Саранин, Александр Александрович

Родился 6 мая 1955 года в Порккала-Удд (Финляндия)^[1].

Ученик В. Г. Лифшица. С 1976 года работает в ИАПУ ДВО РАН, заведует лабораторией полупроводников и диэлектриков, заместитель директора ИАПУ по научной работе.

Читает курс лекций для студентов Дальневосточного государственного университета (ДВГУ), является членом диссертационного совета Д 212.056.08 ДВГУ.

В 2006 году — избран членом-корреспондентом РАН^[2].

В феврале 2022 года подписал открытое письмо российских учёных и научных журналистов с осуждением военных действий на Украине и призывом вывести российские войска с украинской территории^[3].

Ведёт изучение процессов на поверхности твёрдых тел.

Специалист в области исследования процессов адсорбции и соадсорбции на поверхности кремния, в изучении формирования, структуры и состава поверхностных фаз, квантовых проволок, квантовых точек на кремнии — новых перспективных материалов для наноэлектроники.

При его участии были проведены пионерские работы по исследованию состава наноструктур на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии с использованием оригинальной методики.

Он положил начало новому направлению в наноэлектронике — управляемому легированию нанокластеров на поверхности кремния и разработал методику анализа электронной структуры этих нанокластеров.

Автор более 160 печатных работ, из которых около 90 статей, опубликованных в реферируемых журналах, а более 70 из них в международных, таких как «Surface Science» и «Physical Review».

По состоянию на 2025 год входит в состав редакционной коллегии научного издания «Письма в Журнал технической физики».

• президентская стипендия за «Выдающиеся фундаментальные результаты» (2000)
• лауреат премии Губернатора Приморского края «За научные достижения на благо Приморья» (2000)
• лауреат конкурса фундаментальных научных работ ДВО РАН (1 премия) (1999)
• грамота Президиума РАН «За многолетнюю плодотворную работу» (1999)