Премия Ника Холоньяка
Премия Ника Холоньяка (англ. Nick Holonyak, Jr. Award) — награда Оптического общества (OSA). Вручается за выдающиеся достижения в области оптики с использованием полупроводниковых устройств и материалов. Названа в честь учёного Ника Холоньяка. Учреждена в 1997 году[1][2]. Награждение проводится с 1998 года. Медалью награждены два лауреата Нобелевской премии.
Лауреаты
| Год | Лауреат | Обоснование награды |
|---|---|---|
| 1998 | M. George Craford | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible-wavelength light-emitting-diode (LED) materials and devices, including the first yellow LED and high-brightness, red-orange-yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp»
|
| 1999 | Dennis G. Deppe | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For the development of the oxide-confined vertical cavity surface-emitting laser»
|
| 2000 |  Жорес Иванович Алфёров
|
Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers»
|
| 2001 | Сюдзи Накамура
|
Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For original demonstration and commercialization of GaN-based semiconductor lasers and LEDs»
|
| 2002 | Pallab K. Bhattacharya | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For fundamental contributions to the development and understanding of quantum-dot lasers and other quantum-confined photonic devices»
|
| 2003 | Joe Charles Campbell | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For contributions to the development of high-speed, low-noise avalanche photodiodes»
|
| 2004 | Пётр Георгиевич Елисеев[3] | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers, beginning with homojunctions, progressing to heterostructures of InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb and including ultra-low-threshold quantum-dot structures»
|
| 2005 | P. Daniel Dapkus | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices»
|
| 2006 | James J. Coleman | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For a career of contributions to quantum well and strained-layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs»
|
| 2007 | Constance J. Chang-Hasnain | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For contributions to the control of diode lasers: vertical cavity surface emitting laser arrays, injection locking and slow light»
|
| 2008 | Kam Yin Lau | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For seminal contributions to high-speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain»
|
| 2009 | John E. Bowers | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers, modulators, amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits»
|
| 2010 | Dan Botez | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For fundamental contributions to high-power semiconductor lasers including active photonic-crystal structures for high coherent power generation; single-lobe grating-surface-emitting distributed-feedback lasers; and high-power, high-efficiency sources based on aluminum-free technology»
|
| 2011 | Yasuhiko Arakawa | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices»
|
| 2012 | Kent D. Choquette | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For contributions to the development of vertical cavity surface-emitting lasers»
|
| 2013 | Alessandro Tredicucci | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For demonstrating a terahertz quantum cascade device, the first compact injection laser in the far infrared»
|
| 2014 |  Чин Тан
|
Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For the discovery of efficient thin-film organic light-emitting diodes (OLED), which has led to novel display and lighting products»
|
| 2015 | Qing Hu | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For his pioneering contribution to high-performance THz quantum-cascade lasers and their applications in imaging and sensing»
|
| 2016 | Chennupati Jagadish | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For pioneering and sustained contributions to quantum-well, quantum-dot and nanowire optoelectronic devices and their integration»
|
| 2017 | Larry A. Coldren | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For major contributions to photonic integrated circuits»
|
| 2018 | Dieter Bimberg | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications»
|
| 2019 | Fumio Koyama | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For seminal contributions to VCSEL photonics and integration»
|
| 2020 | Kei May Lau | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For significant contributions to hetero-epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light-emitting diode microdisplays»
|
| 2021 | Martin D. Dawson | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For wide-ranging contributions to the development and application of III-V semiconductor devices especially including gallium nitride micro-LEDs and optically-pumped semiconductor lasers»
|
| 2022 | Marshall I. Nathan | Оригинальный текст (англ.)[показатьскрыть] «For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics»
|
Примечания
Ссылки
- Сайт премии Архивная копия от 6 июля 2015 на Wayback Machine