Чжан, Маочжун Фрэнк
Маочжу́н Фрэнк Чжан (кит. 張懋中; род. 20 февраля 1951, Тайчжун, Тайвань) — тайваньско-американский инженер-электрик и педагог. Известен разработками в области гетеропереходных технологий, а также интегральных схем и систем миллиметрового диапазона.
Общие сведения
| Чжан Маочжун Фрэнк | |
|---|---|
| кит. 張懋中 | |
| Дата рождения | 20 февраля 1951 (75 лет) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Образование | |
| Род деятельности | инженер-электрик |
| Награды и премии |
|
Биография
Родители Чжана переехали из Китая на Тайвань во время гражданской войны в Китае в 1949 году. Он родился в Тайчжуне и вырос в посёлке Чжушань уезда Наньтоу. Получил степень бакалавра наук в Национальном университете Тайваня в 1972 году, степень магистра в области материаловедения и инженерии в Национальном университете Цинхуа в 1974 году и степень доктора философии в области электротехники в Национальном университете Цзяотун (NCTU) в 1979 году.
Чжан является профессором кафедры электротехники имени Винтека и выдающимся профессором Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA). Он преподаёт и проводит исследования в области высокоскоростных полупроводниковых приборов, а также высокочастотных интегральных схем и систем для радио, радаров, радиочастотных межсоединений, тепловизоров, спектрометров и ускорителей Edge-AI. Чжан занимает должность директора Лаборатории высокоскоростной электроники UCLA (HSEL). С 2010 по 2015 год он возглавлял кафедру электротехники UCLA, а с 2015 по 2019 год был президентом Национального университета Цзяотун[1].
Чжан и его студенты в UCLA первыми реализовали системы на кристалле (SoC) (суб)миллиметрового диапазона для радио, радаров, межсоединений, тепловизоров и спектрометров, эффективных по размеру, весу и мощности (SWaP), для коммерческих и космических систем. В начале 1990-х годов Чжан и его коллеги по исследовательскому центру Rockwell разработали первый в мире процесс крупносерийного производства биполярных транзисторов на гетеропереходах (HBT) на основе арсенида галлия (GaAs) методом MOCVD. Это достижение открыло путь к массовому внедрению мобильных телефонов с достаточным временем автономной работы в компактном форм-факторе. Большинство современных мобильных телефонов используют технологии, созданные на основе оригинальной технологии GaAs, разработанной командой Чжана в Rockwell. Присоединившись к UCLA в 1997 году, Чжан расширил свои исследования на схемы и системы (суб)миллиметрового (терагерцового) диапазона, сосредоточившись на реконфигурируемости систем и возможностях широкополосной/многодиапазонной передачи сигналов. Изобретённый им искусственный диэлектрик с цифровым управлением (DiCAD) стал первым «цифровым преобразователем диэлектрической проницаемости/фазы с истинной временной задержкой на частотах миллиметрового диапазона» и сейчас широко используется при проектировании резонаторов, фильтров, катушек индуктивности, трансформаторов и фазовращателей/амплитудных сдвигателей. Чжан сыграл ключевую роль в коммерциализации HBT и последующем создании сверхвысокочастотных и высокоскоростных систем на кристалле (SoC) на базе CMOS. В UCLA он руководил более чем 60 аспирантами и 100 магистрантами, опубликовал более 500 технических статей и получил 70 патентов США.
В ноябре 2014 года Чжан был избран 11-м президентом Национального университета Цзяотун[1]. Во время своего президентства (2015–2019) он активно выступал за слияние Национального университета Ян-Мин и NCTU, что привело к созданию Национального университета Ян Мин Цзяотун в феврале 2021 года[2].
Личная жизнь
Чжан и его жена Лин-Фонг Шелли Чжан поженились в 1975 году. У них есть сын Альберт, дочь Перл и трое внуков.
Награды и звания
- Медаль Джона Фрица (2025)[3]
- Медаль пионера науки и технологий среди американцев азиатского происхождения AASF (2024)
- Медаль Джеймса Клерка Максвелла IEEE/Королевского общества Эдинбурга (2023)
- Премия IEEE Darlington за лучшую статью (2021)
- Премия IEEE HKN имени Владимира Карапетова за выдающиеся технические достижения (2018)
- Медаль и премия Дж. Дж. Томсона в области электроники IET, Великобритания (2017)
- Премия Джона Дж. Гуарреры «Инженер-педагог года» от Совета инженеров США (2014)
- Премия выдающемуся выпускнику, Национальный университет Тайваня (2013)
- Почётный доктор инженерии, Национальный университет Цинхуа (2013)
- Премия Фонда Пан Вэнь Юаня (2008)
- Премия Дэвида Сарнова IEEE (2006)
- Член IEEE (1996)
- Премия Леонардо да Винчи (Инженер года Rockwell International) (1992)
Членство в академиях и обществах
- Выдающийся член IEE-HKN (2023)
- Член Европейской академии наук и искусств (2022)
- Член Национальной академии изобретателей США (2015)
- Академик Academia Sinica, Тайбэй, Тайвань (2012)[4]
- Член Национальной инженерной академии (2008)[5]
- Член IEEE (1996)[6]
Публикации
- "A Reconfigurable Streaming Deep Convolutional Neural Network Accelerator for Internet of Things" (2021 IEEE Transactions on Circuits and Systems: Darlington Best Paper Award)[7]
- "A Blocker-Tolerant, Noise-Cancelling Receiver Suitable for Wideband Wireless Applications" (2012 IEEE Journal of Solid State Circuits Best Paper Award)[8]
- "A blocker-tolerant wideband noise-cancelling receiver with a 2dB noise figure" (San Francisco, CA. Distinguished Technical Paper Award & Jack Kilby Best Student Paper)[9]
- "CMP network-on-chip overlaid with multi-band RF-interconnect" (Salt Lake City, UT. 2008 HPCA Best Paper Award)[10]
- "A 60 GHz high gain transformer-coupled differential power amplifier in 65nm CMOS" (Yokohama, Japan. Best Paper of Conference Award)[11]
- "A 71-86GHz 1024QAM Direct-Carrier Phase-Modulating Transmitter with Digital-to-Phase Converters and Constant-Envelope Phasors"[12]
- "CMOS System-on-Chip Spectrometer Processors for Spaceborne Microwave-to-THz Earth and Planetary Science and Radio-Astronomy"[13]
- "150-GHz CMOS TX/RX With Digitally Predistorted PAM-4 Modulation for Terahertz Contactless/Plastic Waveguide Communications"[14]
- "183GHz 13.5mW/Pixel CMOS Regenerative Receiver for mm-Wave Imaging Applications"[15]
- "A Low Phase Noise, Wideband and Compact CMOS PLL for Use in Heterodyne 802.15.3c Transceiver"[16]
- "Self-Healing 4Giga-bit/sec Reconfigurable CMOS Radio-on-a-Chip"[17]
- "RF/Wireless Interconnect for Inter- and Intra-chip Communications"[18]
- "Role of the piezoelectric effect in device uniformity of GaAs integrated circuits"
- "Terahertz CMOS Frequency Generator Using Linear Superposition Technique"[19]
- "183GHz 13.5mW/Pixel CMOS Regenerative Receiver for mm-WaveImaging Applications"[20]
- "A 60GHz CMOS VCO UsingOn-Chip Resonator with Embedded Artificial Dielectric for Size, Loss, and Noise Reduction"[21]
- "A Low Phase Noise, Wideband and Compact CMOS PLL for Use in Heterodyne 802.15.3c Transceiver"[22]
- "A 71-86GHz 1024QAM Direct-Carrier Phase-Modulating Transmitter with Digital-to-Phase Converters and Constant-Envelope Phasors"[23]