Планте (лунный кратер)
Кратер Планте (лат. Planté) — крупный молодой ударный кратер в экваториальной области обратной стороны Луны. Название присвоено в честь французского физика Гастона Планте (1834—1889) и утверждено Международным астрономическим союзом в 1979 г. Образование кратера относится к коперниковскому периоду[1].
Общие сведения
| Планте | |
|---|---|
| лат. Planté | |
| Характеристики | |
| Диаметр | 36,8 км |
| Наибольшая глубина | 2140 м |
| Название | |
| Эпоним | Гастон Планте (1834—1889) — французский физик. |
| Расположение | |
| G | |
| Небесное тело | Луна |
Описание кратера
Кратер Планте расположен в восточной части чаши кратера Килер. Другими ближайшими соседями кратера являются кратер Вентрис на северо-западе; кратер Страттон на севере-северо-востоке; кратер Хевисайд на востоке; кратер Цвикки на юго-востоке и кратер Гейгер на юго-западе[2]. Селенографические координаты центра кратера G, диаметр 36,8 км[3], глубина 2,1 км[1].
Кратер имеет несколько эллиптичную форму и практически не разрушен. Вал c четко очерченной кромкой, северная оконечность вала перекрыта маленьким кратером. Внутренний склон вала гладкий, неравномерный по ширине. Высота вала над окружающей местностью достигает 1000 м[1], объем кратера составляет приблизительно 1000 км³[1]. Юго-восточная часть чаши покрыта обрушившимися породами, несколько западнее центра чаши расположен приметный чашеобразный кратер от которого в северном и северо-восточном направлении отходят несколько хребтов.
Сателлитные кратеры
Отсутствуют.
См. также
Примечания
Ссылки
