Новосибирский завод полупроводниковых приборов

Строительство завода по производству сверхминиатюрных ламп особой прочности для спецназначения (для взрывателей снарядов зенитной артиллерии) началось в Новосибирске в 1950 году.^[4] В соответствии с приказом министра радиопромышленности СССР № 177 завод введён в частичную эксплуатацию 12 июля 1956 года.

С конца 1950-х годов коллектив завода принимает участие в создании ракетной техники. В 1961 году четверо инженеров и рабочих предприятия награждаются орденами и медалями за создание образцов техники космического корабля «Восток». Кроме того, компоненты предприятия применялись в качестве элементной базы в проектах Венера-13 и Венера-14^[4].
В 1961 году предприятие перепрофилируют и реконструируют, в 1966 году завод вышел на производственную мощность по изготовлению полупроводниковых приборов.
В 1966 году завод получил орден Трудового Красного Знамени, в 1975 году — орден Октябрьской революции.
В 1991 году НЗПП было изготовлено 44,7 млн интегральных микросхем и свыше 200 млн полупроводниковых приборов^[5]. В настоящее время предприятие выпускает более 400 типов микросхем и 700 типов различных полупроводниковых приборов^[4].

18 февраля 2020 года произошло объединение АО «НЗПП с ОКБ» и АО «НПП „Восток“». 25 мая 2021 года завод сменил название на АО «НЗПП Восток».[1] Архивная копия от 27 мая 2021 на Wayback Machine

Санкции США

В 2015 году правительством США в отношении НЗПП с ОКБ были введены санкции.^[6][7][8]

• стабилитроны
• стабисторы
• генераторы шума
• ограничители напряжения
• диодные матрицы
• микропроцессорный комплект^{[какой?]}
• КМОП логические микросхемы (среднего быстродействия, повышенного быстродействия), БИС
• интегральные микросхемы с проектными нормами до 0,25 мкм^[9][10]

На базе базового центра проектирования (дизайн-центра) ОКБ создан и действует учебный центр в составе филиалов трех базовых кафедр Новосибирского государственного технического университета и Сибирского государственного университета телекоммуникаций и информатики.^[4]
Совместно с Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и АО «Росэлектроника» предприятие участвует в разработке полупроводниковых пластин для фоточувствительных приемников нового поколения.^[11]
Совместно с Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и компаниями SVTC и Sygma-Group предприятие входит в кластер микро-, нано- и биоэлектроники.^[12][13]

• Тивиков К. Р. (1954—1958)^[4]
• Лысков А. А. (1958—1965)
• Брыкин А. И. (1966—1984)^[14]
• Новотный С. И. (1984—1987)
• Хропов Ю. Е. (1987—?)
• Исюк В. И. (2006—2021)
• Дмитрий Жидков^[15]

• Орден Трудового Красного Знамени (1966)^[4]
• Орден Октябрьской революции (1975)