Зельберхерр, Зигфрид

Зигфрид Зельберхерр (род. 3 августа 1955, Клостернойбург, Вин-Умгебунг, Нижняя Австрия, Австрия) — австрийский ученый в области микроэлектроники, профессор Института микроэлектроники Венского технического университета. Занимается исследованием и компьютерным моделированием физических явлений в микро- и наноэлектронных структурах. Доктор наук.

Общие сведения
Зигфрид Зельберхерр
Siegfried Selberherr
Дата рождения 3 августа 1955(1955-08-03) (71 год)
Место рождения Клостернойбург
Страна
Научная сфера микроэлектроника
Место работы Венский технический университет
Образование
Учёное звание профессор
Известен как создатель модели подвижности носителей заряда
Награды и премии Почётный знак За заслуги перед Австрийской Республикой, 2005

Биография

Зигфрид Зельберхерр родился 3 августа 1955 года в Клостернойбурге[1].

В 1978 году окончил Венский технический университет по специальности «электротехника и электроника».

В 1988 году стал полным профессором Венского технического университета по специальности «Программное обеспечение и компьютерные технологии для микроэлектронных систем»[2].

Являлся приглашённым исследователем в Bell Labs.

С 1996 по 2020 год — заслуженный лектор IEEE.

С 1998 по 2005 год — декан факультета электротехники и информационных технологий Венского технического университета.

С 2001 по 2018 год — заместитель председателя и научный советник наблюдательного совета компании Ams-Osram.

C 2004 года — член консультативного совета Межвузовского департамента по агробиотехнологиям (IFA, Тульн-на-Дунае).

До 2016 года возглавлял Институт микроэлектроники при Венском техническом университете. Входит в состав руководства Института.

Учёная степень

Доктор наук. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию (нем. Doktor der technischen Wissenschaften), в 1984 году — докторскую (нем. Habilitation zum Dozenten)[2].

Научная деятельность

Опубликовал более 400 журнальных статей и более 1200 статей в материалах конференций. Кроме того, выпустил 3 монографии, подготовил более 100 кандидатов и докторов наук.

Разработал симулятор MINIMOS для исследования физических свойств полупроводниковых приборов на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник, в котором, в частности, использовал модель подвижности носителей заряда, названную впоследствии его именем. Руководит многочисленными совместными научно-исследовательскими проектами в сотрудничестве с такими компаниями и учреждениями, как Австрийский научный фонд фундаментальных исследований (FWF), Исследовательская ассоциация имени Кристиана Допплера (CDG), Европейский исследовательский совет (ERC).

Награды

Основные публикации

Журнальные статьи

  • L. Filipovic, S. Selberherr. Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors., Materials, Vol.12, No.15, pp. 2410-1–2410-37, 2019, doi:10.3390/ma12152410.
  • H. Ceric, S. Selberherr. Electromigration in Submicron Interconnect Features of Integrated Circuits., Materials Science and Engineering R, Vol.71, pp. 53–86, 2011, doi:10.1016/j.mser.2010.09.001.
  • V. Sverdlov, E. Ungersboeck, H. Kosina, S. Selberherr. Current Transport Models for Nanoscale Semiconductor Devices., Materials Science and Engineering R, Vol.58, No.6-7, pp. 228–270, 2008, doi:10.1016/j.mser.2007.11.001.
  • T. Grasser, T.-W. Tang, H. Kosina, S. Selberherr. A Rewiew of Hydrodynamic and Energy-Transport Models for Semiconductor Device Simulation., Proceedings of the IEEE, Vol.91, No.2, pp. 251–274, 2003, doi:10.1109/JPROC.2002.808150.
  • S. Selberherr, A. Schütz, H. Pötzl. MINIMOS — A Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer., IEEE Trans.Electron Devices, Vol.ED-27, No.8, pp. 1540–1550, 1980, doi:10.1109/T-ED.1980.20068.

Книги

  • M. Nedjalkov, I. Dimov, S. Selberherr. Stochastic Approaches to Electron Transport in Micro- and Nanostructures, Birkhäuser, Basel, ISBN 978-3-030-67916-3, 214 страниц, 2021, doi:10.1007/978-3-030-67917-0.
  • R. Klima, S. Selberherr. Programmieren in C, 3. Auflage, Springer-Verlag, Wien-New York, ISBN 978-3-7091-0392-0, 366 страниц, 2010, doi:10.1007/978-3-7091-0393-7.
  • J.W. Swart, S. Selberherr, A.A. Susin, J.A. Diniz, N. Morimoto. (Eds.) Microelectronics Technology and Devices, The Electrochemical Society, ISBN 978-1-56677-646-2, 661 страниц, 2008.
  • T. Grasser, S. Selberherr. (Eds.) Simulation of Semiconductor Processes and Devices, Springer-Verlag, Wien-New York, ISBN 978-3-211-72860-4, 460 страниц, 2007, doi:10.1007/978-3-211-72861-1.
  • F. Fasching, S. Halama, S. Selberherr. (Eds.) Technology CAD Systems, Springer-Verlag, Wien-New York, ISBN 978-3-7091-9317-4, 309 страниц, 1993, doi:10.1007/978-3-7091-9315-0.
  • S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Springer-Verlag, Wien-New York, ISBN 978-3-7091-8754-8, 294 страниц, 1984, doi:10.1007/978-3-7091-8752-4.

Список литературы

  1. Staff Person Info | IuE (абх.). www.iue.tuwien.ac.at. Дата обращения: 27 марта 2026.
  2. 1 2 Siegfried SELBERHERR | Professor (Full) | O.Univ.Prof.Dipl.-Ing.Dr.techn.Dr.h.c. | TU Wien, Vienna | TU Wien | Institute for Microelectronics | Research profile (англ.). ResearchGate. Дата обращения: 27 марта 2026.
  3. Asia-Pacific Artificial Intelligence Association, AAIA. Дата обращения: 17 декабря 2021. Архивировано 6 января 2022 года.
  4. Bulgarische Akademie der Wissenschaften ehrt Siegfried Selberherr. Дата обращения: 20 ноября 2019. Архивировано 19 сентября 2020 года.
  5. ERC Advanced Grant 'MOSILSPIN'. Дата обращения: 20 ноября 2019. Архивировано 17 декабря 2021 года.