Хагельстайн, Питер

Пи́тер Л. Ха́гельстайн (англ. Peter L. Hagelstein; род. 31 июля 1954, Инглвуд, Лос-Анджелес, Калифорния, США) — американский физик-теоретик и инженер-электрик. Известен работами по созданию рентгеновских лазеров и исследованиями в области холодного ядерного синтеза[1].

Общие сведения
Питер Л. Хагельстайн
англ. Peter L. Hagelstein
Дата рождения 31 июля 1954(1954-07-31) (72 года)
Место рождения
Страна
Образование
Род деятельности физик-теоретик, инженер-электрик
Награды и премии

Биография

Хагельстайн окончил Массачусетский технологический институт (MIT). В 1976 году он получил степень магистра, а в 1981 году — докторскую степень по электротехнике. С 1981 по 1985 год работал в Ливерморской национальной лаборатории. Там он участвовал в разработке рентгеновских лазеров с ядерной накачкой. Эти лазеры предназначались для космической противоракетной обороны в рамках Стратегической оборонной инициативы (СОИ) президента Рональда Рейгана. В 1984 году за эту работу он получил премию Эрнеста Орландо Лоуренса. В 1986 году вернулся на факультет электротехники и информатики MIT. Сейчас он работает доцентом в Исследовательской лаборатории электроники (RLE). Он исследует механизмы преобразования тепловой энергии в электрическую в полупроводниках. В 2001 году Хагельстайн и его коллеги представили концепцию «теплового диода».

В 1985 году в составе исследовательской группы Ливерморской лаборатории он успешно продемонстрировал вынужденное излучение (работу лазера) в мягком рентгеновском диапазоне. Совместно с группой Шимона Сукевера из Принстона они первыми добились работы лазера в этом диапазоне. Хагельстайн также участвовал в создании настольных рентгеновских лазеров.

С 1989 года Хагельстайн исследует холодный ядерный синтез. Он подал несколько патентов на основе собственной теории. Эта теория объясняла избыточное выделение тепла в электролизных ячейках палладий-дейтерий, о котором заявили Мартин Флейшман и Стэнли Понс. Результаты Флейшмана и Понса подверглись сомнению, в частности, в отчёте Министерства энергетики США (DOE) 1989 года. Тем не менее исследования в этой области продолжились. В 2003 году Хагельстайн организовал 10-ю конференцию по холодному синтезу. Он инициировал новую оценку результатов исследований Министерством энергетики. Оценка состоялась в 2004 году, но не выявила существенного прогресса по сравнению с 1989 годом.

Хагельстайн проводил теоретические и экспериментальные исследования холодного синтеза типа Флейшмана-Понса. Он выполнял демонстрационные эксперименты в MIT. В последнее время он изучал проблему отсутствия в экспериментах высокоэнергетических продуктов реакции (нейтронов, гамма-излучения). Эти продукты обычно ожидаются при реакциях синтеза в количестве, достаточном для объяснения избыточной энергии. Он исследовал упрощённые теоретические модели (модель спин-бозона). Целью было смоделировать распределение энергии (около 24 МэВ), высвобождаемой при слиянии двух ядер дейтерия в гелий. Энергия разделялась на множество мелких квантов путём связи с кристаллической решёткой ионов палладия (передача фононам решётки)[2]. В 2010 году в статье для журнала Naturwissenschaften он показал наличие строгих экспериментальных ограничений. Эти ограничения касаются гипотезы о том, что внутри катода происходят обычные реакции ядерного синтеза с образованием высокоэнергетичного ядра гелия, которое затем замедляется без выделения вторичного излучения.

Примечания

  1. Hagelstein am Research Lab for Electronics am MIT. Архивировано 12 февраля 2012 года.
  2. Interview mit Hagelstein, März 2010, auch zu seiner Einschätzung der generellen Forschungssituation dazu in den USA

Литература

  • Hagelstein, Stephen Senturia, Terry Orlando: Introductory applied quantum and statistical mechanics. Wiley, Interscience, 2004, ISBN 0-471-20276-2
  • Herausgeber mit Jorge G. Rocca Soft X-ray lasers and applications, Proc. SPIE, Band 2520, 1995

Ссылки