Мокеров, Владимир Григорьевич

Владимир Григорьевич Мокеров родился 2 мая 1940 года в семье сельского учителя. Отец — Григорий Иванович Мокеров, мать — Мария Сергеевна Мокерова. В 1945 году семья поселяется в Ленинграде. В 1957 году окончил ленинградскую среднюю школу № 35. В 1958 году поступил на Физический факультет Ленинградского государственного университета. В 1963 году Владимир Григорьевич окончил ЛГУ и поступил на должность инженера в НИИ Молекулярной электроники МЭП СССР в г. Зеленограде. В 1967 году обнаруживает аномальные явления при фазовом переходе полупроводник-металл в плёнках окислов ванадия^[4]. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрические и оптические свойства двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-полуметалл». С 1967 по 1988 год преподавал в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В 1977 году возглавил отдел изучения эпитаксиальных структур НИИМЭ. В 1982 году защитил докторскую диссертацию по теме «Исследование окислов ванадия»^[5]. В 1984 году в отделе Мокерова создан первый в СССР полевой транзистор на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs^[6][7].

В середине 1980-х годов являлся главным технологом Министерства электронной промышленности СССР по операционному контролю технологии больших интегральных схем. Его работы в этот период внесли значительный вклад в повышение качества и уровня отечественного производства микросхем. В 1988 году перешел на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР на должность руководителя Отдела Микро- и наноэлектроники. В 1989 году Мокерову В. Г. присвоено учёное звание профессора по специальности «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Преподавал в Московском физико-техническом институте. В 1991 году переходит на преподавательскую работу в Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), возглавив кафедру «Полупроводниковых приборов». С 1991 года — заместитель директора ИРЭ РАН по научной работе. В 1994 году в Отделе Мокерова созданы первые российские транзисторные структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAs^[8][9]

16 апреля 2002 года — вышло постановление Президиума РАН о создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, директором которого был назначен Мокеров В. Г.. 26 февраля 2008 года в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» создана кафедра Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники. Мокеров В. Г. был назначен заведующим кафедрой.

Являлся членом редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Радиотехника и электроника» и «Микросистемная техника». Являлся действительным членом — академиком Академии электротехнических наук РФ и членом Международного института инженеров-электриков и электронщиков (IEEE, Нью-Йорк, США). Скончался в Москве 23 сентября 2008 года. Похоронен на Ваганьковском кладбище Москвы^[10].

26 июля 2010 года был образован Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН профессора В. Г. Мокерова^[11], премирующий талантливых студентов и молодых ученых, работающих в области гетероструктурной СВЧ электроники именными стипендиями и грантами.

С мая 2010 года на базе НИЯУ МИФИ ежегодно проводятся Международные Научно-практические конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники под названием «Мокеровские чтения»^[12].

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 Федеральному государственному автономному научному учреждению Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук присвоено имя члена-корреспондента Российской академии наук Мокерова Владимира Григорьевича^[13].

• В 2006 году впервые в России разработана и изготовлена монолитная интегральная схема трехкаскадного малошумящего усилителя на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs^[14].
• В 2006—2008 году под руководством Мокерова в ИСВЧПЭ РАН начато освоение отечественной технологии изготовления транзисторов на широкозонной гетеросистеме AlGaN/GaN, увенчавшееся созданием транзисторов с 170 нм затвором, граничной частотой усиления по току 48 ГГц, по мощности — 100 ГГц и выходной мощностью более 4 Вт/мм^[15].
• В 2008 году впервые в России разработаны и изготовлены высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ транзисторы на гетероструктурах AlGaN/GaN с пробивным напряжением свыше 100 В., максимальной удельной мощностью не менее 4,5 Вт на один миллиметр длины затвора и предельной частотой усиления по мощности 110 ГГц, а также грибообразный затвор длиной 100 нм.
• Автор 350 научных работ и 12 изобретений^[16].

• 13 февраля 1986 года — награждён орденом «Дружбы народов».
• 16 марта 2000 года — лауреат Премии Правительства РФ в области науки и техники.
• 2001 год — награждён орденом Почета.