Дефектон
Дефекто́н — обобщающее название квазичастиц в квантовых кристаллах.
Термин дефектон впервые был введён А. Ф. Андреевым и И. М. Лифшицем в 1969 г[1]. В этой же статье авторы ввели понятие «примесон» («impuriton»), но оно не прижилось, как и термин «инверсон»[2].
Квазичастицами в квантовых кристаллах могут быть точечные дефекты, такие как примесные атомы или вакансии. Дефектоны могут участвовать в высокотемпературной сверхпроводимости, например, в гидридах, где они представляют собой вакансии в заполненной при стехиометрии подрешётке водорода и атомы водорода в полностью свободной при стехиометрии подрешётке междоузлий[3].
Некоторые дефектоны могут свободно перемещаться по кристаллу, и для дефектона можно определить зависимость его энергии от квазиимпульса, называемую законом дисперсии дефектона. Таким дефектоном может быть атом в твёрдом гелии .
Если считать концентрацию дефектонов в кристалле конечной, возможны их столкновения друг с другом, а при конечной температуре — и с фононами. Если число столкновений дефектона мало, его можно считать свободным, а если велико за время прохождения или нахождения в элементарной ячейке кристалла, и он успевает прийти с кристаллом в энергетическое равновесие, то говорят о локализованном дефекте (дефектоне). Поскольку вероятность туннелирования дефектона в таком состоянии мала, для описания его поведения пользуются приближением сильной связи.
Примечания
Литература
- Шалимова К. В. Физика полупроводников. — СПб. : Лань, 2010.
- Стильбанс Л. С. Физика полупроводников. — М. : Советское радио, 1967.
- Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для вузов. — 3-е изд., стер. — СПб. : Лань, 2008.
Ссылки
| Правообладателем данного материала является АНО «Интернет-энциклопедия «РУВИКИ». Использование данного материала на других сайтах возможно только с согласия АНО «Интернет-энциклопедия «РУВИКИ». |