Квон, Зе Дон

Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков Долинского района Сахалинской области^[1].

В 1973 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников СО РАН^[2].

Работает в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, с 1998 года — заведующий лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А₃В₅.

В 1980 году защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах» (научный руководитель — Игорь Георгиевич Неизвестный)^[3].

В 1992 году защитил докторскую диссертацию, тема: «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе».

С 1984 года одновременно ведет преподавательскую деятельность в НГУ, с 1993 года — профессор кафедры полупроводников.

В 2022 году избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН^[4].

Специалист в области физики конденсированного состояния. Основная сфера научных интересов связана с изучением квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур^[5].

Вклад З. Д. Квона в исследования физики конденсированного состояния описываются, но не исчерпываются следующими темами:

• интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием,
• подавление слабой локализации микроволновым полем,
• стохастическая динамика двумерных электронов,
• мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопические термоэддосцилляции Ааронова — Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах,
• обусловленное эффектами памяти отрицательное магнитосопротивление,
• эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник,
• магнитный пробой двумерного топологического изолятора,
• осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением,
• межзонные переходы в трехмерном топологическом изоляторе^[5].

Под руководством З. Д. Квона впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных электронных биллиардов и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. В лаборатории в Институте физики полупроводников в Новосибирске исследованы состояния двумерного полуметалла в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе, двумерные и трёхмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жёсткой связью спина и электрона^[5].

Автор и соавтор более 300 научных работ. Сотрудничает с мировыми научными центрами: Гренобльской лабораторией сильных магнитных полей, Эксетерским, Нью-Йоркским, Регенсбургским университетами, университетом Сан-Паулу^[6].

В 2024 году награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук^[7].