Салаев, Эльдар Юнис оглы

Эльдар Юнис оглы Салаев (азерб. Eldar Yunis oğlu Salayev; 31 декабря 1933, Нахичевань, Азербайджанская ССР, ЗСФСР, СССР20 июня 2022) — азербайджанский физик. Академик Национальной академии наук Азербайджана, Президент НАН Азербайджана (1983—1997; самый длительный срок президентства в Академии), доктор физико-математических наук, лауреат Государственной премии Азербайджанской ССР. Скончался 20 июня 2022 года[1].

Общие сведения
Эльдар Юнис оглы Салаев
азерб. Eldar Yunis oğlu Salayev
Дата рождения 31 декабря 1933(1933-12-31)
Место рождения
Дата смерти 20 июня 2022(2022-06-20) (88 лет)
Страна  СССР
 Азербайджан
Научная сфера Физика
Место работы Институт физики НАН Азербайджана
Образование
Учёная степень доктор физико-математических наук
Награды и премии
орден Трудового Красного Знамени орден «Слава»
Государственная премия Азербайджанской ССР

Биография

Эльдар Юнис оглы Салаев родился 31 декабря 1933 года в городе Нахичевани.

В 19701973 — Заместитель директора по научной работе в Институте физики АН АзССР.

В 1972 году получил звание лауреата Государственной премии Азербайджанской ССР.

В 1975 году получил учёную степень доктора физико-математических наук.

С 1979 года — профессор.

В 1980 году избран член-корреспондентом Академии наук Азербайджанской ССР, в 1983 году — действительным членом Азербайджанской ССР.

Избран членом Исламской Академии.

С 19 декабря 1983 года по февраль 1997 года — Президент Академии наук Азербайджана[2].

С 1972 года руководил бакинским филиалом Научно-исследовательского института прикладной физики, который под его руководством в 1983 году был преобразован в Институт фотоэлектроники. Избирался народным депутатом СССР (1984—1992) и депутатом Милли Меджлиса Азербайджана[3].

Учёный имел сына по имени Кямал[1].

Скончался 20 июня 2022 года в возрасте 88 лет. После церемонии прощания в мечети Тезепир был похоронен на II Аллее почётного захоронения в Баку[1].

Основная научная деятельность

Являлся учёным в области физики твёрдого тела, квантовой электроники и фотоэлектроники. Прошёл школу академика Г. М. Абдуллаева[4]. Основные работы посвящены исследованиям полупроводников, изучению энергетических спектров различных состояний.

Исследовал индуктивное облучение в многослойных кристаллах при помощи ускоренных электронных пучков. Эти исследования дали возможность созданию преобразователей лазерных лучей.

Под руководством Салаева при помощи полупроводников были созданы дефлектор, дешифратор, фотоприёмники, электронные микрохолодильники, устройства для метрологических исследований.

Публикации

Избранные научные публикации, посвящённые физике полупроводников и нелинейной оптике[5]:

  • The induced radiation in GaSe // Доклады АН СССР, т. 161, № 5, 1965.
  • GaSe — a new effective material for non-linear optics // Письма в ЖЭТФ, т. 16, № 3, 1972.
  • The deformation phenomena in crystals // Успехи физических наук, т. 155, № 1, 1988.
  • Quantum oscillations under laser pulses action in the e-GaSe layered crystal // ЖЭТФ, т. 51, № 3, 1990.
  • Phase-matched second harmonic generation at 789,5 nm in a GaSe crystal // Applied Physics Letters, т. 69(6), 1996.
  • Изопериодические гетеропереходы Pb1-xSnxTe(In)/PbTe1-ySey, полученные в сверхвысоком вакууме (в соавторстве) // Прикладная физика, № 4, с. 91—94, 2003.
  • Effective Nonlinear GaSe Crystal. Optical Properties and Applications // Laser Physics, т. 19, № 5, с. 1092—1104, 2009.

Награды

Ссылки

Дополнительно по теме