Сноуден, Кристофер

Сноуден изучал электронную и электротехнику в Университете Лидса, получив степень бакалавра наук в 1977 году, а также степени магистра наук и доктора философии в 1982 году. Его докторская диссертация была посвящена микроволновым генераторам для радиолокационных применений и моделированию полупроводниковых приборов. Он проводил свои докторские исследования в компании Racal-MESL Ltd недалеко от Эдинбурга в Шотландии, а также в Университете Лидса^[3].

С 1977 по 1978 год Сноуден работал инженером по применению в Mullard Applications Laboratory. С 1982 по 1983 год читал лекции на кафедре электроники в Йоркском университете. С 1983 по 2005 год был сотрудником Университета Лидса, своей бывшей альма-матер, работая на кафедре электротехники и электроники, а в 1992 году стал профессором микроволновой инженерии. С 1995 по 1998 год возглавлял школу и недолго исполнял обязанности руководителя Bodington Hall. Во время работы в Лидсе он был одним из основателей Института микроволн и фотоники, под его руководством находилось 50 аспирантов^[4]. Он также работал в компании M/A-COM в США в период с 1989 по 1991 год в качестве старшего научного сотрудника в Корпоративном центре исследований и разработок, расположенном недалеко от Бостона.

В 1998 году он был назначен в совет директоров Filtronic plc в качестве исполнительного директора по технологиям, где инициировал создание Global Technology Group. Впоследствии, в 1999 году, он был назначен совместным главным исполнительным директором Filtronic plc. В 2001 году стал главным исполнительным директором Filtronic ICS.

Он также был приглашённым профессором в Даремском университете до 2005 года и приглашённым учёным в Делфтском техническом университете с 1996 по 1998 год.

Научные интересы Сноудена лежат в области микроволновых, миллиметровых и оптоэлектронных приборов и схем. Он был пионером в применении численных физических моделей приборов для всестороннего описания переноса электронов при работе микроволновых транзисторов и, в частности, в исследовании свойств взаимодействия прибор-схема. Это позволило значительно улучшить и оптимизировать конструкции транзисторов. Эта работа была особо отмечена при его избрании членом Лондонского королевского общества^[21] и членом IEEE.

Его ранние работы были сосредоточены на двумерном численном моделировании. В частности, он работал над эффектами горячих электронов в полевых транзисторах с коротким затвором (FET), где показал, что высокоэнергетические электроны в подложках транзисторов вносят значительный вклад в ток проводимости^[22]. Он также внёс вклад в разработку новых нелинейных моделей лазерных диодов, которые нашли особое применение в новых системах связи с высокой скоростью передачи данных^[23][24].

В середине 1980-х годов вместе с коллегами из университетов Лилля и Дуйсбурга он исследовал потенциал нового класса физических моделей, который стал известен как квазидвумерный (Q2D) подход^[25]. Было показано, что он чрезвычайно эффективен при моделировании полевых транзисторов, таких как популярный полевой транзистор с барьером Шоттки (MESFET). Модели Сноудена продемонстрировали способность точно прогнозировать характеристики постоянного тока и радиочастот на основе физической геометрии и свойств материалов, доступных из данных изготовления^[26]. Более того, модель Q2D может быть решена более чем в 1000 раз быстрее, чем полные двумерные модели, что делает её подходящей для приложений автоматизированного проектирования^[27][28]. Эти модели широко использовались по всему миру в промышленности и научных кругах. Модели использовались для разработки высокопроизводительных микроволновых транзисторов с хорошо предсказуемыми характеристиками, которые затем производились в больших объёмах несколькими компаниями. Одним из самых успешных был микроволновый транзистор с импульсным легированием «hi-lo-hi», который достигал высоких напряжений пробоя и был особенно пригоден для крупносерийного производства^[29].

Сноуден продолжил применять этот метод к транзисторам с высокой подвижностью электронов (HEMT), в период с 1995 по 2005 год используя высокоэффективные модели квантового управления зарядом^[30]. Было показано, что это эффективный метод моделирования и проектирования HEMT на основе AlGaAs/GaAs и важных псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT) на основе систем InGaAs/GaAs. С использованием этих знаний были разработаны и изготовлены новые конструкции мощных pHEMT (некоторые с мощностью более 100 Вт на частоте 2 ГГц), которые достигали высоких напряжений пробоя при сохранении отличного усиления сигнала на микроволновых частотах^[31]. pHEMT широко используются в приложениях связи, и многие миллиарды схем на основе интегральных схем pHEMT были использованы в таких продуктах, как мобильные телефоны, радары и спутниковые приёмники^[32]. С 2008 года он применяет новые модели Q2D к мощным МОП-транзисторам с боковой диффузией (LDMOS) для мощных усилителей в системах связи, достигая аналогичных высоких уровней точного прогнозирования и преимущества в скорости^[33][34].

В период с 1990 по 1997 год Сноуден разработал новую электротермическую эквивалентную схему на основе физики для гетеропереходных биполярных транзисторов, которая подходила для применения в усилителях мощности (широко используемых в сотовых телефонах). В 1999 году он был удостоен премии IEEE Microwave Theory and Techniques Society Microwave Prize за эту работу, описанную в его статье 1997 года «Large-signal Microwave Characterization of AlGaAs/GaAs HBT's Based on a Physics Based Electrothermal Model» (IEEE TMTT, MTT-45, pp. 58–71, 1997)^[35].

Сноуден продолжил разработку дальнейших моделей, основанных на включении взаимодействия между тепловыми эффектами и электронным поведением, что оказалось важным для точного моделирования силовых транзисторов и конструкций усилителей мощности. Впоследствии он развил это в полностью интегрированные модели, включающие электромагнитные эффекты в физические модели и демонстрирующие значимость этого типа глобальной модели для схем миллиметрового диапазона^[36].

Он также разработал несколько новых методов интеграции микроволновых, миллиметровых и оптических схем. Во время работы в M/A-COM в качестве старшего научного сотрудника он распространил их технологию стеклянных микроволновых интегральных схем (GMIC) на фотонику, внедрив концепцию встраивания световодов в GMIC для обеспечения фотонных схем и интерфейсов с твердотельными лазерами, детекторами и высокоскоростными процессорами. Впервые он представил эти концепции на конференции IEEE LEOS в 1991 году^[37], и впоследствии эта концепция была разработана для использования на скорости 622 Мбит/с в приложениях синхронной оптической сети (SONET)^[38].

Сноуден написал восемь книг, включая Introduction to Semiconductor Device Modelling^[39], Introduction to Semiconductor Device Modelling^[40] и Introduction to Semiconductor Device Modelling^[41]. В 1988 году он опубликовал один из первых пакетов программного обеспечения для интерактивного анализа схем для персональных компьютеров совместно с Wiley^[42]. Он выступал в качестве редактора четырёх журналов и трёх специальных выпусков, а также серии книг EEE Wiley. Он был председателем ряда крупных международных конференций, включая Европейскую микроволновую конференцию 2006 года.

Сноуден является бывшим президентом Institution of Engineering and Technology (IET) (2009–2010)^[43]. До августа 2013 года он был вице-президентом Королевской инженерной академии, где возглавлял Комитет по инженерной политике Академии^[44]. В 2014 году он был приглашён стать заместителем председателя жюри 2015 года премии Queen Elizabeth Prize for Engineering (QEPrize) и в настоящее время является её председателем.

В 2011 году премьер-министр назначил Сноудена в свой консультативный Council for Science and Technology (CST). Он также является членом Консультативного совета по форсайту правительства Великобритании^[45].

Сноуден был членом руководящего органа британской Innovate UK (ранее известной как Совет по технологической стратегии (TSB)) с 2009 по 2015 год. Он был членом Совета по промышленности и высшему образованию (CIHE) ([ CIHE]) и в настоящее время является членом Совета руководителей Национального центра университетов и бизнеса (NCUB). В период с 2006 по 2012 год он был членом Совета британского Engineering and Physical Sciences Research Council (EPSRC)^[46].

Он является членом Королевского общества (2005) и был членом его Совета (2012–2013)^[47]. Он является членом Королевской инженерной академии (2000), Institution of Engineering and Technology (IET) (1993), IEEE (1996) и City and Guilds of London Institute (2005)^[48].

Он был членом панелей Комитета по форсайту по коммуникациям и медиа и использованию электромагнитного спектра. С 2002 по 2007 год он был членом Национального консультативного комитета Великобритании по электронным материалам. С 2002 по 2005 год он был членом наблюдательного совета Центра оборонных технологий электромагнитного дистанционного зондирования. Он несколько раз выступал перед Специальным комитетом Палаты общин Великобритании.

Он был председателем Daphne Jackson Trust с 2005 по 2009 год и был покровителем фонда до 2015 года^[49]. Он был покровителем Surrey Youth Focus и Transform Housing & Support до 2015 года. До 2011 года он был управляющим Royal Surrey County Hospital NHS Foundation UK.

Он был неисполнительным директором таких компаний, как Intense Ltd, CENAMPS Ltd и SSTL. С 2003 по 2007 год он был членом правления Европейской микроволновой ассоциации, где некоторое время также занимал должность заместителя председателя. Он был председателем HERO Ltd с 2006 по 2009 год и членом руководящего совета Совета по инженерным технологиям с 2007 по 2009 год.

До 2011 года он был членом Консультативного совета по науке, инженерии и технологиям Юго-Восточной Англии (SESETAC).

В 1999 году он был удостоен премии IEEE Microwave Prize за свою исследовательскую работу по микроволновым силовым транзисторам для приложений связи, а в 2009 году — премии IEEE Distinguished Educator Award от Microwave Theory and Techniques Society (MTT).

Королевская инженерная академия наградила его своей Серебряной медалью за «Выдающийся личный вклад в микроволновую полупроводниковую промышленность Великобритании» в 2004 году^[50].

В 2009 году он получил премию IEEE MTT Distinguished Educator Award за выдающиеся достижения в качестве педагога, наставника и образца для подражания для инженеров-микроволновиков и студентов инженерных специальностей.

Сноуден был посвящён в рыцари в новогоднем списке наград 2012 года за заслуги в области инженерии и высшего образования^[51][52].