Сурис, Роберт Арнольдович

Родился в 1936 году в Москве, в семье архитектора Арнольда Суриса.

С отличием окончил физико-химический факультет МИСиСа (1960).

В 1964 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, в 1974 году — диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

Работал в НИИ «Пульсар» (Москва) и НИИ физических проблем (Зеленоград). С 1988 по 2018 год заведовал лабораторией, затем сектором теоретических основ микроэлектроники в Физико-техническом институте РАН, после чего до конца жизни являлся главным научным сотрудником и научным руководителем лаборатории^[2].^[1]

30 мая 1997 года избран членом-корреспондентом РАН, 25 мая 2006 года избран действительным членом РАН по Отделению физических наук.

Являлся членом редколлегий «Журнала технической физики», «Писем в Журнал технической физики» и журнала «Микроэлектроника». Являлся членом Президиума СПбНЦ РАН.

Умер 14 мая 2024 года на 88-м году жизни в Санкт-Петербурге^[1]. Прощание состоялось 20 мая 2024 года^[3].

В 1974—1988 годах преподавал в Московском физико-техническом институте (МФТИ) в должностях доцента, а затем профессора^[2].

Профессор, заведующий кафедрой физики твёрдого тела СПбПУ (1989—2012), с 2012 года заведовал кафедрой физики конденсированного состояния Санкт-Петербургского академического университета^[2][4].

Создатель научной школы, подготовил 7 докторов наук^[2].

Специалист по физике твердотельных наноструктур, физике полупроводников и физическим основам твердотельной электроники. Совместно с Р. Ф. Казариновым разработал теорию электрических и оптических свойств полупроводниковых сверхрешёток, выдвинул идеи и разработал теории каскадных лазеров на основе полупроводниковых сверхрешёток, гетеролазеров с распределённой обратной связью. Развил теорию лазеров на квантовых точках.

Создал теорию пограничных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и в структуре металл — оксид — полупроводник. Предсказал существование в плазме полупроводников волн перезарядки ловушек, определяющих свойства ИК-фотоприёмников и фоторефрактивных сред, и создал их теорию. Развил теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных плёнках высокотемпературных сверхпроводников, теорию коллективных эффектов и многочастичных электронно-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.

Имел более 3 тыс. цитирований своих работ, опубликованных в реферируемых журналах. Индекс Хирша — 28^[5].

В феврале 2022 года подписал открытое письмо российских учёных и научных журналистов с осуждением военных действий на Украине.

Был женат на дочери физика Б. Н. Финкельштейна (1902—1962).

• Государственная премия Российской Федерации
• Премия Ранка (1998)
• Премия имени А. Ф. Иоффе (2008, по данным СПбНЦ РАН) — за цикл работ «Теоретическое исследование низкоразмерных поверхностных явлений в полупроводниках»^[6] (по другим данным — в 2005 году за цикл работ «Исследование полупроводниковых сверхрешёток на основе квантовых ям и квантовых точек»)

• 12 февраля 2025 года в ФТИ им. А. Ф. Иоффе прошёл научный семинар, посвящённый памяти учёного^[7].
• В сентябре 2025 года в Академическом университете имени Ж. И. Алфёрова была открыта именная аудитория Роберта Суриса^[8].