Осипов, Владимир Васильевич (физик)

Родился 2 ноября 1943 года в селе Усть-Пристань Алтайского края.

Окончил Томский политехнический институт.

В 1975 году — защитил кандидатскую, а в 1988 году — докторскую диссертацию.

В 1989 году — присвоено учёное звание профессора.

Заведующий лабораторией квантовой электроники Института электрофизики УрО РАН, одновременно с 1992 года — профессор, заведующий кафедрой инженерной электрофизики УГТУ-УПИ.

В 2016 году — избран членом-корреспондентом РАН.

Специалист в области физики газового разряда, квантовой электроники и физики взаимодействия излучения с веществом.

Основные научные результаты:

• предложил и экспериментально обосновал критерии и модель импульсного самостоятельного объемного разряда высокого давления;
• предложил механизм, доказал наличие химико-ионизационной неустойчивости и развил численную модель прорастания канала в объемных разрядах высокого давления;
• создал мощные CO₂ лазеры и усилители со сжатой активной средой и перестраиваемой частотой излучения, параметры которых до сих пор остаются непревзойденными, разработана их математическая модель;
• предложил и экспериментально обосновал ряд методов, позволяющих в несколько раз повысить энергетику молекулярных лазеров;
• разработал технологию лазерного синтеза слабоагломерированных нанопорошков с размером частиц ~ 10-15 нм и узким распределением по размерам;
• разработал технологию и синтезировал образцы лазерных керамик, позволивших получить генерацию с дифференциальной эффективностью 37 % — 52,7 %.

• Заслуженный деятель науки Российской Федерации (2010)^[1]