Леденцов, Николай Николаевич
Никола́й Никола́евич Леденцо́в (род. 3 мая 1959, Ленинград, РСФСР, СССР) — российский учёный-физик, специалист в области физики полупроводников и нанотехнологий[1], член-корреспондент РАН (1997). Один из пионеров в области создания и исследования гетероструктур с квантовыми точками и разработки лазеров на их основе[1][2].
Общие сведения
| Николай Николаевич Леденцов | |
|---|---|
| Дата рождения | 3 мая 1959 (67 лет) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Научная сфера | физика полупроводников |
| Место работы |
Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН VI Systems |
| Образование | Ленинградский электротехнический институт |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1993) |
| Учёное звание |
профессор член-корреспондент РАН (1997) |
| Научный руководитель | Ж. И. Алфёров |
| Ученики |
В. М. Устинов А. Е. Жуков |
| Известен как | один из пионеров в области самоорганизующихся квантовых точек и создатель лазеров на их основе |
| Награды и премии |
Медаль «За трудовое отличие» (1986) Премия Ленинградского комсомола (1986) Премия Международного симпозиума по сложным полупроводниковым соединениям (1996) Премия Гумбольдта (1997) Премия имени А. Ф. Иоффе (1999) Гран-при «Наука/Интерпериодика» (2000) Премия Берлин-Бранденбургской академии наук (2002) Медаль «В память 300-летия Санкт-Петербурга» (2004) |
| Сайт | ras.ru/staff/a7a92024-34… |
Биография
Николай Леденцов родился 3 мая 1959 года в Ленинграде. Правнук купца, мецената и учредителя одного из первых фондов в поддержку науки Христофора Семёновича Леденцова[3].
В 1982 году — окончил факультет оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института.
С 1982 года — работает в ФТИ имени А. Ф. Иоффе — главный научный сотрудник института[4][5].
В 1986 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Люминесценция слоёв арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с квантовыми ямами на их основе, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией».
В 1992 году — получил должность профессора на кафедре оптоэлектроники.
В 1993 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Гетероструктуры с размерным квантованием в одном, двух и трёх измерениях».
В 1997 году — избран членом-корреспондентом РАН[4].
В 2006 году — основал компанию VI Systems GmbH и стал её генеральным директором[5].
Научная деятельность
Основные научные интересы лежат в области физики и технологии наноструктур, эпитаксиального роста и физики полупроводников[6]. Является одним из пионеров в области создания и исследования самоорганизующихся квантовых точек. Совместно с коллегами открыл новый класс спонтанно упорядоченных наноструктур — равновесные массивы трёхмерных когерентно напряжённых островков, построил теорию их формирования и доказал существование идеальных квантовых точек с дельта-образным энергетическим спектром.
Под его руководством были созданы первые в мире инжекционные лазеры на квантовых точках (1993—1994)[7], а впоследствии — конкурентоспособные лазеры с торцевым излучением и вертикально-излучающие лазеры (VCSEL) на их основе, обладающие высокой температурной стабильностью[7].
Вёл преподавательскую деятельность в качестве профессора в Санкт-Петербургском политехническом университете и НИУ ИТМО[6]. В период с 1998 по 2007 год также был приглашённым профессором в Берлинском техническом университете[8].
Автор и соавтор более 1300 научных публикаций. По состоянию на октябрь 2025 года индекс Хирша составлял 86 по данным Google Scholar[9] и 81 по данным Scopus.
Научная школа и ученики
Будучи учеником нобелевского лауреата Ж. И. Алфёрова, Н. Н. Леденцов сформировал в ФТИ им. Иоффе научную группу. Хотя в открытых источниках не упоминается о существовании формальной научной школы с официальным названием[10], под его руководством и в тесном сотрудничестве с ним вырос ряд ведущих учёных в области физики полупроводников.
Ключевыми участниками его научной группы стали Виктор Устинов (1958—2024) и Алексей Жуков (род. 1968), впоследствии также избранные членами-корреспондентами РАН[11][12]. Их диссертации были посвящены темам, напрямую связанным с исследованиями Леденцова в области гетероструктур с квантовыми точками[11][13]. При этом документальные подтверждения формального научного руководства Леденцова над их кандидатскими или докторскими диссертациями в открытых источниках отсутствуют[11][13]. Среди других его учеников и постоянных соавторов по ключевым публикациям — Алексей Ковш, сооснователь компании VI Systems GmbH, Сергей Михрин, чья кандидатская диссертация была выполнена под прямым научным руководством Леденцова, и Николай Малеев[12].
Награды
- 1986: Премия Ленинградского комсомола в области науки и техники
- 1986: Медаль «За трудовое отличие»
- 1989: Стипендия Премии имени Александра Карпинского (Гамбург, ФРГ)
- 1996: Премия молодого учёного Международного симпозиума по сложным полупроводниковым соединениям[14]
- 1997: Премия Гумбольдта
- 1999: Орден Дружбы
- 1999: Премия имени А. Ф. Иоффе[15]
- 2000: Гран-при Международной академической издательской компании «Наука/Интерпериодика»[15]
- 2001: Государственная премия Российской Федерации в области науки и техники (в составе группы) — за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»[15]
- 2002: Премия Берлинско-Бранденбургской академии наук[15]
- 2004: Медаль «В память 300-летия Санкт-Петербурга»
- 2004: Почётный член (Fellow) Института физики (Великобритания)
Примечания
Ссылки
- Профиль Николая Николаевича Леденцова на официальном сайте РАН
- Профиль Н. Н. Леденцова на математическом портале Math-Net.Ru