Жуков, Алексей Евгеньевич

Родился 9 февраля 1968 года в Ленинграде.

В 1992 году с отличием окончил кафедру оптоэлектроники факультета электронной техники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) по специальности «Оптико-электронные приборы и системы» с присвоением квалификации «инженер-оптик (физика)»^[2].

В 1996 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In,Ga,Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств». Научным руководителем был Жорес Алфёров^[3][4].

В 2002 году защитил докторскую диссертацию по теме «Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек».

В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

В 2019 году присвоено учёное звание доцента^[5].

С 2020 года основное место работы — НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге, где занимает должности заместителя декана по научной работе, руководителя департамента физики и научного руководителя Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники.

Работа по совместительству:

• Ведущий научный сотрудник Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН^[6].
• Профессор Высшей школы фундаментальных физических исследований Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого^[5].
• Профессор кафедры оптоэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ»^[7].
• Почётный профессор (Distinguished Professor) Университета ИТМО^[8].

До 2020 года являлся заведующим кафедрой фотоники и проректором по науке Академического университета РАН^[2].

С сентября 2023 года — член президиума Санкт-Петербургского отделения РАН^[9].

Область научных интересов охватывает физику полупроводников, нанотехнологии и оптоэлектронику. Ключевые направления исследований включают эпитаксиальный синтез, изучение и применение полупроводниковых наноструктур, таких как квантовые точки, для создания инжекционных лазеров и микролазеров^[10].

В 2020 году основал и возглавил в качестве научного руководителя Международную лабораторию квантовой оптоэлектроники в НИУ ВШЭ (Санкт-Петербург). Деятельность лаборатории направлена на разработку оптоэлектронных компонентов, в частности микролазеров, и их интеграцию с кремниевой платформой для создания чипов для оптической связи^[11].

Основные научные результаты:

• разработчик воспроизводимой технологии синтеза многослойных массивов полупроводниковых квантовых точек, которая позволяет управлять их структурными и оптическими свойствами и расширять спектральный диапазон излучения в область лазерной оптической связи;
• развил теорию лазеров на основе многослойных массивов квантовых точек и установил взаимосвязь электронных и структурных параметров массива квантовых точек с приборными характеристиками лазеров, объяснил эффекты отрицательной характеристической температуры и индуцированного током перехода к генерации через возбужденное состояние;
• разработал высокоэффективные низкопороговые температурно-стабильные инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек для систем оптической передачи информации, решил проблему надежности подобных лазеров^[12];
• разработал оптические микрорезонаторы и на их основе — инжекционные микродисковые лазеры на квантовых точках, в том числе выращенные на кремниевой подложке и способные работать в непрерывном режиме без дополнительного охлаждения^[13];
• исследовал гибридные наноструктуры «квантовая яма — квантовые точки» и создал на их основе высокоэффективные инжекционные микродисковые лазеры (2018—2022)^[14].

По состоянию на 2025 год является автором и соавтором более 800 научных работ, в том числе 581 статьи, индексируемой в базе данных Scopus (индекс Хирша — 54)^[15], и 805 публикаций в РИНЦ (индекс Хирша — 49)^[16].

По состоянию на 2025 год входит в состав редакционной коллегии научного издания «Письма в Журнал технической физики».

Под его руководством защищены 2 кандидатских и 1 докторская диссертации.

• Благодарность Президента Российской Федерации (5 февраля 2024) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук.
• Почетная грамота Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (2024).
• Премия имени А. Ф. Иоффе Правительства Санкт-Петербурга в номинации «физика и астрономия» (2017) — за выдающиеся научные результаты в области оптических микрорезонаторов и микролазеров на основе квантовых точек для нового поколения оптической связи, внесшие значительный вклад в развитие физики полупроводниковых наноструктур и техники полупроводниковых лазеров^[17].
• Премия имени А. С. Попова Правительства Санкт-Петербурга (2010) — за комплекс пионерных исследований в области полупроводниковых лазеров на основе квантовых точек.
• Гранты Президента РФ для молодых докторов наук (2004, 2007).
• Грант «Фонда содействия отечественной науке» (2001, 2002, 2006, 2007).
• Премия AIXTRON для молодых учёных (1999, 2005).
• Премия Samsung Young Scientist Award (2003).
• Премии ФТИ им. А. Ф. Иоффе за лучшую работу (2001, 2002, 2003).
• Премия «Выдающийся молодой ученый России» (1999, 2001).
• Главная премия издательства «Nauka/Interperiodica» за лучший цикл публикаций (2000).