АссистентНовый вопросИсторияОбласти знаний
Партнёрские проектыСпецпроектыСтать автором
Сменить язык
О РУВИКИ

Ржанов, Анатолий Васильевич

Анато́лий Васи́льевич Ржа́нов ( 9 апреля 1920, Иваново-Вознесенск, РСФСР — 25 июля 2000 или 2000, Новосибирск, Россия) — советский и российский учёный, специалист в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников. Академик АН СССР и РАН.

Общие сведения
Анатолий Васильевич Ржанов
Дата рождения 9 апреля 1920(1920-04-09)[1]
Место рождения
Дата смерти 25 июля 2000(2000-07-25) (80 лет) или 2000[2]
Место смерти
Страна  СССР→ Россия
Научная сфера микроэлектроника
Место работы ФИАН, ИФП СО РАН, НГУ
Образование
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание академик АН СССР (1984), академик РАН (1991)
Ученики И. Г. Неизвестный
Награды и премии
Орден «За заслуги перед Отечеством» 4-й степени Орден Ленина Орден Октябрьской Революции Орден Трудового Красного Знамени
Орден Отечественной войны I степени Орден Отечественной войны II степени Медаль «За отвагу» (СССР) Медаль «За оборону Ленинграда»
Премия Совета Министров СССР

Биография

Родился в семье кадрового военного Василия Ржанова. Окончил школу в Ленинграде, после чего в 1937 году поступил в Ленинградский политехнический институт[3].

С началом Великой Отечественной войны в декабре 1941 года студентом выпускного курса ушёл добровольцем в части морской пехоты, служил на «морском охотнике» на Балтийском флоте[4].

Получив краткосрочный отпуск для сдачи экзаменов и защиты диплома, окончил Ленинградский политехнический институт (1941, с отличием).

Воевал на Ленинградском фронте, на «Ораниенбаумском пятачке». Командовал отрядом разведчиков морской пехоты, участвовал в боевых операциях, разведке боем, совершал рейды в тыл врага. Младший лейтенант. Адъютант комбрига. В 1943 году в боях по прорыву блокады Ленинграда получил тяжёлое ранение, в результате которого ему удалили глаз[3][5].

В конце 1943 года, демобилизованный из армии, сдал вступительные экзамены в аспирантуру Физического института им. Лебедева (ФИАН). Уже после демобилизации перенёс воспаление лёгких. Во время посещения бывших фронтовых сослуживцев на Нарвском плацдарме принял командование своим бывшим отрядом разведчиков, попал под миномётный огонь, получил тяжёлое ранение и контузию. Был награждён орденом Отечественной войны 2 степени[3]. В 1944—1945 годах лечился в госпиталях от осложнений, полученных из-за ранений и контузий.

undefined

Научная деятельность

В 1948 году окончил аспирантуру ФИАН, участник первых в СССР работ по созданию полупроводникового транзистора. Кандидат физико-математических наук (22.06.1949)[6]. В 1961 году защитил докторскую диссертацию на тему «Исследования некоторых электронных процессов на поверхности германия» (Объединённый учёный совет математики, физики, полупроводников и металлофизики АН УССР)[7].

В 1962 году по приглашению академика М. А. Лаврентьева с группой сотрудников ФИАНа переехал в новосибирский Академгородок, где организовал Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники (ныне — Институт физики полупроводников). Директор Института 1964—1990. Избран членом-корреспондентом АН СССР (1962). Академик АН СССР (1984). Заместитель председателя СО АН СССР (1985—1990). Будучи первым директором Института физики полупроводников, он заложил основы сотрудничества с промышленностью, что способствовало созданию первых многоэлементных полупроводниковых элементов памяти (прообразов современных флеш-накопителей) и разработке установок молекулярно-лучевой эпитаксии[8][9]. После 1990 года стал почётным директором Института физики полупроводников СО РАН и советником Президиума СО РАН[10].

Преподавал в Новосибирском государственном университете, где организовал кафедру физики полупроводников (1963), которую возглавлял долгие годы. В числе учеников Анатолия Васильевича три члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.

Награды

Интересные факты

При переводе книги Шокли (Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953) выдержал серьёзную борьбу с редактором издательства, который упорно изменял термин — «носитель заряда — дырка» на «носитель заряда — отверстие»[12].

Память

undefined

Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.

В 2006 году Институту физики полупроводников СО РАН присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)[13].

В 2010 году в честь А. В. Ржанова названа улица в новосибирском Академгородке, на которой расположен главный корпус Института физики полупроводников СО РАН[14].

В Новосибирске на проспекте Академика Лаврентьева, 13 установлена мемориальная доска, посвящённая А. В. Ржанову[15].

В 2012 году учреждена Премия СО РАН имени А. В. Ржанова для молодых учёных за работы в области физических основ и элементной базы микро- и наноэлектроники[16].

Примечания

  1. ↑ 1 2 Ржанов Анатолий Васильевич // Большая советская энциклопедия: [в 30 т.] / под ред. А. М. Прохоров — 3-е изд. — М.: Советская энциклопедия, 1969.
  2. ↑ 1 2 3 Чешская национальная авторитетная база данных
  3. ↑ 1 2 3 Анатолий Васильевич Ржанов: путь от солдата до академика. ИФП СО РАН. Дата обращения: 26 июня 2026.
  4. ↑ Память народа. Дата обращения: 19 декабря 2016. Архивировано 25 января 2019 года.
  5. ↑ ВСЯ ЖИЗНЬ — РАЗВЕДКА БОЕМ. Дата обращения: 12 сентября 2015. Архивировано 10 марта 2016 года.
  6. ↑ 22 июня 1949 года (символично!) он защитил кандидатскую диссертацию по исследованию пьезоэлектрических свойств сегнетоэлектриков. Дата обращения: 12 сентября 2015. Архивировано 10 марта 2016 года.
  7. ↑ Ржанов, Анатолий Васильевич. Исследования некоторых электронных процессов на поверхности германия. Российская государственная библиотека. Дата обращения: 26 июня 2026.
  8. ↑ 60 лет Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова. Сибирское отделение Российской академии наук (28 мая 2024). Дата обращения: 26 июня 2026.
  9. ↑ Полупроводниковые инновации. Академгородок. Дата обращения: 26 июня 2026.
  10. ↑ Почетный директор Института физики полупроводников СО РАН. Прометеус. Дата обращения: 26 июня 2026.
  11. ↑ Указ Президиума Верховного Совета СССР от 8 апреля 1980 года № 1852—Х «О награждении члена-корреспондента Академии наук СССР Ржевцева А. А. орденом Ленина» // «Ведомости Верховного Совета Союза Советских Социалистических Республик». — № 16 (2038) от 16 апреля 1980 года. — Ст.290.
  12. ↑ Наука в Сибири // N 14 (2500) 15 апреля 2005 г. Дата обращения: 14 января 2017. Архивировано 16 января 2017 года.
  13. ↑ История Института. Дата обращения: 20 апреля 2022. Архивировано 19 апреля 2016 года.
  14. ↑ Улица имени Ржанова, [[Наука в Сибири]], № 1-2, 13 января 2011 г. Дата обращения: 9 ноября 2015. Архивировано 26 января 2019 года.
  15. ↑ Мемориальная доска А. В. Ржанову. 2ГИС. Дата обращения: 26 июня 2026.
  16. ↑ Картотека награждений. Память народа. Дата обращения: 26 июня 2026.

Литература

  • След на земле. Солдат, Учёный, Учитель: посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920—2000 гг. / Отв. ред. чл.-корр. РАН Неизвестный И. Г. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. — 460 с.
  • Анатолий Васильевич Ржанов: биобиблиографический указатель (1949—2020) к 100-летию со дня рождения / сост. И. В. Курбангалеева, И. А. Павлова. — Новосибирск: Ред.-изд. отд. ГПНТБ СО РАН, 2020. — 129 с[1].[2]
  • Ржанов А. В. О событиях, фактах, людях [воспоминания] / отв. ред. Э. В. Скубневский. — Новосибирск: Изд-во Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. — 152 с[3].

Ссылки

  1. ↑ Анатолий Васильевич Ржанов: биобиблиографический указатель (1949-2020). Национальная электронная библиотека. Дата обращения: 26 июня 2026.
  2. ↑ Анатолий Васильевич Ржанов: биобиблиографический указатель (1949-2020). Государственная публичная научно-техническая библиотека Сибирского отделения Российской академии наук. Дата обращения: 26 июня 2026.
  3. ↑ О событиях, фактах, людях [воспоминания]. Национальная электронная библиотека. Дата обращения: 26 июня 2026.

Дополнительно по теме

Категории