Ржанов, Анатолий Васильевич

С началом Великой Отечественной войны в декабре 1941 года студентом выпускного курса ушёл добровольцем в части морской пехоты, служил на «морском охотнике» на Балтийском флоте^[3].

Получив краткосрочный отпуск для сдачи экзаменов и защиты диплома, окончил Ленинградский политехнический институт (1941, с отличием).

Воевал на Ленинградском фронте, на «Ораниенбаумском пятачке». Командовал отрядом разведчиков морской пехоты, участвовал в боевых операциях, разведке боем, совершал рейды в тыл врага. Младший лейтенант. Адъютант комбрига. В 1943 году в боях по прорыву блокады Ленинграда получил тяжёлое ранение^[4].

В конце 1943 года, демобилизованный из армии, сдал вступительные экзамены в аспирантуру Физического института им. Лебедева (ФИАН). Уже после демобилизации перенёс воспаление лёгких. Во время посещения бывших фронтовых сослуживцев вновь оказался участником боевых действий, получил контузию. Был награждён орденом Отечественной войны 2 степени. В 1944—1945 годах лечился в госпиталях от осложнений, полученных из-за ранений и контузий, ослеп на один глаз.

В 1948 году окончил аспирантуру ФИАН, участник первых в СССР работ по созданию полупроводникового транзистора. Кандидат физико-математических наук (22.06.1949)^[5].

В 1962 году по приглашению академика М. А. Лаврентьева с группой сотрудников ФИАНа переехал в новосибирский Академгородок, где организовал Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники (ныне — Институт физики полупроводников). Директор Института 1964—1990. Избран членом-корреспондентом АН СССР (1962). Академик АН СССР (1984). Заместитель председателя СО АН СССР (1985—1990).

Преподавал в Новосибирском государственном университете, где организовал кафедру физики полупроводников (1963), которую возглавлял долгие годы. В числе учеников Анатолия Васильевича три члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.

• Орден «За заслуги перед Отечеством» 4-й степени (1999)
• Орден Ленина (8.04.1980)^[6]
• Орден Октябрьской Революции
• Орден Трудового Красного Знамени
• Орден Отечественной войны 1-й степени (11.03.1985)
• Орден Отечественной войны 2-й степени
• Медаль «За отвагу»
• Медаль «За оборону Ленинграда»
• другие медали СССР
• Премия Совета Министров СССР

При переводе книги Шокли (Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953) выдержал серьёзную борьбу с редактором издательства, который упорно изменял термин — «носитель заряда — дырка» на «носитель заряда — отверстие»^[7].

Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.

В 2006 году Институту физики полупроводников СО РАН присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)^[8].

В 2010 году в честь А. В. Ржанова названа улица в новосибирском Академгородке, на которой расположен главный корпус Института физики полупроводников СО РАН^[9].