Балига, Джайянт

Джаянт Балига
Джаянт Балига
	B. Jayant Baliga
Дата рождения	28 апреля 1948 (78 лет)
Место рождения	Мадрас, Индия;
Страна	Индия; США;
Научная сфера	электроника
Место работы	Университет штата Северная Каролина
Образование	Политехнический институт Ренсселера; Индийский технологический институт Мадраса; Bishop Cotton Boys' School[d];
Учёная степень	докторская степень[d]
Награды и премии	Премия Морриса Либманна (1993) ; Национальная медаль США в области технологий и инноваций (2010) ; Медаль почёта IEEE] (2014) ; Глобальная энергия (2015)

Джаянт Балига
Джаянт Балига
	B. Jayant Baliga
Дата рождения	28 апреля 1948 (78 лет)
Место рождения	Мадрас, Индия;
Страна	Индия; США;
Научная сфера	электроника
Место работы	Университет штата Северная Каролина
Образование	Политехнический институт Ренсселера; Индийский технологический институт Мадраса; Bishop Cotton Boys' School[d];
Учёная степень	докторская степень[d]
Награды и премии	Премия Морриса Либманна (1993) ; Национальная медаль США в области технологий и инноваций (2010) ; Медаль почёта IEEE] (2014) ; Глобальная энергия (2015)

Джаянт Балига (англ. B. Jayant Baliga; 28 апреля 1948 год, Мадрас, Индия) — американский инженер в области электроники. Известен как один из изобретателей биполярного транзистора с изолированным затвором.

Награды

Джаянт Балига
B. Jayant Baliga
Дата рождения	28 апреля 1948(1948-04-28) (78 лет)
Место рождения	Мадрас, Индия^[1]
Страна	Индия США
Научная сфера	электроника
Место работы	Университет штата Северная Каролина
Образование	Политехнический институт Ренсселера Индийский технологический институт Мадраса Bishop Cotton Boys' School^[d]
Учёная степень	докторская степень^[d]^[1]
Награды и премии	Премия Морриса Либманна (1993) Национальная медаль США в области технологий и инноваций (2010) Медаль почёта IEEE] (2014) Глобальная энергия (2015)