Рыжий, Виктор Иванович
Виктор Иванович Рыжий (род. 2 октября 1946, Станислав, Украинская ССР, СССР) — советский и российский учёный, специалист в области физики и математического моделирования элементной базы вычислительной техники, член-корреспондент АН СССР (1987), член-корреспондент РАН (1991).
Общие сведения
| Виктор Иванович Рыжий | |
|---|---|
| Дата рождения | 2 октября 1946 (79 лет) |
| Место рождения | |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | математическое моделирование |
| Место работы |
НИИ физических проблем, ФТИ АН CССР, ИСВЧПЭ РАН |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1976) |
| Учёное звание |
профессор (1982) член-корреспондент АН СССР (1987) член-корреспондент РАН (1991) |
| Научный руководитель | А. Д. Гладун |
| Награды и премии |
 Благодарность Президента Российской Федерации (2024) |
Биография
Родился 2 октября 1946 года[1].
В 1967 году кончил МФТИ по специальности «Радиофизика и электроника»[1]. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию[1]. С 1970 по 1979 годы — ассистент, доцент МФТИ[1]. В 1976 году защитил докторскую диссертацию[1].
С 1979 по 1986 годы — начальник отдела НИИ физических проблем МЭП СССР[1].
В 1982 году ему было присвоено учёное звание профессора[1].
С 1986 по 1988 годы — ведущий научный сотрудник, заведующий лабораторией Института общей физики АН СССР[1].
В 1987 году избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1991 году — членом-корреспондентом РАН[1].
С 1988 по 1993 годы — заместитель директора по научной работе ФТИ АН CССР[1].
С 1993 по 1996 годы — научный консультант НИЦ «Микроэл»[1].
С 1996 по 2012 годы — профессор университета Айзу (Япония), в 2012 году получил звание почётного профессора (Professor Emeritus).
С 2013 по 2014 годы — заведующий лабораторией Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН), с 2014 года — главный научный сотрудник, почётный член Учёного совета института и руководитель совместной лаборатории двумерных материалов и наноустройств ИСВЧПЭ РАН и МФТИ.
Научная деятельность
Внёс вклад в теорию абсолютной отрицательной проводимости и квантовых состояний в двумерных электронных системах, в физику инфракрасных и терагерцовых фотодетекторов, лазеров и плазменных приборов на квантовых ямах и точках, а также графеновых структурах; разработал принципы математического моделирования полупроводниковых микро- и наноприборов[2].
Автор более 200 научных публикаций в том числе 10 патентов на изобретения[1]. Индекс Хирша по базе данных Scopus составляет 53.
Входит в состав редакционного совета журнала «Нано- и микросистемная техника»[3].
Награды
- Премия Ленинского комсомола (1978)
- Fellow (Life) of the IEEE (2004)
- Professor Emeritus of the University of Aizu (2012)[4]
- Почётный знак «За заслуги перед Университетом», МГТУ им. Н. Э. Баумана (2019)
- Благодарность Президента Российской Федерации (5 февраля 2024 года) — «за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук»
Примечания
Ссылки
- Биографическая справка на официальном сайте РАН
- Рыжий, Виктор Иванович на математическом портале Math-Net.Ru
- Рыжий Виктор Иванович (ИС АРАН). isaran.ru. Дата обращения: 2017-7-2.