Кардо-Сысоев, Алексей Фёдорович
Алексе́й Фёдорович Кардо́-Сысо́ев (род. 7 июня 1941, Ленинград) — советский и российский физик, специалист в области физики мощных быстродействующих полупроводниковых приборов и импульсной электроники. Лауреат Госпремии СССР (1987). Главный научный сотрудник-консультант ФТИ РАН. Доктор физико-математических наук (1988).
Общие сведения
| Алексей Фёдорович Кардо-Сысоев | |
|---|---|
| Дата рождения | 7 июня 1941 (84 года) |
| Место рождения | Ленинград |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | импульсная техника |
| Место работы | ФТИ им. Иоффе РАН |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук |
| Награды и премии |
 |
Ранние годы, образование
Алексей Кардо-Сысоев родился 7 июня 1941 года в Ленинграде. Принадлежит к роду Кардо-Сысоевых. Мать, Елена Константиновна Кардо-Сысоева, — биолог, доктор биологических наук. Дед, Константин Николаевич Кардо-Сысоев, — хирург-офтальмолог, доктор медицины, умер в Ленинграде в 1942 году[1]. В 1942 году после смерти деда Алексей вместе с семьёй был эвакуирован из блокадного Ленинграда.
В 1958 году окончил среднюю школу № 1 гор. Салехарда[2].
В 1964 году окончил Ленинградский электротехнический институт.
Профессиональная карьера
С 1964 по 1967 год работал инженером в Ленинградском институте телевидения[3].
С 1967 года — сотрудник лаборатории мощных полупроводниковых приборов Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, впоследствии — главный научный сотрудник.
Учёная степень
Доктор физико-математических наук. Защитил докторскую диссертацию в 1988 году.
Научная деятельность и достижения
Проводит исследования в области сверхбыстрых процессов накопления и рассасывания электронно-дырочной плазмы в мощных высоковольтных полупроводниковых приборах, импульсной полупроводниковой схемотехнике[3]. Один из создателей нового научно-технического направления — мощной импульсной полупроводниковой электроники нано- и субнано- секундного диапазона.
Экспериментально обнаружил эффект задержанного ударно-ионизационного пробоя высоковольтных p-n переходов (совместно с И. В. Греховым). На основе этого эффекта были созданы такие импульсные ударно-ионизационные переключатели субнаносекундного диапазона, как кремниевые диодные обострители импульсов и динисторы с быстрой ионизацией. В англоязычной литературе эти приборы стали известны под названиями Silicon Avalanche Sharpening diode (SAS), Fast Ionization Dynistor (FID). Появление SAS-диода увеличило мощность, коммутируемую полупроводниковыми приборами в субнаносекудном диапазоне, сразу на 4 порядка. Разработал дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ, англ.: Drift Step Recovery Diode, DSRD) — мощный импульсный переключатель наносекундного диапазона.
Разработки SAS-диода и ДДРВ сформировали элементную базу мощной импульсной полупроводниковой электроники субнаносекундного диапазона. Это позволило создать компактные высокоэффективные генераторы высоковольтных импульсов, к настоящему времени коммерциализированные[4].
Автор свыше 100 научных публикаций[5]. Избранные работы:
- Grekhov I. V., Kardo-Sysoev A. F. Subnanosecond current drops in delayed breakdown of silicon p-n junctions // Sov. Tech. Phys. Lett. – 1979 – vol. 5 – no. 8 – p. 395.
- Grekhov I. V., Kardo-Sysoev A. F., Kostina L. S., Shenderey S. V. High-power Subnanosecond Switch // Electronics Letters – 1981 – vol. 17 – no. 12 – p. 422 – DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el:19810293.
- Grekhov I. V., Efanov V. M., Kardo-Sysoev A. F., Shenderey S. V. Power Drift Step Recovery Diodes (DSRD) // Solid-State Electronics – 1985 – vol. 28 – no. 6 – pp. 597–599 – DOI: 10.1016/0038-1101(85)90130-3.
- Kardo-Sysoev A. F. New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses // in Ultra-Wideband Radar Technology, ed. J. D. Taylor – CRC Press – 2000 – ISBN: 849342678 – pp. 205–290.
Признание и награды
- Лауреат Государственной премии СССР 1987 года — за разработку новых принципов коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами[6].
Примечания
Ссылки
