Регель, Анатолий Робертович

Родился 14 мая 1915 года в Петрограде.

Окончил ФЗУ по специальности слесарь (1932, работал токарем-механиком на Физико-техническом опытном заводе).

Окончил Ленинградский индустриальный (политехнический) институт (1938).

В 1938—1943 годах — младший научный сотрудник в лаборатории В. Л. Куприенко Ленинградского физико-технического института (ЛФТИ) АН СССР.

Первые исследования посвящены повышению прочности авиационной брони^[1]. Также под руководством А. Ф. Иоффе, А. П. Александрова занимался теорией магнитных полей и усовершенствованием приборов для их измерения.

В начале войны занимался проблемами защиты кораблей Черноморского флота, Каспийской и Амурской флотилий, Тихоокеанского флота от магнитных мин. Один из разработчиков методики размагничивания кораблей.

В 1943 — 1952 годах — старший научный сотрудник ЛФТИ, одновременно в 1945—1947 годах — ассистент кафедры экспериментальной физики политехнического института.

В 1952 — 1972 годах работал в Лаборатории (с 1955 года — Институте) полупроводников. С 1955 года — зав. лабораторией, в 1957 — 1960 годах — зам. директора, в 1960 — 1962 годах — и. о. директора, в 1963 — 1971 годах — директор Института полупроводников АН СССР. Одновременно в 1952 — 1959 годах — доцент Ленинградского педагогического института им. А. И. Герцена, в 1961—1973 годах работал заместителем председателя Совета по физике и химии полупроводников при президиуме АН СССР.

С 1972 года, после объединения институтов, заведующий отделом и лабораториями ЛФТИ.

Доктор физико-математических наук (1957, тема диссертации «Исследования по электронной проводимости жидкостей»). Профессор.

Умер 27 декабря 1989 года в Ленинграде. Похоронен на Богословском кладбище Санкт-Петербурга.

• Отец — ботаник Роберт Регель.
• Брат — Вадим Регель, лауреата Сталинской премии.

• Разработал бесконтактный метод измерения электропроводности твердых и жидких тел во вращающемся магнитном поле при высоких температурах и провел комплексное исследование электрических, тепловых и термоэлектрических свойств, а также плотности и вязкости большой группы полупроводников, металлов и сплавов при плавлении.
• Предложил (вместе с Иоффе) критерий Иоффе-Регеля, определяющий роль ближнего порядка в формировании электронных свойств полупроводников.
• В 1950 году совместно с Н. А. Горюновой на примере антимонида индия экспериментально доказал гипотезу о полупроводниковом характере свойств соединений группы АIIIBV, играющих важную роль в развитии полупроводниковой электроники.
• Выполнил работы по исследованию термоэлектрических явлений и их практическому применению, в том числе в области термоэлектрического охлаждения.

• Полупроводниковые измерители напряженности магнитного поля. Л., 1956;
• Дислокация и физические свойства полупроводников. Л., 1967;
• Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников. М., 1969;
• Физические свойства электронных расплавов. М., 1980;
• Закономерности формирования структуры электронных расплавов. М., 1982 (совм. с В. М. Глазовым).
• Акустические исследования структурных изменений при нагреве расплавов полупроводников и полуметаллов. Обзор // Физика и техника полупроводников. — 1986^[2].
• Мессбауэровские исследования примесных атомов в полупроводниках (обзор) // Физика и техника полупроводников. — 1984^[2].
• Изменение энтропии электронной подсистемы при плавлении полупроводников // Докл. АН СССР. — 1981^[2].

• Медаль «За трудовую доблесть» (1953).
• Государственная премия СССР (1981) — за цикл исследований по химической термодинамике полупроводников (в составе коллектива соавторов)^[3].
• Премия имени А. Ф. Иоффе Президиума АН СССР (1972) — за цикл работ в области экспериментальных исследований электронной проводимости жидкости.
• Заслуженный деятель науки РСФСР (1986).
• Орден Красной Звезды (6 марта 1945).
• медаль «За оборону Севастополя»^[4].
• Орден Трудового Красного Знамени^[4].