Параметры Латтинжера

Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера. Введены Латтинжером в 1956 году при записи эффективного -гамильтониана для Ge и Si в магнитном поле[1].

Определение

Шестикратно вырожденная валентная зона в полупроводниках структуры цинковой обманки расщепляется в результате спин-орбитального взаимодействия на двукратно вырожденную СО-зону и четырёхкратно вырожденную зону, порождающую ветви легких и тяжелых дырок. В эффективном гамильтониане , записанном для зоны , участвуют три независимых безразмерных параметра , , , называемые параметрами Кона-Латтинжера:

где  — релятивистский член,  — оператор матрицы углового момента для состояния со спином 3/2,  — магнитное поле, ,  — безразмерные постоянные. Знак суммы означает сумму по циклическим перестановкам , .

Безразмерные параметры, аналогичные параметрам Латтинжера, появляются при записи эффективных гамильтонианов для других зон и симметрий. Например, в 8-зонном гамильтониане Кейна они называются параметрами Кейна.

Связь с эффективной массой

В структурах кубической сингонии, вблизи точки :

  • масса тяжелых дырок:
  • масса легких дырок:

Справочные данные

  • GaAs: = 6,98; = 2,06; = 2,93[2]
  • InAs: = 20; = 8,5; = 9,2[3]
  • InP: = 5,08; = 1,60; = 2,10[2]

Примечания

Литература

  • Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М. — Физматлит, 2002. с. 87.