). Weebit Nano реализует OxRAM в своих разработках; считается, что OxRAM обладает лучшими характеристиками хранения данных по сравнению с CBRAM.

При производстве полупроводниковых пластин технологии памяти могут интегрироваться как на этапе front-end-of-line (FEOL), так и на более поздних этапах back-end-of-line (BEOL). ReRAM Weebit Nano проще интегрировать в производственные процессы, поскольку она реализуется на поздних слоях BEOL, а не на ранних FEOL. Для изготовления транзисторов на пластинах используются две основные технологии: bulk CMOS и FD-SOI. Weebit Nano применяет совместимый с CMOS процесс, позволяющий быстро разрабатывать и интегрировать решения в любые фабрики с использованием распространённых методов и оборудования^[42].

С 2016 года Weebit Nano сотрудничает с французским институтом CEA-Leti, одним из крупнейших европейских исследовательских центров в области нанотехнологий^[43]. Совместные работы велись по технологическим узлам 40 нм и 130 нм^[44].

Weebit и Leti также продемонстрировали нейроморфный демо-пример для задач ИИ, где схемы памяти имитируют работу человеческого мозга. По состоянию на ноябрь 2020 года основное внимание CEA-Leti и Weebit Nano уделяется дальнейшему совершенствованию технологии ReRAM^[45].

Ключевые технические достижения:

• Ноябрь 2017 — производство рабочих образцов ячеек SiOx RRAM по 40-нм технологии, подтверждена способность ячеек сохранять память на различных пластинах^[46].
• Июнь 2018 — демонстрация работоспособного массива ReRAM объёмом 1 Мбит, изготовленного по 40-нм технологии^[47].
• Август 2018 — производство первых упакованных устройств с массивами памяти на базе ReRAM Weebit^[48].
• Февраль 2020 — демонстрация спайковой нейронной сети на базе ReRAM^[49].
• Октябрь 2020 — завершение процесса стабилизации технологии, подготовка к передаче на производственную фабрику^[12].
• Сентябрь 2021 — производство, тестирование и характеристика полностью работоспособных массивов ReRAM объёмом 1 Мбит по 28-нм FDSOI-процессу на 300-мм пластинах^[50].
• Декабрь 2021 — демонстрационные пластины с интегрированным встраиваемым модулем ReRAM Weebit^[51].
• Январь 2022 — демонстрация первых перекрёстных массивов ReRAM Weebit^[52].
• Март 2022 — совместная с CEA-Leti разработка IP-модуля памяти с много-мегабитным блоком ReRAM для 22-нм FD-SOI процесса^[53].
• Октябрь 2022 — завершена полная квалификация модуля ReRAM, изготовленного партнёром CEA-Leti^[54].
• Январь 2023 — совместно с CEA-Leti и CEA-List произведён tape-out демонстрационного чипа по 22-нм FD-SOI процессу^[55].
• Март 2023 — опубликованы первые результаты исследований радиационной стойкости, проведённых с группой Nino Research Group (NRG) Университета Флориды, показавшие сохранение целостности данных и работоспособности памяти ReRAM Weebit после воздействия больших доз гамма-излучения^[56].
• Март 2023 — объявлена доступность первого IP-продукта ReRAM в 130-нм CMOS-процессе SkyWater Technology, продемонстрированного на отраслевой выставке Embedded World^[57].
• Июль 2023 — квалификация ReRAM Weebit до 125 °C, что соответствует требованиям автомобильного класса 1 для NVM^[58].
• Ноябрь 2023 — получены первые пластины с интегрированным встраиваемым ReRAM Weebit, изготовленные по процессу GlobalFoundries 22FDX^[59]. В марте 2024 года Weebit объявила о планах провести живую демонстрацию чипа на 22FDX на Embedded World 2024^[60].
• Weebit и SkyWater объявили о полной квалификации модуля ReRAM Weebit при температурах до 125 °C на платформе SkyWater S130^[61].
• Weebit продемонстрировала высокую выносливость и надёжность ReRAM в условиях, характерных для автомобильной промышленности, включая температуры до 150 °C и длительные циклы программирования^[62].
• DB HiTek и Weebit объявили о tape-out модуля ReRAM Weebit в 130-нм BCD-процессе DB HiTek^[63].
• Weebit квалифицировала модуль ReRAM по стандарту AEC-Q100 для высокотемпературных автомобильных применений. Тесты проводились на модуле памяти с массивом ячеек 1T1R, реализованном по 130-нм процессу SkyWater^[64].
• Weebit успешно выполнила tape-out тестовых чипов с встраиваемым модулем ReRAM на 300-мм производственной фабрике onsemi в Ист-Фишкилле, штат Нью-Йорк. Ожидается, что продукты следующего поколения onsemi будут использовать эту память^[65].