Рашба, Эммануил Иосифович

Эммануил Рашба родился 30 октября 1927 года в Киеве.

В 1949 году окончил физический факультет Киевского университета.

С 1949 по 1954 год работал инженером, а также школьным учителем.

С 1954 по 1960 год — научный сотрудник в Институте физики АН УССР.

С 1960 по 1966 год — заведующий отделом в Институте полупроводников АН УССР.

С 1967 года — профессор.

С 1966 по 1992 год — заведующий теоретическим отделением отдела полупроводников Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау. Одновременно с 1967 по 1991 год — профессор МФТИ.

С 1991 года жил в США. Преподавал в Городском колледже Нью-Йорка, с 1992 по 1999 год — в Университете штата Юта, с 2000 по 2003 год — в Дартмутском колледже, с 2000 по 2004 год — в Массачусетском технологическом институте, с 2001 по 2004 год — в Университете штата Нью-Йорк в Буффало.

С 2004 по 2015 год — профессор Гарвардского университета. После 2015 года вышел на пенсию^[1].

В 2003 году опубликовал автобиографический очерк «Оглядываясь назад» (англ. Looking back) в журнале «Journal of Superconductivity»^[2].

Являлся членом Американского физического общества. Был женат (супруга — Эрна), имел дочь и внуков.

Мирно скончался 12 января 2025 года в Бруклайне (Массачусетс, США)^[3]. Мемориальная служба состоялась 14 января в Temple Emanuel (Ньютон).

Доктор физико-математических наук. В 1956 года защитил кандидатскую диссертацию на тему «Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах». В 1964 году защитил докторскую диссертацию на тему «Электронные свойства неметаллических кристаллов со сложным энергетическим спектром»^[4].

Проводил научные исследования по феноменологической теории полупроводников и полупроводниковых приборов, резонансным свойствам полупроводников, оптическим свойствам молекулярных кристаллов. Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов высокочастотным электрическим полем (комбинированный резонанс)^[5], и установил возможность существования нового типа зонной структуры полупроводников, обусловленного спин-орбитальным взаимодействием (эффект Рашбы)^[6]. Автор работ по спектроскопии молекулярных кристаллов.

Среди других ключевых достижений учёного — исследования экситонов в узкозонном пределе, предсказание электрического дипольного спинового резонанса и разработка метода инвариантов в физике полупроводников^[7].

Открытия Рашбы заложили теоретический фундамент для множества современных направлений в спинтронике и квантовых технологиях.

В частности, эффект Рашбы имеет важнейшее значение для развития терагерцовой спинтроники, создания низкоразмерных топологических сверхпроводников для квантовых вычислений, а также для исследований двумерных материалов и квантовой фотоники^[7].

Его идеи в области спектроскопии молекулярных кристаллов сохраняют высокую актуальность, применяясь в изучении органических полупроводников, наноматериалов и в технологиях преобразования солнечной энергии^[7].

• Ленинская премия (в составе группы, за 1966 год) — за теоретические и экспериментальные исследования экситонов в кристаллах
• Премия имени А. Ф. Иоффе (совместно с Г. Е. Пикусом, за 1987 год) — за серию работ «Симметрия и новые электронные явления в полупроводниках»
• Премия Оливера Бакли по физике конденсированного состояния (2022) — «за новаторские исследования спин-орбитального взаимодействия в кристаллах, в особенности за фундаментальное открытие кирального спин-орбитального взаимодействия, которое продолжает способствовать развитию исследований спинового транспорта и топологических материалов»^[8]
• Премия Н. Мотта (Великобритания, 2005)
• Премия А. Аронова (Израиль, 2005)^[9]
• Премия С. И. Пекара (Украина, 2007)

В 2026 году журнал Physical Review B (издаётся Американским физическим обществом) опубликовал специальную редакционную статью и запустил коллекцию статей «Honoring the legacy of Emmanuel Rashba», посвящённую памяти учёного^[10].