Матаре, Герберт

Его отцом был художник Йозеф Матаре (19 марта 1880 — 25 сентября 1966)^[3]. Его братом был скульптор Эвальд Матаре.

Матаре изучал математику, химию, электрохимию, атомную физику и физику твёрдого тела в Техническом университете Ахена и других университетах. В 1939 году получил диплом инженера по прикладной физике в Ахене. Затем последовала аспирантура по математике, физике и химии в Женевском университете. В 1939 году он начал работать в лаборатории разработки Telefunken в Берлине под руководством Вильгельма Рунге. В то время было ясно, что миниатюризация вакуумных ламп достигла технологических пределов и необходимо искать альтернативные решения. Для этого подходили твердотельные схемы и применение принципа транзистора из изобретений Юлия Эдгара Лилиенфельда, Оскара Хайля, Вальтера Шоттки и Роберта Вихарда Поля. После того как в начале марта 1943 года завод Telefunken в Целендорфе пострадал во время бомбардировки Берлина авиацией союзников, все лаборатории разработки Telefunken были переведены в цистерцианский монастырь Лойбус в Силезии, где Матаре занимался улучшением чувствительности приёмников сантиметровых волн. В 1943 году он получил степень доктора-инженера в Техническом университете Берлина.

Позже через Тюрингию, Ваберн под Касселем и Ахен, где в 1945—1946 годах он был ассистентом на лекциях у Вальтера Роговски и Вильгельма Фукса в физическом и электротехническом институте Рейнско-Вестфальского технического университета Ахена, он попал в Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse, небольшую компанию в Ольне-су-Буа под Парижем. В 1950 году он получил степень доктора физических наук в Высшей нормальной школе в Париже. В 1953 году он переехал в США и занимал различные должности, а также работал консультантом в лабораториях. В 1957 году он установил связи с TeKaDe в Нюрнберге, вернулся в Германию и создал там лабораторию полупроводников. Пять лет спустя он принял предложение лабораторий Bendix и снова переехал в США, где жил многие годы.

В то же время, что и американские исследователи, немецкие учёные Матаре и Велькер в период с 1945 по 1948 год разработали первый работающий «французский транзистор» в небольшой компании F & S Westinghouse в Ольне-су-Буа под Парижем. 13 августа 1948 года они подали заявку на патент. 18 мая 1949 года это европейское изобретение было представлено общественности как «Le Transistron».

В 1951—1952 годах Матаре основал в Дюссельдорфе компанию Intermetall, первую в мире компанию, предлагавшую диоды и транзисторы. Она финансировалась американской холдинговой компанией и позже была продана Clevite Corporation. После очередного поглощения холдингом ITT компания получила название «INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH».

• Член IEEE (за вклад в понимание высокочастотных полупроводниковых приборов, свойств кристаллов и электронных эффектов дислокаций).

• Почётный член Нью-Йоркской академии наук.
• Лауреат «Почётного кольца 2008» Фонда Эдуарда Рейна^[4].